氧化物半导体TFT基板结构及氧化物半导体TFT基板的制作方法与流程

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种氧化物半导体tft基板结构及氧化物半导体tft基板的制作方法。

背景技术：

平面显示装置具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有的平面显示装置主要包括液晶显示装置(liquidcrystaldisplay，lcd)及有机电致发光显示装置(organiclightemittingdisplay，oled)。

现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示装置，其包括壳体、设于壳体内的液晶面板及设于壳体内的背光模组(backlightmodule)。液晶面板的结构是由一彩色滤光片基板(colorfilter，cf)、一薄膜晶体管阵列基板(thinfilmtransistorarraysubstrate，tftarraysubstrate)以及一配置于两基板间的液晶层(liquidcrystallayer)所构成，其工作原理是通过在两基板上施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。

有机电致发光显示装置同样需要tft基板，以tft作为开关部件和驱动部件，并在tft基板上制作出呈阵列式排布的像素结构。

以氧化物半导体(如铟镓锌氧化物(indiumgalliumzincoxide，igzo))作为tft的有源层的技术是当前的热门技术。氧化物半导体具有较高的电子迁移率、良好的关断特性，而且相比低温多晶硅(lowtemperaturepolysilicon，ltps)，氧化物半导体制程简单，与非晶硅制程相容性较高，所以氧化物半导体逐渐成为lcd及oled中tft的有源层的首选材料。但是，氧化物半导体薄膜由于其结构特性，很容易受到外界水汽的污染，造成tft的电学特性恶化，引起显示画面出现亮度不均的斑痕(mura)、或者其它不良。

现有技术为解决氧化物半导体有源层容易受水汽或者其它污染物影响的问题所采取的办法是在tft基板的下部增加缓冲层来隔绝水汽渗透，但是由于tft基板上部的保护层通常为单层的氧化硅(siox)薄膜，致密性较差，不能阻挡水汽从tft基板上部侵入。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种氧化物半导体tft基板结构，能够从tft基板的上部隔绝水汽渗透，更好地保护氧化物半导体有源层不受水汽侵入的影响，稳定氧化物半导体tft的电学特性。

本发明的另一目的在于提供一种氧化物半导体tft基板的制作方法，制得的氧化物半导体tft基板的下部与上部均能够隔绝水汽渗透，保护氧化物半导体有源层不受水汽侵入的影响，使得氧化物半导体tft的电学特性稳定。

为实现上述目的，本发明首先提供一种氧化物半导体tft基板结构，包括衬底基板、覆盖所述衬底基板的缓冲层、设在所述缓冲层上的氧化物半导体tft、覆盖所述氧化物半导体tft的保护层、以及设在所述保护层上的像素电极；

所述保护层至少包括第一氧化硅薄膜层、及覆盖所述第一氧化硅薄膜层的氮化硅薄膜层。

所述保护层还包括覆盖所述氮化硅薄膜层的第二氧化硅薄膜层。

所述氧化物半导体tft包括设在所述缓冲层上的栅极、覆盖所述栅极与缓冲层的栅极绝缘层、对应于栅极的上方设在栅极绝缘层上的氧化物半导体有源层、遮盖所述氧化物半导体有源层中部的蚀刻阻挡层、及分别接触所述氧化物半导体有源层两侧的源极与漏极；

所述保护层内开设有过孔，所述像素电极经所述过孔接触氧化物半导体tft的漏极。

所述第一氧化硅薄膜层的厚度为所述氮化硅薄膜层的厚度为所述第二氧化硅薄膜层的厚度为

所述缓冲层的材料为氧化硅、氮化硅、或氧化硅与氮化硅的层叠组合；所述栅极的材料为钼与铝的层叠组合、或钼与铜的层叠组合；所述栅极绝缘层的材料为氧化硅，厚度为所述氧化物半导体有源层的材料为铟镓锌氧化物，厚度为所述蚀刻阻挡层的材料为氧化硅；所述源极与漏极的材料为钼与铝的层叠组合、或钼与铜的层叠组合。

本发明还提供一种氧化物半导体tft基板的制作方法，包括：

提供衬底基板，在所述衬底基板上沉积缓冲层；

在所述缓冲层上制作出氧化物半导体tft；

在所述氧化物半导体tft上沉积第一氧化硅薄膜层，再沉积氮化硅薄膜层，所述第一氧化硅薄膜层与氮化硅薄膜层共同形成保护层；在保护层内开设过孔；

在所述保护层上沉积一层导电薄膜，并对该层导电薄膜进行图案化处理，形成像素电极。

所述氧化物半导体tft基板的制作方法还包括在氮化硅薄膜层上沉积第二氧化硅薄膜层；所述保护层还包括所述第二氧化硅薄膜层。

在所述缓冲层上制作出氧化物半导体tft的过程按时间先后顺序具体包括：

在所述缓冲层上沉积第一金属层，并对第一金属层做图案化处理，形成栅极；

沉积栅极绝缘层；

沉积氧化物半导体薄膜，并对氧化物半导体薄膜做图案化处理，对应于栅极的上方形成氧化物半导体有源层；

沉积一层绝缘薄膜，并对该层绝缘薄膜进行图案化处理，形成遮盖所述氧化物半导体有源层中部的蚀刻阻挡层；

沉积第二金属层，并对第二金属层做图案化处理，形成分别接触所述氧化物半导体有源层两侧的源极与漏极。

所述第一氧化硅薄膜层的厚度为所述氮化硅薄膜层的厚度为所述第二氧化硅薄膜层的厚度为

所述缓冲层的材料为氧化硅、氮化硅、或氧化硅与氮化硅的层叠组合；所述第一金属层的材料为钼与铝的层叠组合、或钼与铜的层叠组合；所述栅极绝缘层的材料为氧化硅，厚度为所述氧化物半导体薄膜的材料为铟镓锌氧化物，厚度为所述绝缘薄膜的材料为氧化硅；所述第二金属层的材料为钼与铝的层叠组合、或钼与铜的层叠组合。

本发明的有益效果：本发明提供的一种氧化物半导体tft基板结构，在氧化物半导体tft基板的上部设置保护层，所述保护层至少包括第一氧化硅薄膜层、及覆盖所述第一氧化硅薄膜层的氮化硅薄膜层，氮化硅薄膜层具有很好的致密性，使得所述保护层隔绝水汽的能力提高，能够从tft基板的上部隔绝水汽渗透，更好地保护氧化物半导体有源层不受水汽侵入的影响，稳定氧化物半导体tft的电学特性。本发明提供的一种氧化物半导体tft基板的制作方法，在氧化物半导体tft基板的下部制作有缓冲层，上部制作有至少由第一氧化硅薄膜层与氮化硅薄膜层共同形成的保护层，使最终制得的氧化物半导体tft基板的下部与上部均能够隔绝水汽渗透，保护氧化物半导体有源层不受水汽侵入的影响，从而使得氧化物半导体tft的电学特性稳定。

附图说明

为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。

附图中，

图1为本发明的氧化物半导体tft基板结构的第一实施例的示意图；

图2为本发明的氧化物半导体tft基板结构的第二实施例的示意图；

图3为本发明的氧化物半导体tft基板的制作方法的流程图。

具体实施方式

为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。

本发明提供一种氧化物半导体tft基板结构。图1所示为本发明的氧化物半导体tft基板结构的第一实施例，包括衬底基板1、覆盖所述衬底基板1的缓冲层2、设在所述缓冲层2上的氧化物半导体tftt、覆盖所述氧化物半导体tftt的保护层5、以及设在所述保护层5上的像素电极6。

所述保护层5至少包括第一氧化硅薄膜层51、及覆盖所述第一氧化硅薄膜层51的氮化硅(sinx)薄膜层52。

具体地：

所述衬底基板1优选玻璃基板。

所述缓冲层2的材料为氧化硅、氮化硅、或氧化硅与氮化硅的层叠组合。

所述氧化物半导体tftt包括设在所述缓冲层2上的栅极31、覆盖所述栅极31与缓冲层2的栅极绝缘层32、对应于栅极31的上方设在栅极绝缘层32上的氧化物半导体有源层33、遮盖所述氧化物半导体有源层33中部的蚀刻阻挡层34、及分别接触所述氧化物半导体有源层33两侧的源极35与漏极36；所述保护层5内开设有过孔h，所述像素电极6经所述过孔h接触氧化物半导体tftt的漏极36，以形成像素电极6与漏极36的连接。

所述栅极31的材料为钼(mo)与铝(al)的层叠组合(如mo/al)、或钼与铜的层叠组合(如mo/cu)。

所述栅极绝缘层32的材料为氧化硅，厚度为

所述氧化物半导体有源层33的材料优选为铟镓锌氧化物，厚度为

所述蚀刻阻挡层34的材料为氧化硅。

所述源极35与漏极36的材料为钼与铝的层叠组合(如mo/al/mo)、或钼与铜的层叠组合(如mo/cu/mo)。

所述第一氧化硅薄膜层51的厚度为

所述氮化硅薄膜层52的厚度为

所述像素电极6的材料优选氧化铟锡(indiumtinoxide，ito)。

值得注意的是：与现有的仅包括单层氧化硅薄膜的保护层不同，在本发明的氧化物半导体tft基板结构中，所述保护层5至少包括第一氧化硅薄膜层51、及覆盖所述第一氧化硅薄膜层51的氮化硅薄膜层52，由于氮化硅薄膜层52具有很好的致密性，使得所述保护层5隔绝水汽的能力提高，能够在现有技术的基础上从tft基板的上部隔绝水汽渗透，更好地保护氧化物半导体有源层33不受水汽侵入的影响，稳定氧化物半导体tft的电学特性。

图2所示为本发明的氧化物半导体tft基板结构的第二实施例，其与上述第一实施例的差别在于所述保护层5还包括覆盖所述氮化硅薄膜层52的第二氧化硅薄膜层53，进一步地，所述第二氧化硅薄膜层53的厚度为其它均与第一实施例相同，此处不再赘述。

请参阅图3，结合图1与图2，本发明还提供一种氧化物半导体tft基板的制作方法，包括如下步骤：

步骤s1、提供衬底基板1，在所述衬底基板1上沉积缓冲层2。

具体地，所述衬底基板1优选玻璃基板；所述缓冲层2的材料为氧化硅、氮化硅、或氧化硅与氮化硅的层叠组合。

步骤s2、在所述缓冲层2上制作出氧化物半导体tftt。

所述步骤s2包括以下详细步骤：

步骤s21、在所述缓冲层2上沉积第一金属层，并对第一金属层做图案化处理，形成栅极31。

具体地，所述第一金属层的材料为钼与铝的层叠组合(如mo/al)、或钼与铜的层叠组合(如mo/cu)。

步骤s22、沉积栅极绝缘层32。

具体地，所述栅极绝缘层32的材料为氧化硅，厚度为

步骤s23、沉积氧化物半导体薄膜，并对氧化物半导体薄膜做图案化处理，对应于栅极31的上方形成氧化物半导体有源层33。

具体地，所述氧化物半导体薄膜的材料优选为铟镓锌氧化物，厚度为

步骤s24、沉积一层绝缘薄膜，并对该层绝缘薄膜进行图案化处理，形成遮盖所述氧化物半导体有源层33中部的蚀刻阻挡层34。

具体地，所述绝缘薄膜的材料为氧化硅。

步骤s25、沉积第二金属层，并对第二金属层做图案化处理，形成分别接触所述氧化物半导体有源层33两侧的源极35与漏极36。

具体地，所述第二金属层的材料为钼与铝的层叠组合(如mo/al/mo)、或钼与铜的层叠组合(如mo/cu/mo)。

步骤s3、可如图1所示，先在所述氧化物半导体tftt上沉积第一氧化硅薄膜层51，再沉积氮化硅薄膜层52，由所述第一氧化硅薄膜层51与氮化硅薄膜层52共同形成保护层5；也可根据实际需要，如图2所示，在氮化硅薄膜层52上继续沉积第二氧化硅薄膜层53，由所述第一氧化硅薄膜层51、氮化硅薄膜层52、与第二氧化硅薄膜层53共同形成保护层5；然后在保护层5内开设过孔h。

具体地，所述第一氧化硅薄膜层51的厚度为所述氮化硅薄膜层52的厚度为所述第二氧化硅薄膜层53的厚度为

步骤s4、在所述保护层5上沉积一层导电薄膜，并对该层导电薄膜进行图案化处理，形成像素电极6。

具体地，所述导电薄膜的材料优选氧化铟锡；所述像素电极6经所述过孔h接触氧化物半导体tftt的漏极36，以形成像素电极6与漏极36的连接。

上述氧化物半导体tft基板的制作方法，在氧化物半导体tft基板的下部制作有缓冲层2，上部制作有至少由第一氧化硅薄膜层51与氮化硅薄膜层52共同形成的保护层5，氮化硅薄膜层52具有很好的致密性，使最终制得的氧化物半导体tft基板的下部与上部均能够隔绝水汽渗透，保护氧化物半导体有源层33不受水汽侵入的影响，从而使得氧化物半导体tft的电学特性稳定。

综上所述，本发明的氧化物半导体tft基板结构，在氧化物半导体tft基板的上部设置保护层，所述保护层至少包括第一氧化硅薄膜层、及覆盖所述第一氧化硅薄膜层的氮化硅薄膜层，氮化硅薄膜层具有很好的致密性，使得所述保护层隔绝水汽的能力提高，能够在现有技术的基础上从tft基板的上部隔绝水汽渗透，更好地保护氧化物半导体有源层不受水汽侵入的影响，稳定氧化物半导体tft的电学特性。本发明的氧化物半导体tft基板的制作方法，在氧化物半导体tft基板的下部制作有缓冲层，上部制作有至少由第一氧化硅薄膜层与氮化硅薄膜层共同形成的保护层，使最终制得的氧化物半导体tft基板的下部与上部均能够隔绝水汽渗透，保护氧化物半导体有源层不受水汽侵入的影响，从而使得氧化物半导体tft的电学特性稳定。

以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利要求的保护范围。