薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置与流程
本发明涉及显示技术领域，特别是指一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置。
背景技术：
常用的显示面板包括液晶显示面板(lcd)、有机发光二极管显示面板(oled)等。这些显示面板在采用有源矩阵驱动方式时，需要设置具有薄膜晶体管(tft)阵列的阵列基板，tft作为控制像素的开关，直接关系到显示面板的性能。
但是在实现本发明的过程中，发明人发现，现有tft存在以下问题：
在制备tft时，若源漏极与有源区采用分步骤制作的方式，在形成有源区后，对源漏极进行掺杂来完成源漏极的制作，将导致掺杂以后源漏极与有源区仅仅通过侧边角处进行接触，接触面积较小，接触电阻极大，因此对tft的开态电流、载流子迁移率等特性均有较大影响。
技术实现要素：
有鉴于此，本发明的目的在于提出一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，能够改善薄膜晶体管的接触电阻。
基于上述目的本发明提供的薄膜晶体管，包括源极、漏极和有源区，所述有源区与源极相接触的第一接触部位的掺杂浓度和所述有源层与漏极相接触的第二接触部位的掺杂浓度，均高于所述有源区的主体部位的掺杂浓度。
可选的，所述第一接触部位和/或第二接触部位的高度高于所述有源区的主体部位的高度。
可选的，所述第一接触部位和/或第二接触部位的掺杂浓度为1013～1015cm-3。
本发明的第二方面，提供了一种如前任一项所述的薄膜晶体管的制作方法，包括：
在基板上依次形成缓冲层和第一非晶硅层；
在所述第一非晶硅层上形成第二非晶硅层，所述第二非晶硅层的掺杂浓度高于所述第一非晶硅层的掺杂浓度；
通过图案化处理，形成所述有源区，并在所述第一接触部位和所述第二接触部位处保留所述第二非晶硅层；
对保留的所述第二非晶硅层中的掺杂离子进行活化与扩散；
将非晶硅转化为多晶硅；
形成薄膜晶体管的其他层并完成薄膜晶体管的制作。
可选的，所述对保留的所述第二非晶硅层中的掺杂离子进行活化与扩散的步骤以及将非晶硅转化多晶硅的步骤，采用准分子激光退火工艺一步完成。
本发明的第三个方面，提供了一种如上任一项所述的薄膜晶体管的制作方法，包括：
在基板上依次形成缓冲层和第一非晶硅层；
将非晶硅转化为多晶硅，形成多晶硅层；
在所述多晶硅层上形成第二非晶硅层，所述第二非晶硅层的掺杂浓度高于所述多晶硅层的掺杂浓度；
通过图案化处理，形成所述有源区，并在所述第一接触部位和所述第二接触部位处保留所述第二非晶硅层；
对保留的所述第二非晶硅层中的掺杂离子进行活化与扩散；
形成薄膜晶体管的其他层并完成薄膜晶体管的制作。
本发明的第四个方面，提供了一种如上任一项所述的薄膜晶体管的制作方法，包括：
在基板上依次形成缓冲层和非晶硅层；
在所述非晶硅层上形成第一光刻胶层；
通过曝光显影处理，在所述第一接触部位和所述第二接触部位处不保留所述第一光刻胶层；
采用掺杂浓度高于所述非晶硅层的掺杂浓度的掺杂离子，对所述有源区对应的所述非晶硅层进行掺杂；
剥离所述第一光刻胶层；
通过图案化处理，形成所述有源区；
将非晶硅转化为多晶硅；
形成薄膜晶体管的其他层并完成薄膜晶体管的制作。
可选的，所述通过曝光显影处理，在所述第一接触部位和所述第二接触部位处不保留所述第一光刻胶层，还包括：
在所述有源区的主体部位处形成第二光刻胶层，所述第二光刻胶层的厚度小于所述第一光刻胶层的厚度；
剥离所述第一光刻胶层时还包括：
剥离所述第二光刻胶层。
本发明的第五个方面，提供了一种阵列基板，包括薄膜晶体管阵列，所述薄膜晶体管采用如上任一项所述的薄膜晶体管。
本发明的第六个方面，提供了一种显示装置，包括如前所述的阵列基板。
从上面所述可以看出，本发明提供的薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，通过将所述有源区与源极相接触的第一接触部位和所述有源层与漏极相接触的第二接触部位形成为重掺杂区域，从而能够有效减小有源区与源极、栅极的接触部位的接触电阻，改善薄膜晶体管、阵列基板、显示装置的特性。
附图说明
图1为本发明提供的薄膜晶体管的一个实施例的剖面结构示意图；
图2为本发明提供的薄膜晶体管的制作方法的第一个实施例的流程示意图；
图3a为本发明提供的薄膜晶体管的制作方法的实施例中，在基板上形成缓冲层后的结构示意图；
图3b为本发明提供的薄膜晶体管的制作方法的实施例中，在基板上形成第一非晶硅层后的结构示意图；
图3c为本发明提供的薄膜晶体管的制作方法的实施例中，在基板上形成第二非晶硅层后的结构示意图；
图3d为本发明提供的薄膜晶体管的制作方法的实施例中，图案化后的结构示意图；
图3e为本发明提供的薄膜晶体管的制作方法的实施例中，在对掺杂离子进行活化和扩散后的结构示意图；
图3f为本发明提供的薄膜晶体管的制作方法的实施例中，制作完成的薄膜晶体管的结构示意图；
图4为本发明提供的薄膜晶体管的制作方法的第二个实施例的流程示意图；
图5为本发明提供的薄膜晶体管的制作方法的第三个实施例的流程示意图；
图6a为本发明提供的薄膜晶体管的制作方法的实施例中，在基板上形成缓冲层后的结构示意图；
图6b为本发明提供的薄膜晶体管的制作方法的实施例中，在基板上形成非晶硅层后的结构示意图；
图6c为本发明提供的薄膜晶体管的制作方法的实施例中，在基板上形成第一光刻胶层后的结构示意图；
图6d为本发明提供的薄膜晶体管的制作方法的实施例中，对第一光刻胶层进行曝光处理后的结构示意图；
图6e为本发明提供的薄膜晶体管的制作方法的实施例中，进行掺杂后的结构示意图；
图6f为本发明提供的薄膜晶体管的制作方法的实施例中，对有源区进行图案化后的结构示意图；
图6g为本发明提供的薄膜晶体管的制作方法的实施例中，制作完成的薄膜晶体管的结构示意图；
图6h为本发明提供的薄膜晶体管的制作方法的实施例中，对第一光刻胶层进行曝光处理后的结构示意图(残留有第二光刻胶层)；
图6i为本发明提供的薄膜晶体管的制作方法的实施例中，进行掺杂后的结构示意图；
图6j为本发明提供的薄膜晶体管的制作方法的实施例中，对有源区进行图案化后的结构示意图；
图6k为本发明提供的薄膜晶体管的制作方法的实施例中，制作完成的薄膜晶体管的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。
需要说明的是，本发明实施例中所有使用“第一”和“第二”的表述均是为了区分两个相同名称非相同的实体或者非相同的参量，可见“第一”“第二”仅为了表述的方便，不应理解为对本发明实施例的限定，后续实施例对此不再一一说明。
基于上述目的，本发明实施例的第一个方面，提供了一种薄膜晶体管，能够改善薄膜晶体管的接触电阻。如图1所示，为本发明提供的薄膜晶体管的一个实施例的剖面结构示意图。
所述薄膜晶体管，包括缓冲层11、有源区12、源极13、漏极14、栅极绝缘层15和栅极16；所述有源区12与源极13相接触的第一接触部位121的掺杂浓度和所述有源层12与漏极14相接触的第二接触部位122的掺杂浓度，均高于所述有源区12的主体部位(除所述第一接触部位121和所述第二接触部位122之外的有源区12)的掺杂浓度。
从上述实施例可以看出，本发明实施例提供的薄膜晶体管，通过将所述有源区与源极相接触的第一接触部位和所述有源层与漏极相接触的第二接触部位形成为重掺杂区域，从而能够有效减小有源区与源极、栅极的接触部位的接触电阻，改善薄膜晶体管的特性。
可选的，本发明实施例提供的薄膜晶体管的源极和漏极为如图1所示的截面为“z”字形的形状。图1所示的薄膜晶体管为一种特有结构的tft，其主要应用于低温多晶硅薄膜晶体管(ltpstft)。图1所示的薄膜晶体管，其源极13和漏极14与有源区12并非普通的ltpstft那样采用一次成形多晶硅层后再对源极和漏极进行掺杂而形成源极13、漏极14和有源区12，而是先形成有源区12后再形成源极13和漏极14，这样能够同时制作得到存储电容(图1中还示出了构成存储电容的底电极17和顶电极18)，从而能够减少存储电容掩膜版并能节约成本。但是，采用这种方式制作的tft，其源极13和漏极14成形为截面为“z”字形的形状，因此在利用栅极16作为掩模对源极13和漏极14进行掺杂时，无法对源极13和漏极14完全实现均匀掺杂，并且由于源极13、漏极14与有源区12采用分开制作的方式，使得源极13、漏极14与有源区12之间只能形成物理接触，而不如一次成形的方式那样能够形成欧姆接触，从而导致源极13、漏极14与有源区12仅仅通过侧边角处进行物理接触，接触面积较小，接触电阻极大，因此对tft开态电流、载流子迁移率等特性均有较大影响。
采用本发明实施例提供的薄膜晶体管后，源极13、漏极14与有源区12之间的接触部位因为形成了重掺杂，从而能够有效减小接触电阻，改善薄膜晶体管的性能。
此外，采用上述方式制造的ltpstft，由于其性能较佳，特别适用于amoled(有源矩阵有机发光二极管)显示装置；并且，由于二者的优异性能，更加适合应用于柔性显示器。
可选的，所述第一接触部位121和/或第二接触部位122的高度高于所述有源区12的主体部位123的高度。通过增加接触部位的高度，适当增大了有源区与源极、栅极的接触部位的面积，从而在一定程度上减小了接触电阻。可选的，所述第一接触部位121和/或第二接触部位122的高度高于所述有源区12的主体部位123的高度的范围为
可选的，所述第一接触部位121和/或第二接触部位122的掺杂浓度为1013～1015cm-3；在这个浓度范围的掺杂浓度，能够较好地实现接触电阻的减小。
基于上述目的，本发明实施例的第二个方面，提供了一种薄膜晶体管的制作方法的第一个实施例，能够改善薄膜晶体管的接触电阻。如图2所示，为本发明提供的薄膜晶体管的制作方法的第一个实施例的流程示意图。
所述薄膜晶体管的制作方法，包括以下步骤：
步骤201：如图3a和3b所示，在基板31上依次形成缓冲层11和第一非晶硅层32；
可选的，所述基板31为玻璃基板，在形成缓冲层之前，可对玻璃基板31进行初始清洗；可选的，所述缓冲层11和第一非晶硅层32可以利用pecvd(plasmaenhancedchemicalvapordeposition，等离子体增强化学气相沉积)技术沉积制得；可选的，所述缓冲层11采用sinx材料制作时，其膜厚范围可选为
步骤202：如图3c所示，在所述第一非晶硅层32上形成第二非晶硅层33，所述第二非晶硅层33的掺杂浓度高于所述第一非晶硅层32的掺杂浓度；
可选的，所述第二非晶硅层33是采用pecvd或者ald(atomiclayerdeposition，原子层沉积)技术沉积得到的，所述第二非晶硅层33的厚度范围可选为
优选的，采用ald工艺进行高精度沉积得到所述第二非晶硅层33，该工艺可以让掺杂离子在单层原子层范围内进行沉积，利于掺杂离子的扩散。
可选的，还包括步骤203：对上述中间制品进行去氢处理；可选的，将基板31放置于退火炉(oven)中进行去氢处理，去氢温度一般为400-450℃，时间为60-90min，去氢以后保证第一非晶硅层32和第二非晶硅层33中的氢含量＜2％。
步骤204：通过图案化处理，如图3d所示，形成所述有源区12，并在所述第一接触部位121和所述第二接触部位122处保留所述第二非晶硅层33；
可选的，采用halftone(半色调)掩模工艺完成有源区12的图案化，其中需要去除的地方(除有源区12的第一非晶硅层32的其他部分)全部曝光，与源极13和漏极14对应的区域不曝光，有源区12的主体部分123采用部分曝光，从而将有源区12的主体部分123上方的重掺杂的第二非晶硅层33刻蚀掉，而与源极13和漏极14对应的区域上方的重掺杂的第二非晶硅层33会保留。这样，采用halftone(半色调)掩模工艺对不同区域的进行不同程度的曝光，从而可一步得到所需的结构。
步骤205：如图3e所示，对保留的所述第二非晶硅层中的掺杂离子进行活化与扩散，使掺杂离子进入到其下方的有源区12的第一接触部位121和第二接触部位122中，从而将整个第一接触部位121和第二接触部位122形成为重掺杂区域。可选的，所述活化工艺可以采用退火炉退火(oven)工艺或者采用快速热退火(rapidthermalanneal，rta)工艺来完成。
步骤206：将非晶硅(包括第一非晶硅层32和第二非晶硅层33剩余的部分，即构成有源区12的部分)转化为多晶硅；可选的，采用金属诱导晶化技术来完成晶体的转化。
较佳的，所述对保留的所述第二非晶硅层中的掺杂离子进行活化与扩散的步骤204以及将非晶硅转化多晶硅的步骤205，采用准分子激光退火工艺(ela)一步完成；采用准分子激光退火工艺一步完成了对保留的所述第二非晶硅层中的掺杂离子进行活化与扩散的步骤以及将非晶硅转化多晶硅的步骤，无需后续的活化工艺，从而简化了制作工艺，降低了制作成本，提升了生产效率。可选的，所述ela技术，激光能量范围可选为350-450mj/cm2。
可选的，还包括步骤207：对多晶硅表面进行清洗以改善表面粗糙度；可选的，通过0.5％-1％浓度的hf(氢氟酸)对多晶硅表面进行清洗以改善表面粗糙度。
步骤208：形成薄膜晶体管的其他层并完成薄膜晶体管的制作，如图3f所示。
可选的，步骤208中可具体包括以下步骤：
利用溅射(sputter)工艺完成源极13和漏极14的沉积；可选的，源极13和漏极14可选为复合层结构(例如ti-al-ti结构，厚度范围分别可为
接着，完成源极13和漏极14的图案化；此时，还可同时完成存储电容的底电极17的图案化；
之后，通过cvd(chemicalvapordeposition，化学气相沉积)技术沉积栅极绝缘层(gi层)15；可选的，栅极绝缘层(gi层)15包括上层和下层，其中，下层材料为sio2，厚度范围可为
再次，利用溅射(sputter)工艺完成栅极(gate)膜层沉积，其中栅极金属可选为mo(钼)，厚度范围可选为
最后，完成栅极16的图案化，至此tft制备完成；此时，还可同时完成存储电容的顶电极18的图案化。
从上述实施例可以看出，本发明实施例提供薄膜晶体管的制作方法，依次形成第一非晶硅层和重掺杂的第二非晶硅层，经过图案化处理，形成有源区和保留所需部位的第二非晶硅层，通过活化与扩散完成有源区与源极、栅极的接触部位的制作，最终形成了有源区与源极、栅极的接触部位的接触电阻较小的特性优化的薄膜晶体管；此外，到采用ela工艺完成非晶硅到多晶硅转化的同时，利用了前面工艺形成的特殊结构，可一并完成掺杂离子的活化与扩散，从而无需后续活化工艺，简化了制作工艺，降低了制作成本，提升了生产效率。
可选的，上述薄膜晶体管的制作方法应用于如图1所示结构的薄膜晶体管时，能够更好地改善接触电阻。此外，采用上述方法制造的ltpstft，由于其性能较佳，特别适用于amoled(有源矩阵有机发光二极管)显示装置；并且，由于二者的优异性能，更加适合应用于柔性显示器。
本发明还提供了一种薄膜晶体管的制作方法的第二个实施例，能够改善薄膜晶体管的接触电阻。如图4所示，为本发明提供的薄膜晶体管的制作方法的第二个实施例的流程示意图。
所述薄膜晶体管的制作方法，包括以下步骤：
步骤401：参考附图3a和3b，在基板31上依次形成缓冲层11和第一非晶硅层；
可选的，所述基板31为玻璃基板，在形成缓冲层之前，可对玻璃基板31进行初始清洗；可选的，所述缓冲层11和第一非晶硅层32可以利用pecvd(plasmaenhancedchemicalvapordeposition，等离子体增强化学气相沉积)技术沉积制得；可选的，所述缓冲层11采用sinx材料制作时，其膜厚范围可选为
步骤402：将非晶硅转化为多晶硅，形成多晶硅层32；可选的，采用ela工艺实现非晶硅到多晶硅的转化；
步骤403：参考附图3c，在所述多晶硅层32上形成第二非晶硅层33，所述第二非晶硅层33的掺杂浓度高于所述多晶硅层32的掺杂浓度；可选的，采用pecvd工艺或ald工艺，沉积所述重掺杂的第二非晶硅层33，所述第二非晶硅层33的厚度范围可选为
优选的，采用ald工艺进行高精度沉积得到所述第二非晶硅层33，该工艺可以让掺杂离子在单层原子层范围内进行沉积，利于掺杂离子的扩散。
步骤404：参考附图3d，通过图案化处理，形成所述有源区12，并在所述第一接触部位121和所述第二接触部位122处保留所述第二非晶硅层33；
可选的，采用halftone(半色调)掩模工艺完成有源区12的图案化，其中需要去除的地方(除有源区12的第一非晶硅层32的其他部分)全部曝光，与源极13和漏极14对应的区域不曝光，有源区12的主体部分123采用部分曝光，从而将有源区12的主体部分123上方的重掺杂的第二非晶硅层33刻蚀掉，而与源极13和漏极14对应的区域上方的重掺杂的第二非晶硅层33会保留。这样，采用halftone(半色调)掩模工艺对不同区域的进行不同程度的曝光，从而可一步得到所需的结构。
可选的，还包括步骤405：对多晶硅表面进行清洗以改善表面粗糙度；可选的，通过0.5％-1％浓度的hf(氢氟酸)对多晶硅表面进行清洗以改善表面粗糙度。
步骤406：参考附图3e，对保留的所述第二非晶硅层33中的掺杂离子进行活化与扩散，使掺杂离子进入到其下方的有源区12的第一接触部位121和第二接触部位122中，从而将整个第一接触部位121和第二接触部位122形成为重掺杂区域。可选的，所述活化工艺可以采用退火炉退火(oven)工艺或者采用快速热退火(rapidthermalanneal，rta)工艺来完成。
可选的，可以在后续ild(interlayerdielectric，层间介质层，图中未示出)刻蚀之后，再进行掺杂离子的活化和扩散。
步骤407：形成薄膜晶体管的其他层并完成薄膜晶体管的制作，参考附图3f。
从上述实施例可以看出，本发明实施例提供的薄膜晶体管的制作方法，依次形成多晶硅层和重掺杂的第二非晶硅层，经过图案化处理，形成有源区和保留所需部位的重掺杂非晶硅层，通过活化与扩散完成有源区与源极、栅极的接触部位的制作，最终形成了有源区与源极、栅极的接触部位的接触电阻较小的特性优化的薄膜晶体管。
可选的，上述薄膜晶体管的制作方法应用于如图1所示结构的薄膜晶体管时，能够更好地改善接触电阻。此外，采用上述方法制造的ltpstft，由于其性能较佳，特别适用于amoled(有源矩阵有机发光二极管)显示装置；并且，由于二者的优异性能，更加适合应用于柔性显示器。
本发明还提供了一种薄膜晶体管的制作方法的第三个实施例，能够改善薄膜晶体管的接触电阻。如图5所示，为本发明提供的薄膜晶体管的制作方法的第三个实施例的流程示意图。
所述薄膜晶体管的制作方法，包括以下步骤：
步骤501：如图6a和6b所示，在基板31上依次形成缓冲层11和非晶硅层32；
可选的，所述基板31为玻璃基板，在形成缓冲层11之前，可对玻璃基板31进行初始清洗；可选的，所述缓冲层11和非晶硅层32可以利用pecvd(plasmaenhancedchemicalvapordeposition，等离子体增强化学气相沉积)技术沉积制得；可选的，所述缓冲层11采用sinx材料制作时，其膜厚范围可选为
步骤502：如图6c所示，在所述非晶硅层32上形成第一光刻胶层61；
步骤503：如图6d所示，通过曝光显影处理，在所述第一接触部位对应的第一区域611和所述第二接触部位对应的第二区域612不保留所述第一光刻胶层61；
步骤504：如图6e所示，采用掺杂浓度高于所述非晶硅层32的掺杂浓度的掺杂离子，对所述有源区12对应的所述非晶硅层32进行掺杂，得到高掺杂的第三区域321和第四区域322；可选的，掺杂浓度的可选范围为1013～1015cm-3；
步骤505：剥离所述第一光刻胶层61；
步骤506：通过图案化处理，形成所述有源区12，如图6f所示；
步骤507：将非晶硅转化为多晶硅；可选的，采用ela工艺实现非晶硅到多晶硅的转化；
步骤508：形成薄膜晶体管的其他层并完成薄膜晶体管的制作，如图6g所示。
从上述实施例可以看出，本发明实施例提供的薄膜晶体管的制作方法，在非晶硅层上形成第一光刻胶层，经过曝光显影处理，在第一接触部位和第二接触部位对应的位置不保留光刻胶层，对有源区的对应部位的非晶硅层进行重掺杂，从而在第一接触部位和第二接触部位处形成重掺杂，最终形成了有源区与源极、栅极的接触部位的接触电阻较小的特性优化的薄膜晶体管。
可选的，上述薄膜晶体管的制作方法应用于如图6g所示结构的薄膜晶体管时，能够更好地改善接触电阻。此外，采用上述方法制造的ltpstft，由于其性能较佳，特别适用于amoled(有源矩阵有机发光二极管)显示装置；并且，由于二者的优异性能，更加适合应用于柔性显示器。
较佳的，所述通过曝光显影处理，在所述第一接触部位和所述第二接触部位处不保留所述第一光刻胶层，还包括：
步骤403’：在所述有源区12的主体部位123对应的第五区域323形成第二光刻胶层613，所述第二光刻胶层613的厚度小于所述第一光刻胶层61的厚度；可选的，所述第二光刻胶层613为一薄层，其厚度范围约为0.1-0.3μm；
剥离所述第一光刻胶层时还包括：
步骤405’：剥离所述第二光刻胶层613。
这样，通过曝光显影过程，使得所述有源区12的主体部位123对应的第五区域323残留一薄层光刻胶，所述第一接触部位121和所述第二接触部位122对应的第三区域321和第四区域322不保留所述第一光刻胶层61，其余部分覆盖完整的光刻胶，然后在后续的掺杂步骤中，使源极13和漏极14接触的第一接触部位121和所述第二接触部位122对应的区域形成重掺杂，而所述有源区12的主体部位123对应的位置形成轻掺杂，从而在最终制得tft后，能够解决tft阈值电压的正向漂移问题。
基于上述目的，本发明实施例的第三个方面，提供了一种阵列基板的一个实施例，能够改善薄膜晶体管的接触电阻。
所述阵列基板，包括薄膜晶体管阵列，所述薄膜晶体管采用如上所述薄膜晶体管的任一项实施例。
本实施例提供的阵列基板，通过将薄膜晶体管的所述有源区与源极相接触的第一接触部位和所述有源层与漏极相接触的第二接触部位形成为重掺杂区域，从而能够有效减小有源区与源极、栅极的接触部位的接触电阻，改善薄膜晶体管的特性，从而得到性能较好的阵列基板。
可选的，上述阵列基板性能较佳，特别适用于amoled(有源矩阵有机发光二极管)显示装置；并且，由于其优异性能，更加适合应用于柔性显示器。
基于上述目的，本发明实施例的第四个方面，提供了一种显示装置的一个实施例，能够改善薄膜晶体管的接触电阻。
所述显示装置，包括如前所述的阵列基板。
本实施例提供的显示装置，其阵列基板通过将薄膜晶体管的所述有源区与源极相接触的第一接触部位和所述有源层与漏极相接触的第二接触部位形成为重掺杂区域，从而能够有效减小有源区与源极、栅极的接触部位的接触电阻，改善薄膜晶体管的特性，从而得到性能较好的显示装置。
可选的，上述显示装置性能较佳，特别适用于amoled(有源矩阵有机发光二极管)显示装置；并且，由于其优异性能，更加适合应用于柔性显示器。
所属领域的普通技术人员应当理解：以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
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