本发明涉及耐高温电阻技术领域，尤其涉及一种高温型电阻及其制备方法。
背景技术：
以高分子导电复合材料为基材的正温度系数热敏电阻，在临界转变温度的前后，使电阻率发生几个数量级的变化，即ptc的电阻可随其使用的环境温度的升高而增加，从而可以在较高温度下减小或切断电流，起到过流、过温保护，目前，这类器件已经在各种电路保护装置中大量使用，如锂离子电池、汽车马达等。一般的，填充导电粒子的结晶高分子复合材料可表现出正温系数ptc现象，也就是说在较低的温度时，这类导体呈现较低的电阻率，而当温度升高到达高分子聚合物熔点以上，电阻率会急速升高。目前常规的聚合物材料包括聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、eva、eaa、eba，导电填料包括炭黑、石墨、碳纤维、镍粉、铜粉、铝粉等。
目前一般生产企业制造热敏电阻粉体使用的工艺为：称料、加入施主杂质球磨混料、烘干、压块1150℃预合成、粉碎、称料、加入受主杂质和烧结助剂球磨混料、加入余料量为8%的浓度为10%的pva、喷雾造粒。按此工艺生产的电阻组份分散不均匀、晶粒大小不匀、α系数低、耐电压性能差，使用时容易出现热击穿等致命缺陷。
技术实现要素：
本发明的实施例提供一种高温型电阻及其制备方法，原料简单，，组分分散均匀，较高的耐电压能力，具有较好的耐压等级，稳定性、一致性、重复性好，提升了器件在高温高压下的可靠性。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
本发明的实施例提供一种高温型电阻，包括以下的重量份数的原料制备而成：高分子聚合物40-65份，炭黑25-50份，氢氧化银1-10份，硅烷偶联剂1-5份，对苯二酚0.1-2份，分散助剂0.01-0.1份。
进一步的，所述的一种高温型电阻元件是以下重量份数的原料制备而成：高分子聚合物50-60份，炭黑30-40份，氢氧化银5-8份，硅烷偶联剂1-3份，对苯二酚0.5-1份，分散助剂0.03-0.08份。
进一步的，所述高分子聚合物是聚偏氟乙烯，高密度聚乙烯，乙烯-四氟乙烯共聚物，乙烯-醋酸乙烯共聚物中的一种或多种混合物。
进一步的，所述分散助剂是二氧化锰，三氧化二锑，碳酸锂的混合物。
进一步的，所述分散助剂是由以下重量份数的原料组成：二氧化锰40-60份，三氧化二锑40-60份，碳酸锂10-30份。
本发明还提供了一种高温型电阻的制备方法，包括：
s1、将所有粉料混合均匀，在一定配比的溶剂中研磨成纳米粉末；
s2、将步骤1得到的纳米粉末加入密炼机进行混炼，混炼温度200-250℃，混炼30-60分钟，压成薄片；
s3、将步骤2得到的薄片在1100-1400℃条件下烧结2-3小时，缓慢降温至100℃，保温1-2小时，自然冷却，得到半导体材料；
s4、将步骤2得到的所述半导体材料的两端涂覆银层，根据目的电阻值进行划片，得到半导体银片。
s5、将导线和所述半导体银片焊接成二线电阻或者三线电阻，固化，得到所述高温型电阻。
进一步的，所述一定配比的溶剂是由以下体积份数的原料组成：乙醇70-90份，甲苯5-10份，分散剂1-5份，塑化剂0.1-0.5份。
进一步的，所述分散剂是水解聚马来酸酐，聚乙烯，乙烯-丙烯酸共聚物的一种或多种混合物。
进一步的，所述塑化剂是邻苯二甲酸二（2-乙基己）酯，邻苯二甲酸二辛酯，邻苯二甲酸二异癸酯的一种。
本发明实施例提供的一种高温型电阻及其制备方法，具有以下优点：
（1）制备工艺简单可行，生产成本低廉；（2）组分分散均匀，晶粒大小匀称、α系数高；（3）耐压耐高温，衰减性能较好；（4）稳定性、一致性、重复性好。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
实施例1
一种高温型电阻，由下列重量份数的原料制备而成：聚偏氟乙烯40-50份，炭黑25-30份，氢氧化银1-5份，硅烷偶联剂1-2份，对苯二酚0.1-0.5份，二氧化锰0.01-0.04份，三氧化二锑0.01-0.04份，碳酸锂0.01-0.02份。
一种高温型电阻制备方法，包括：
s1、将所有粉料混合均匀，在由以下体积份数的乙醇70-80份，甲苯5-7份，水解聚马来酸酐1-3份，邻苯二甲酸二（2-乙基己）酯0.1-0.3份组成的溶剂中研磨成纳米粉末；
s2、将步骤1得到的纳米粉末加入密炼机进行混炼，混炼温度200℃，混炼60分钟，压成薄片；
s3、将步骤2得到的薄片在1200℃条件下烧结3小时，缓慢降温至100℃，保温1小时，自然冷却，得到半导体材料；
s4、将步骤2得到的所述半导体材料的两端涂覆银层，根据目的电阻值进行划片，得到半导体银片。
s5、将导线和所述半导体银片焊接成二线电阻或者三线电阻，固化，得到所述高温型电阻。
实施例2
一种高温型电阻元件，由下列重量份数的原料制备而成：聚偏氟乙烯40-50份，炭黑25-30份，氢氧化银1-5份，硅烷偶联剂1-2份，对苯二酚0.1-0.5份，二氧化锰0.01-0.04份，三氧化二锑0.01-0.04份，碳酸锂0.01-0.02份。
一种高温型电阻制备方法，包括：
s1、将所有粉料混合均匀，在由以下体积份数的乙醇80-90份，甲苯7-10份、水解聚马来酸酐3-5份，邻苯二甲酸二（2-乙基己）酯0.3-0.5份组成的溶剂中研磨成纳米粉末；
s2、将步骤1得到的纳米粉末加入密炼机进行混炼，混炼温度250℃，混炼30分钟，压成薄片；
s3、将步骤2得到的薄片在1350℃条件下烧结2小时，缓慢降温至100℃，保温2小时，自然冷却，得到半导体材料；
s4、将步骤2得到的所述半导体材料的两端涂覆银层，根据目的电阻值进行划片，得到半导体银片。
s5、将导线和所述半导体银片焊接成二线电阻或者三线电阻，固化，得到所述高温型电阻。
实施例3
一种高温型电阻元件，由下列重量份数的原料制备而成：聚偏氟乙烯50-60份，炭黑30-40份，氢氧化银5-8份，硅烷偶联剂2-3份，对苯二酚0.5-1份，二氧化锰0.01-0.04份，三氧化二锑0.01-0.04份，碳酸锂0.01-0.02份。
一种高温型电阻制备方法，包括：
s1、将所有粉料混合均匀，在由以下体积份数的乙醇70-80份，甲苯5-7份，水解聚马来酸酐1-3份，邻苯二甲酸二（2-乙基己）酯0.1-0.3份组成的溶剂中研磨成纳米粉末；
s2、将步骤1得到的纳米粉末加入密炼机进行混炼，混炼温度200℃，混炼60分钟，压成薄片；
s3、将步骤2得到的薄片在1200℃条件下烧结3小时，缓慢降温至100℃，保温1小时，自然冷却，得到半导体材料；
s4、将步骤2得到的所述半导体材料的两端涂覆银层，根据目的电阻值进行划片，得到半导体银片。
s5、将导线和所述半导体银片焊接成二线电阻或者三线电阻，固化，得到所述高温型电阻。
实施例4
一种高温型电阻元件，由下列重量份数的原料制备而成：聚偏氟乙烯50-60份，炭黑30-40份，氢氧化银5-8份，硅烷偶联剂2-3份，对苯二酚0.5-1份，二氧化锰0.01-0.04份，三氧化二锑0.01-0.04份，碳酸锂0.01-0.02份。
一种高温型电阻制备方法，包括：
s1、将所有粉料混合均匀，在由以下体积份数的乙醇80-90份，甲苯7-10份、水解聚马来酸酐3-5份，邻苯二甲酸二（2-乙基己）酯0.3-0.5份组成的溶剂中研磨成纳米粉末；
s2、将步骤1得到的纳米粉末加入密炼机进行混炼，混炼温度250℃，混炼30分钟，压成薄片；
s3、将步骤2得到的薄片在1350℃条件下烧结2小时，缓慢降温至100℃，保温2小时，自然冷却，得到半导体材料；
s4、将步骤2得到的所述半导体材料的两端涂覆银层，根据目的电阻值进行划片，得到半导体银片。
s5、将导线和所述半导体银片焊接成二线电阻或者三线电阻，固化，得到所述高温型电阻。
实施例5
一种高温型电阻元件，由下列重量份数的原料制备而成：聚偏氟乙烯60-65份，炭黑40-50份，氢氧化银8-10份，硅烷偶联剂3-5份，对苯二酚1-2份，二氧化锰0.03-0.08份，三氧化二锑0.03-0.08份，碳酸锂0.02-0.04份。
一种高温型电阻制备方法，包括：
s1、将所有粉料混合均匀，在由以下体积份数的乙醇70-80份，甲苯5-7份，水解聚马来酸酐1-3份，邻苯二甲酸二（2-乙基己）酯0.1-0.3份组成的溶剂中研磨成纳米粉末；
s2、将步骤1得到的纳米粉末加入密炼机进行混炼，混炼温度200℃，混炼60分钟，压成薄片；
s3、将步骤2得到的薄片在1200℃条件下烧结3小时，缓慢降温至100℃，保温1小时，自然冷却，得到半导体材料；
s4、将步骤2得到的所述半导体材料的两端涂覆银层，根据目的电阻值进行划片，得到半导体银片。
s5、将导线和所述半导体银片焊接成二线电阻或者三线电阻，固化，得到所述高温型电阻。。
实施例6
一种高温型电阻元件，由下列重量份数的原料制备而成：聚偏氟乙烯60-65份，炭黑40-50份，氢氧化银8-10份，硅烷偶联剂3-5份，对苯二酚1-2份，二氧化锰0.03-0.08份，三氧化二锑0.03-0.08份，碳酸锂0.02-0.04份。
一种高温型电阻制备方法，包括：
s1、将所有粉料混合均匀，在由以下体积份数的乙醇80-90份，甲苯7-10份、水解聚马来酸酐3-5份，邻苯二甲酸二（2-乙基己）酯0.3-0.5份组成的溶剂中研磨成纳米粉末；
s2、将步骤1得到的纳米粉末加入密炼机进行混炼，混炼温度250℃，混炼30分钟，压成薄片；
s3、将步骤2得到的薄片在1350℃条件下烧结2小时，缓慢降温至100℃，保温2小时，自然冷却，得到半导体材料；
s4、将步骤2得到的所述半导体材料的两端涂覆银层，根据目的电阻值进行划片，得到半导体银片。
s5、将导线和所述半导体银片焊接成二线电阻或者三线电阻，固化，得到所述高温型电阻。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于设备实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。