等离子体处理装置以及等离子体处理方法与流程

本发明的各方面和实施方式涉及一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。

背景技术：

以往，已知一种使用通过高频电源生成的高频电力在处理容器内生成等离子体的等离子体处理装置。此外，还有一种通过多个高频电源生成频率不同的多个高频电力的技术。

专利文献1：日本特开2012-15534号公报

技术实现要素：

发明要解决的问题

然而，在使用通过高频电源生成的高频电力来在处理容器内生成等离子体的情况下，存在难以在低压且低等离子体密度的环境下稳定地维持等离子体的问题。例如，为了在低压的环境下维持等离子体，考虑使通过高频电源生成的高频电力增加。当高频电力增加时，处理容器内的电场增大，因此存在等离子体的电离加速从而等离子体密度过度增加的担忧。

另一方面，为了抑制等离子体密度的过度增加，在等离子体生成(点火)之后，考虑使高频电力减少到比等离子体生成(点火)时的值小的值。然而，存在如下担忧：在使高频电力减少的情况下，处理容器内的电场下降，因此无法确保用于维持等离子体的足够的电场，从而等离子体消失。在这点上，为了通过以往的ccp(capacitivelycoupledplasma：电容耦合等离子体)型等离子体装置得到高的离子能，需要使频率为低频，但另一面，离子能的分布大幅变宽，难以抑制离子能的分布来准确地控制离子能。

用于解决问题的方案

公开的等离子体处理装置在一个实施方式中具有：处理容器；载波群生成部，其用于生成载波群，该载波群在频域中包括频率不同的多个载波，在时域中通过第一峰值部分与绝对值比所述第一峰值部分的绝对值小的第二峰值部分交替出现的振幅波形来表示；以及等离子体生成部，其使用所述载波群来在所述处理容器内生成等离子体。

发明的效果

通过公开的等离子体处理装置的一个方式，起到如下的效果：通过控制波形，能够将离子能的绝对值和离子能的分布控制得窄，从而能够在低压且低等离子体密度的环境下稳定地维持等离子体。

附图说明

图1是示出第一实施方式所涉及的等离子体处理装置的图。

图2是示出第一实施方式中的载波群生成部的结构例的框图。

图3是示出频域中的载波群的波形的一例的图。

图4是示出时域中的载波群的波形的一例的图。

图5是用于说明与载波群的中心频率fc对应的载波的振幅值同与除载波群的中心频率fc相应的载波以外的载波的振幅值之比的图。

图6是示出相应于比ao/ac的、第一峰值部分p1与第二峰值部分p2之差δp的变动的图。

图7是示出相应于比ao/ac的、第一峰值部分p1与第二峰值部分p2之差δp的变动的图。

图8是示出相应于比ao/ac的、第一峰值部分p1与第二峰值部分p2之差δp的变动的图。

图9是示出相应于个数n的、第一峰值部分p1的占空比的变动的图。

图10是示出相应于个数n的、第一峰值部分p1的占空比的变动的图。

图11是示出相应于频率间隔δf的、彼此相邻的两个第一峰值部分p1的时间间隔δt的变动的图。

图12是示出相应于频率间隔δf的、彼此相邻的两个第一峰值部分p1的时间间隔δt的变动的图。

图13是用于说明基于载波群的作用的图。

图14是第一实施方式所涉及的等离子体处理方法的流程图。

图15是用于说明基于第一实施方式所涉及的等离子体处理装置的效果(等离子体的维持)的图。

图16是用于说明基于第一实施方式所涉及的等离子体处理装置的效果(离子能的分布)的图。

图17是用于说明变形例1的图。

图18是用于说明变形例1的图。

图19是用于说明变形例2的图。

图20是用于说明变形例2的图。

图21是示出第二实施方式所涉及的等离子体处理装置的图。

图22是示出第二实施方式中的载波群生成部的图。

图23是示出由各生成电路生成的载波的频率的一例的图。

图24是示出载波的合成的一例的图。

图25是示出每n个载波的载波群的电信号的波形的一例的图。

图26是示出每个频率间隔δf的载波群的电信号的波形的一例的图。

图27是示出使载波的振幅发生了变化的情况下的载波群的电信号的波形的一例的图。

图28a是示出对载波的指定的一例的图。

图28b是示出对载波的指定的一例的图。

图28c是示出对载波的指定的一例的图。

图28d是示出对载波的指定的一例的图。

图29是示出向下部电极供给的电力的一例的图。

图30是示出在进行高的深宽比的等离子体蚀刻的情况下会发生的问题的一例的图。

图31是示出向下部电极供给的电压的一例的图。

图32是示出等离子体蚀刻出的高的深宽比的接触孔的一例的图。

图33a是说明占空比与蚀刻速率之间的关系的图。

图33b是说明占空比与电源容量之间的关系的图。

图34是示出向下部电极供给的电压的一例的图。

图35是示出蚀刻速率的比较结果的一例的图。

附图标记说明

10：等离子体处理装置；12：处理容器；30：上部电极；62；载波群生成部；71：波形数据生成部；72：量子化部；73：傅立叶逆变换部；78：调制部；100：载波群生成部；102：方向性耦合器；104：匹配器；110：生成电路；111：信号发生器；112：移相器；113：功率放大器；115：输出合成器；le：下部电极；cnt：控制部。

具体实施方式

下面，参照附图来详细地说明本申请所公开的等离子体处理装置和等离子体处理方法的实施方式。此外，设为在各附图中对相同或相当的部分标注相同的标记。另外，并不限定本实施方式所公开的发明。在不使处理内容相矛盾的范围内能够对各实施方式恰当地进行组合。

(第一实施方式)

图1是示出第一实施方式所涉及的等离子体处理装置的图。图1所示的等离子体处理装置10构成为使用了电容耦合等离子体(ccp：capacitivelycoupledplasma)的等离子体处理装置。等离子体处理装置10具备大致圆筒状的处理容器12。处理容器12的内壁表面例如由被阳极氧化处理后的铝形成。该处理容器12安全接地。

在处理容器12的底部设置有大致圆筒状的支承部14。支承部14例如由绝缘材料形成。支承部14在处理容器12内从处理容器12的底部沿铅垂方向延伸。另外，在处理容器12内设置有载置台pd。载置台pd被支承部14支承。

载置台pd在其上表面保持晶圆w。载置台pd具有下部电极le和静电卡盘esc。下部电极le包含第一板18a和第二板18b。第一板18a和第二板18b例如由铝这样的金属形成，呈大致圆盘形状。第二板18b设置在第一板18a上，与第一板18a电连接。

在第二板18b上设置有静电卡盘esc。静电卡盘esc具有将作为导电膜的电极配置在一对绝缘层或绝缘片之间的构造。直流电源22经由开关23而与静电卡盘esc的电极电连接。该静电卡盘esc借助通过来自直流电源22的直流电压所产生的库伦力等静电力来吸附晶圆w。由此，静电卡盘esc能够保持晶圆w。

在第二板18b的周缘部上以包围晶圆w的边缘和静电卡盘esc的方式配置有聚焦环fr。聚焦环fr是为了提高蚀刻的均匀性而设置的。聚焦环fr由根据蚀刻对象的膜的材料而适当选择的材料形成，例如能够由石英形成。

在第二板18b的内部设置有制冷剂流路24。制冷剂流路24构成温度调节机构。从设置在处理容器12的外部的冷却单元经由配管26a而向制冷剂流路24供给制冷剂。被供给到制冷剂流路24的制冷剂经由配管26b而返回到冷却单元。像这样，以使制冷剂循环的方式向制冷剂流路24供给制冷剂。通过控制该制冷剂的温度，能够控制被静电卡盘esc支承的晶圆w的温度。

另外，在等离子体处理装置10中设置有气体供给线路28。气体供给线路28向静电卡盘esc的上表面与晶圆w的背面之间供给来自传热气体供给机构的传热气体例如he气体。

另外，等离子体处理装置10具备上部电极30。上部电极30在载置台pd的上方，与该载置台pd相向配置。下部电极le和上部电极30设置为彼此大致平行。在该上部电极30与下部电极le之间提供有用于对晶圆w进行等离子体处理的处理空间s。

上部电极30经由绝缘性遮蔽构件32而被支承于处理容器12的上部。另外，上部电极30与gnd连接。在一个实施方式中，上部电极30能够构成为距载置台pd的上表面即晶圆载置面的铅垂方向上的距离可变。上部电极30能够包含电极板34和电极支承体36。电极板34面向处理空间s，在该电极板34设置有多个气体排出孔34a。该电极板34在一个实施方式中由硅形成。

电极支承体36以自如装卸电极板34的方式支承电极板34，该电极支承体36例如能够由铝这样的导电性材料形成。该电极支承体36能够具有水冷构造。在电极支承体36的内部设置有气体扩散室36a。与气体排出孔34a连通的多个气体流通孔36b从该气体扩散室36a向下方延伸。另外，在电极支承体36上形成有用于将处理气体导向气体扩散室36a的气体导入口36c，在该气体导入口36c上连接有气体供给管38。

在气体供给管38上经由阀组42和流量控制器组44而连接有气体源组40。气体源组40包含碳氟化合物气体源、稀有气体源和氧(o2)气源这些多个气体源。碳氟化合物气体例如为包含c4f6气体和c4f8气体中的至少一种气体的气体。另外，稀有气体为包括ar气体、he气体这样的各种稀有气体中的至少一种气体的气体。

阀组42包含多个阀，流量控制器组44包含质量流量控制器这样的多个流量控制器。气体源组40的多个气体源分别经由阀组42的对应的阀和流量控制器组44的对应的流量控制器而与气体供给管38连接。

另外，在等离子体处理装置10中，沿处理容器12的内壁装卸自如地设置有沉积物屏蔽件46。沉积物屏蔽件46也设置于支承部14的外周。沉积物屏蔽件46防止蚀刻副生成物(沉积物)附着于处理容器12，能够通过在铝材上涂覆y2o3等的陶瓷而构成。

在处理容器12的底部侧且支承部14与处理容器12的侧壁之间设置有排气板48。排气板48例如能够通过在铝材上涂覆y2o3等的陶瓷而构成。在该排气板48的下方且处理容器12中设置有排气口12e。在排气口12e上经由排气管52而连接有排气装置50。排气装置50具有涡轮分子泵等真空泵，能够将处理容器12内的空间减压到所期望的真空度。另外，在处理容器12的侧壁上设置有晶圆w的送入送出口12g，该送入送出口12g能够通过闸阀54进行开闭。

另外，等离子体处理装置10如图1所示具有载波群生成部62、放大器64和匹配器66。

载波群生成部62生成载波群。由载波群生成部62生成的载波群在频域中包括频率不同的多个载波。另外，由载波群生成部62生成的载波群在时域中通过第一峰值部分与绝对值比第一峰值部分的绝对值小的第二峰值部分交替出现的振幅波形来表示。关于由载波群生成部62生成的载波群的详细内容，在后面记述。

载波群生成部62如图2所示具有波形数据生成部71、量子化部72、傅立叶逆变换部73、d(digital：数字)/a(analog：模拟)转换部74、75、lpf(lowpassfilter：低通滤波器)76、77和调制部78。此外，图2是示出第一实施方式中的载波群生成部的结构例的框图。

波形数据生成部71生成波形数据。波形数据生成部71例如从未图示的输入装置获取用于生成波形数据的参数(例如频率、相位等)，使用所获取到的参数来生成波形数据。而且，波形数据生成部71向量子化部72输出所生成的波形数据。

量子化部72对被从波形数据生成部71输入的波形数据进行量子化。傅立叶逆变换部73对由量子化部72进行了量子化的波形数据进行傅立叶逆变换，由此将波形数据的同相分量数据(i数据：in-phasecomponent：同相分量)与逆相分量数据(q数据：quadraturecomponent：正交分量)分离。由傅立叶逆变换部73分离出的波形数据的i数据和q数据由d/a转换部74、75进行d/a转换，经由lpf76、77而输入到调制部78。

调制部78使用波形数据的i数据和q数据对相位彼此相差90°的基准载波进行调制，由此生成上述的载波群。具体地说，调制部78具有pll(phaselockedloop：锁相环)振荡器81、移相器82、乘法器83、84以及加法器85。

pll振荡器81生成基准载波，将所生成的基准载波输出到移相器82和乘法器83。移相器82使从pll振荡器81输入的基准载波的相位偏移90°，将相位偏移了90°后的基准载波输出到乘法器84。乘法器83将从lpf76输入的i数据和从pll振荡器81输入的基准搬送波相乘。乘法器84将从lpf77输入的q数据和从移相器82输入的基准载波相乘。加法器85将乘法器83的相乘结果和乘法器84的相乘结果相加，由此生成载波群。

在此，使用数式来说明载波群生成部62中的载波群的生成处理的一例。由波形数据生成部71生成的波形数据为预先被数字化的符号列。某时刻t的波形数据x(t)由以下式(1)表示。

x(t)＝a(t)cos(ωt+θ0)…(1)

其中，a(t)：某时刻t的振幅，ω：角速度，θ0：初始相位。

使用加法定理来将上述式(1)展开，导出以下式(2)。

x(t)＝a(t)cosωt·cosθ0-a(t)sinωt·sinθ0…(2)

波形数据x(t)的i数据i(t)由以下式(3)示出。另外，波形数据x(t)的q数据q(t)由以下式(4)示出。

i(t)＝a(t)cosθ0…(3)

q(t)＝a(t)sinθ0…(4)

通过上述式(2)～(4)，导出以下式(5)。

x(t)＝i(t)cosωt-q(t)sinωt…(5)

上述的式(5)意味着所有的波形数据x(t)能够由i数据i(t)和q数据q(t)表示。

在载波群生成部62中，首先由量子化部72对波形数据x(t)进行量子化，接着，由傅立叶逆变换部73进行傅立叶逆变换，由此将i数据i(t)与q数据q(t)分离。然后，由d/a转换部74、75对各个i数据i(t)和各个q数据q(t)分别进行d/a转换后向只使低频分量通过的lpf76、77输入。另一方面，基于由调制部78的pll振荡器81振荡出的中心频率(fc)的基准载波(例如微波)生成相位彼此相差90°的两个基准载波cosωt、-sinωt。然后，在调制部78中，使用从lpf76、77输出的i数据i(t)和q数据q(t)对相位彼此相差90°的基准载波cosωt、-sinωt进行调制，由此生成搬送波群。即，使i数据i(t)乘以基准载波(cosωt)，使q数据q(t)乘以基准载波(-sinωt)，将这两个相乘结果相加，由此生成载波群。

返回到图1的说明。放大器64将由载波群生成部62生成的载波群放大，经由匹配器66而向下部电极le供给放大后的载波群。匹配器66使载波群生成部62的输出阻抗与负荷侧(下部电极le側)的输入阻抗匹配。此外，放大器64需要是线性高的放大器以将振幅会发生变化的波形不失真地放大。另外，对于放大器64和匹配器66，期望在本发明的频带中频率特性良好和相位失真少。

在这样构成的等离子体处理装置10中，从上部电极30的电极板34的气体排出孔34a向处理容器12内导入气体。另外，经由放大器64和匹配器66而向下部电极le供给由载波群生成部62生成的载波群。当向下部电极le供给载波群时，在下部电极le与上部电极30之间的处理空间s中形成电场。被导入处理容器12内的气体通过在处理空间s中形成的电场被等离子体化，在处理空间s中生成等离子体。此时，下部电极le作为使用载波群来在处理容器12内生成等离子体的等离子体生成部发挥功能。

另外，在一个实施方式中，等离子体处理装置10还能够具备控制部cnt。该控制部cnt为具备处理器、存储部、输入装置、显示装置等的计算机，控制等离子体处理装置10的各部。在该控制部cnt中，操作员为了管理等离子体处理装置10而能够使用输入装置进行指令的输入操作等，另外，通过显示装置，能够可视化地显示等离子体处理装置10的工作状况。并且，在控制部cnt的存储部中，保存用于处理器对在等离子体处理装置10中执行的各种处理进行控制的控制程序和用于根据处理条件来使等离子体处理装置10的各部执行处理的程序、即处理制程。

接着，使用图3～图12来说明由载波群生成部62生成的载波群的详细内容。图3是示出频域中的载波群的波形的一例的图。图4是示出时域中的载波群的波形的一例的图。此外，在图3中，横轴表示频率，纵轴表示振幅。另外，在图4中，横轴表示时间，纵轴表示振幅。另外，在图3和图4中，设为振幅被归一化。

图3所示的载波群在频域中包括频率不同的多个载波f1～f7。多个载波f1～f7的个数n为7。另外，载波群的中心频率fc设定为13.56mhz。另外，多个载波f1～f7的振幅值相同。另外，多个载波f1～f7的频率间隔δf为10khz，关于载波f1～f7的初始相位，设定为在相邻的载波之间依次相差90°。该载波群的频带为13.56mhz±30khz(带宽60khz)。图3所示的载波群的波形被转换为在时域中图4所示的波形。即，图4所示的载波群在时域中通过第一峰值部分p1与绝对值比第一峰值部分p1的绝对值小的第二峰值部分p2交替出现的振幅波形(以下适当地称为“振幅波形”)来表示。以下，作为振幅波形的特性按如下顺序进行说明：(1)第一峰值部分p1与第二峰值部分p2之差δp、(2)第一峰值部分p1的出现时间t1相对于第一峰值部分p1的出现时间t1和第二峰值部分p2的出现时间t2的总和之比、以及(3)彼此相邻的两个第一峰值部分p1的时间间隔δt。

振幅波形中的第一峰值部分p1与第二峰值部分p2之差δp根据多个载波f1～f7中的与载波群的中心频率fc对应的载波的振幅值同与除载波群的中心频率fc相应的载波以外的载波的振幅值之比而发生变动。

图5是用于说明与载波群的中心频率fc对应的载波的振幅值同与除载波群的中心频率fc相应的载波以外的载波的振幅值之比的图。如图5所示，能够使与载波群的中心频率fc对应的载波f4的振幅值ac同与除载波群的中心频率fc相应的载波f4以外的载波的振幅值ao之比ao/ac发生变更。例如利用未图示的输入装置使波形数据生成部71中的用于生成波形数据的参数发生变更，由此使比ao/ac发生变更。

图6～图8是示出相应于比ao/ac的、第一峰值部分p1与第二峰值部分p2之差δp的变动的图。在图6中，示出比ao/ac为0.05的情况下的第一峰值部分p1与第二峰值部分p2之差δp。在图7中，示出比ao/ac为0.1的情况下的第一峰值部分p1与第二峰值部分p2之差δp。在图8中，示出比ao/ac为0.2的情况下的第一峰值部分p1与第二峰值部分p2之差δp。此外，在图4中，示出比ao/ac为1的情况下的第一峰值部分p1与第二峰值部分p2之差δp。如图4和图6～图8所示，比ao/ac越大，振幅波形中的第一峰值部分p1与第二峰值部分p2之差δp越大。

另外，振幅波形中的第一峰值部分p1的出现时间t1相对于第一峰值部分p1的出现时间t1和第二峰值部分p2的出现时间t2的总和之比根据多个载波f1～f7的个数n而发生变动。以下，将振幅波形中的第一峰值部分p1的出现时间t1相对于第一峰值部分p1的出现时间t1和第二峰值部分p2的出现时间t2的总和之比称为“第一峰值部分p1的占空比”。例如利用未图示的输入装置来使波形数据生成部71中的用于生成波形数据的参数发生变更，由此使多个载波f1～f7的个数n发生变更。

图9和图10是示出相应于个数n的、第一峰值部分p1的占空比的变动的图。在图9中，示出个数n为3的情况下的第一峰值部分p1的出现时间t1和第二峰值部分p2的出现时间t2。在图10中，示出个数n为13的情况下的第一峰值部分p1的出现时间t1和第二峰值部分p2的出现时间t2。此外，在图4中，示出个数n为7的情况下的第一峰值部分p1的出现时间t1和第二峰值部分p2的出现时间t2。如图4、图9和图10所示，个数n越多，振幅波形中的第一峰值部分p1的出现时间t1越少，个数n越多，振幅波形中的第二峰值部分p2的出现时间t2越多。即，个数n越多，第一峰值部分p1的占空比越小。

另外，振幅波形中的彼此相邻的两个第一峰值部分p1的时间间隔δt根据多个载波f1～f7的频率间隔δf而发生变动。例如利用未图示的输入装置来使波形数据生成部71中的用于生成波形数据的参数变更，由此使多个载波f1～f7的频率间隔δf发生变更。

图11和图12是示出相应于频率间隔δf的、彼此相邻的两个第一峰值部分p1的时间间隔δt的变动的图。在图11中，示出频率间隔δf为50khz的情况下的彼此相邻的两个第一峰值部分p1的时间间隔δt。在图12中，示出频率间隔δf为100khz的情况下的彼此相邻的两个第一峰值部分p1的时间间隔δt。此外，在图4中，示出频率间隔δf为10khz的情况下的彼此相邻的两个第一峰值部分p1的时间间隔δt。如图4、图11和图12所示，多个载波f1～f7的频率间隔δf越大，振幅波形中的彼此相邻的两个第一峰值部分p1的时间间隔δt越小。

图13是用于说明载波群的作用的图。在由载波群生成部62生成的载波群的振幅波形中，如图13所示，第一峰值部分p1与绝对值比第一峰值部分p1的绝对值小的第二峰值部分p2交替出现。而且，基于第一峰值部分p1的出现，在处理容器12内形成“等离子体点火峰值电场”。所谓“等离子体点火峰值电场”是产生等离子体生成(点火)所需的放电的电场。当在处理容器12内形成“等离子体点火峰值电场”时，基于放电的等离子体的电离加速，等离子体密度瞬间增加。另一方面，基于第二峰值部分p2的出现，在处理容器12内形成“等离子体维持电场”。所谓“等离子体维持电场”是指产生维持等离子体所需的放电的电场，与“等离子体点火峰值电场”相比，绝对值小。当在处理容器12内形成“等离子体维持电场”时，基于放电的等离子体的电离被抑制，从而抑制等离子体密度的增加。由载波群生成部62生成的载波群使在处理容器12内交替形成“等离子体点火峰值电场”和“等离子体维持电场”。由此，回避等离子体密度过度增加的情况且确保用于维持等离子体的足够的电场。

接着，使用图14来说明使用了第一实施方式所涉及的等离子体处理装置10的等离子体处理方法。图14是第一实施方式所涉及的等离子体处理方法的流程图。

如图14所示，等离子体处理装置10的载波群生成部62生成载波群(步骤s101)。载波群生成部62所生成的载波群在频域中包括频率不同的多个载波。另外，载波群生成部62所生成的载波群在时域中通过第一峰值部分与绝对值比第一峰值部分的绝对值小的第二峰值部分交替出现的振幅波形来表示。

下部电极le使用载波群来在处理容器12内生成等离子体(步骤s102)。

等离子体处理装置10在继续处理的情况下(步骤s103为否定)，使处理返回到步骤s101，在结束处理的情况下(步骤s103为肯定)，结束处理。

根据第一实施方式所涉及的等离子体处理装置10，生成在时域中通过第一峰值部分和第二峰值部分交替出现的振幅波形来表示的载波群，使用该载波群来在处理容器12内生成等离子体。因此，能够使在处理容器12内交替形成“等离子体点火峰值电场”与“等离子体维持电场”，由此回避等离子体密度过度增加的情况且确保用于维持等离子体的足够的电场。其结果是，能够在低压且低等离子体密度下稳定地维持等离子体。并且，还能够提高对离子能的分布的控制性。

接着，使用图15来说明基于第一实施方式所涉及的等离子体处理装置10的效果(等离子体的维持)。图15是用于说明基于第一实施方式所涉及的等离子体处理装置的效果(等离子体的维持)的图。在图15中，横轴表示压力[torr]，纵轴表示等离子体密度[ions/cm³]。另外，在图15中，区域501表示在利用使用了通过高频电源生成的高频电力的以往的等离子体处理装置的情况下维持等离子体的区域。另外，在图15中，区域502表示在使用了第一实施方式所涉及的等离子体处理装置10的情况下维持等离子体的区域。

如图15所示，在以往的等离子体处理装置中，只在压力为5[mtorr]以上且等离子体密度为1e+10[ions/cm³]以上的环境下维持等离子体。与此相对，在第一实施方式所涉及的等离子体处理装置10中，在压力小于5[mtorr]且等离子体密度小于1e+10[ions/cm³]的环境下也维持了等离子体。即，在第一实施方式所涉及的等离子体处理装置10中，相比于以往的等离子体处理装置，能够在低压且低等离子体密度下稳定地维持等离子体。

接着，使用图16来说明基于第一实施方式所涉及的等离子体处理装置10的效果(离子能的分布)。图16是用于说明基于第一实施方式所涉及的等离子体处理装置的效果(离子能的分布)的图。在图16中，横轴表示向晶圆w入射的离子的能量(以下称为“离子能”)，纵轴表示向晶圆w入射的离子的出现概率。另外，在图16中，曲线图511示出利用使用了通过高频电源生成的高频电力的以往的等离子体处理装置的情况下的离子能的分布。另外，在图16中，曲线图512示出利用了第一实施方式所涉及的等离子体处理装置10的情况下的离子能的分布。

如图16所示，在以往的等离子体处理装置中，离子的出现概率的峰值分散在离子能的最小值和最大值附近。与此相对，在第一实施方式所涉及的等离子体处理装置10中，离子的出现概率的峰值集中在特定的离子能附近。即，在第一实施方式所涉及的等离子体处理装置10中，相比于以往的等离子体处理装置，能够提高对离子能的分布的控制性。

以上，根据第一实施方式所涉及的等离子体处理装置10，生成在时域中通过第一峰值部分与第二峰值部分交替出现的振幅波形来表示的载波群，使用该载波群来在处理容器12内生成等离子体。因此，能够使在处理容器12内交替形成“等离子体点火峰值电场”与“等离子体维持电场”，由此回避等离子体密度过度增加的情况且确保用于维持等离子体的足够的电场。其结果是，能够在低压且低等离子体密度下稳定地维持等离子体。并且，也能够提高对离子能的分布的控制性。

此外，公开技术并不限定于上述的实施方式，在本发明的主旨的范围内能够进行各种变形。

在上述实施方式中，示出了波形数据生成部71生成一个波形数据且调制部78根据一个波形数据生成载波群的例子，但公开技术并不限定于此。例如，也可以如图17所示，波形数据生成部71在第一时间生成第一波形数据，在第一时间之后的第二时间生成与第一波形数据不同的第二波形数据。在该情况下，调制部78如图18所示在第一时间根据第一波形数据生成载波群，在第二时间根据第二波形数据生成载波群。在图18的例子中，根据第一波形数据所生成的载波群在时域中通过第一峰值部分p1与绝对值比第一峰值部分的绝对值p1小的第二峰值部分p2交替出现的振幅波形来表示。由此，在第一时间，基于第一峰值部分p1的出现，在处理容器12内形成“等离子体点火峰值电场”，基于第二峰值部分p2的出现，在处理容器12内形成“等离子体维持电场”。与此相对，根据第二波形数据所生成的载波群在时域中通过第三峰值部分p3与绝对值比第三峰值部分p3的绝对值小的第四峰值部分p4交替出现的振幅波形来表示。第三峰值部分p3的绝对值比第一峰值部分p1的绝对值大。由此，在第二时间，基于第三峰值部分p3的出现，对下部电极le施加使向晶圆w入射的离子加速的电力、即“离子加速电力”。此外，图17和图18是用于说明变形例1的图。

另外，例如，波形数据生成部71如图19所示也可以生成将第一波形数据和与第一波形数据不同的第二波形数据合成而得到的合成波形数据来作为波形数据。在该情况下，调制部78如图20所示根据合成波形数据生成第一峰值部分p1与绝对值比第一峰值部分p1的绝对值小的第二峰值部分p2交替出现且第三峰值部分p3在任意时间出现的载波群。第三峰值部分p3的绝对值比第一峰值部分p1的绝对值大。在图20的例子中，基于第一峰值部分p1的出现，在处理容器12内形成“等离子体点火峰值电场”，基于第二峰值部分p2的出现，在处理容器12内形成“等离子体维持电场”。另外，基于第三峰值部分p3的出现，对下部电极le施加使向晶圆w入射的离子加速的电力、即“离子加速电力”。此外，图19和图20是用于说明变形例2的图。

另外，在上述实施方式中，示出了向下部电极le供给由载波群生成部62生成的载波群的例子，但公开技术并不限定于此。例如，载波群也可以向上部电极30供给。当向上部电极30供给载波群时，在下部电极le与上部电极30之间的处理空间s中形成电场。被导入处理容器12内的气体通过处理空间s中所形成的电场而被等离子体化，从而在处理空間s中生成等离子体。此时，上部电极30作为使用载波群来在处理容器12内生成等离子体的等离子体生成部发挥功能。

(第二实施方式)

接着，对第二实施方式进行说明。图21是示出第二实施方式所涉及的等离子体处理装置的图。第二实施方式所涉及的等离子体处理装置10是与图1所示的第一实施方式所涉及的等离子体处理装置10大致相同的结构，因此对相同的部分标注相同的标记并省略说明，主要对不同的部分进行说明。

在第二实施方式所涉及的等离子体处理装置10中，代替载波群生成部62、放大器64以及匹配器66，而具有载波群生成部100、方向性耦合器102以及匹配器104。

载波群生成部100生成载波群。例如，载波群生成部100生成将频率不同的多个电信号合成而得到的载波群。由载波群生成部100生成的载波群在频域中包括频率不同的多个载波。另外，由载波群生成部100生成的载波群在时域中通过第一峰值部分与绝对值比第一峰值部分的绝对值小的第二峰值部分交替出现的振幅波形来表示。关于由载波群生成部100生成的载波群的详细内容，在后面记述。

图22是示出第二实施方式中的载波群生成部的图。如图22所示，在载波群生成部100中设置有生成各个载波的电信号的多个生成电路110。例如，在图22的例子中，在载波群生成部100中并列设置有七个生成电路110。此外，生成电路110的个数不限定于七个。载波群生成部100基于来自控制部cnt的控制来生成载波群。例如，载波群生成部100从控制部cnt获取用于指定由各生成电路110生成的载波的参数(例如，频率、相位、振幅的放大率等)，使用获取到的参数来生成载波群。

生成电路110分别具有信号发生器111、移相器112以及功率放大器113。信号发生器111与移相器112连接。另外，信号发生器111接地。信号发生器111分别生成载波的电信号。例如，信号发生器111分别生成由参数指定的频率的信号。信号发生器111向移相器112输出生成的电信号。移相器112与功率放大器113连接。移相器112使输入的载波的电信号的相位发生偏移。例如，移相器112使输入的载波的电信号的相位偏移由参数指定的量后向功率放大器113输出。功率放大器113以由参数指定的放大率将输入的载波的电信号放大后输出。

载波群生成部100具有输出合成器115。各生成电路110的功率放大器113与输出合成器115连接。输出合成器115被输入由各功率放大器113放大后的载波的电信号。输出合成器115将由各功率放大器113放大后的载波的电信号合成来生成载波群。输出合成器115向方向性耦合器102输出生成的载波群的电信号。

方向性耦合器102向匹配器104输出已输入的载波群的电信号。另外，也可以是，方向性耦合器102连接未图示的检测部来利用检测部对从方向性耦合器102流向匹配器104的电信号的水平、波形进行检测，向控制部cnt通知检测结果。也可以是，控制部cnt基于被通知的检测结果来对用于指定由各生成电路110生成的载波的参数进行控制以使载波群成为期望的状态。

匹配器104向下部电极le供给已输入的载波群的电信号。匹配器104对载波群生成部100侧的输出阻抗和负荷侧(下部电极le侧)的输入阻抗进行匹配。优选的是，匹配器104是与通过的载波群的频带对应的宽频带型的匹配器。此外，功率放大器113需要是线性高的放大器以将振幅会发生变化的波形不失真地放大。另外，对于移相器112、方向性耦合器102以及匹配器104，期望在本发明的频带中频率特性良好和相位失真少。

在此，说明载波群生成部100中的载波群的生成处理的一例。在载波群生成部100中，利用各生成电路110以规定的频率间隔δf生成频率不同的载波。图23是示出由各生成电路生成的载波的频率的一例的图。在图23中，横轴表示频率，纵轴表示振幅。振幅表示通过载波供给的电力的功率。在图23中，将中心频率fc设为13.56mhz，示出频率间隔δf的七个载波f1～f7的频率。各生成电路110生成图23所示的各频率的载波f1～f7。此外，生成的载波的个数n不限定于7，只要是生成电路110的个数以下且为多个，则可以是任意个数。关于使载波的个数n和频率间隔δf发生变化而引起的载波群的变化，在后面记述。

各移相器112使输入的载波的电信号的相位发生偏移。例如，各移相器112使输入的载波的电信号相对于相邻的频率的载波的电信号按顺序偏移规定的周期后向功率放大器113输出。优选的是，规定的周期是相当于将与一个周期对应的相位除以整数而得到的周期的相位。在本实施例中，将偏移的周期例如设为90°。各移相器112使输入的载波的电信号相对于在频率小的一方相邻的载波偏移90°相位后向功率放大器113输出。例如，在将载波f1的相位设为0°的情况下，使载波f2的相位偏移为90°。使载波f3的相位偏移为180°。使载波f4的相位偏移为270°。使载波f5的相位偏移为0°。使载波f6的相位偏移为90°。使载波f7的相位偏移为0°。此外，也可以是，在通过由功率放大器113进行放大而电信号的相位发生偏移的情况下，各移相器112将功率放大器113中的相位的偏移量考虑在内，在由功率放大器113进行放大后进行偏移以使偏移量成为规定的周期。例如，也可以是，将功率放大器113中的相位的偏移量作为校正信息而预先存储于控制部cnt的存储部，控制部cnt使用校正信息来对各移相器112指定与减去功率放大器113中的相位的偏移量后的偏移量对应的相位的偏移，利用各移相器112使相位偏移与减去功率放大器113中的偏移量后的偏移量对应的量。

输出合成器115将由各功率放大器113放大后的载波的电信号合成。图24是示出载波的合成的一例的图。此外，在图24中，为了使说明简单而示出将三个载波120、121、122合成的情况。在图24中，横轴表示时间，纵轴表示振幅。在图24中，示出频率间隔δf的频率不同的载波120、121、122和将载波120、121、122合成而得到的合成波130。由于载波120、121、122的谐振，合成波130在载波120、121、122的振幅的相同方向上的峰值重叠的部分处振幅增大。例如，合成波130在峰值部分131处振幅比载波120、121、122的振幅大。另外，合成波130在载波120、121、122的振幅小的部分重叠的部分处、振幅在不同的方向上重叠的部分处振幅减小。例如，合成波130在峰值部分132处振幅比载波120、121、122的振幅小。

合成的载波的个数n越多，合成波130的最大峰值越大。另外，通过使频率间隔δf发生变化来使合成波130的出现最大峰值的周期发生变化。

在此，对基于要进行合成的载波的载波群的电信号的波形的变化进行说明。首先，对由于载波的个数n的变化引起的载波群的电信号的波形的变化进行说明。图25是示出每n个载波的载波群的电信号的波形的一例的图。图25的例子示出将中心频率fc设为13.56mhz、将频率间隔δf设为100khz、使载波的个数n改变的情况。图25的下部是示出将个数n设为1(cw)、3、5、7、13的情况下的各载波f的频率、振幅的曲线图。关于图25的下部的曲线图，横轴表示频率，纵轴表示振幅。另外，在各曲线图的下部示出各载波f的频率、相位。另外，在图25的上部示出将下部所示的载波f合成而得到的载波群的电信号的波形。关于图25的上部的曲线图，横轴表示时间，纵轴表示振幅。

个数n为1(cw)的波形只是频率fc的载波，因此没有发生谐振。另一方面，个数n为3、5、7、13的波形由于载波的谐振而在时域中出现振幅大的峰值部分和振幅小的峰值部分。另外，振幅大的峰值发生的周期为与频率间隔δf相同的100khz的周期。

接着，对由频率间隔δf的变化引起的载波群的电信号的波形的变化进行说明。图26是示出每个频率间隔δf的载波群的电信号的波形的一例的图。图26的例子示出将中心频率fc设为13.56mhz、将载波f设为七个(f1～f7)，使载波f1～f7的频率间隔δf改变的情况。图26的下部是示出将载波f1～f7的频率间隔δf设为50khz、100khz、500khz的情况下的载波f1～f7的频率、振幅的曲线图。关于图26的下部的曲线图，横轴表示频率，纵轴表示振幅。另外，在各曲线图的下部示出各载波f的频率、相位。此外，在cw中示出将中心频率fc设为13.56mhz的载波的振幅。另外，在图26的上部示出将下部所示的载波f1～f7合成而得到的载波群的电信号的波形。关于图26的上部的曲线图，横轴表示时间，纵轴表示振幅。

cw的波形只是频率fc的载波，因此没有发生谐振。另一方面，将频率间隔δf设为50khz、100khz、500khz的波形由于载波的谐振而在时域中出现振幅大的峰值部分和振幅小的峰值部分。另外，振幅大的峰值发生的周期为与频率间隔δf相同的周期。

接着，对由载波的振幅的变化引起的载波群的电信号的波形的变化进行说明。图27是示出使载波的振幅发生了变化的情况下的载波群的电信号的波形的一例的图。图27的例子示出将中心频率fc设为13.56mhz、将频率间隔δf设为100khz、将载波设为七个f1～f7并使载波f1～f3、f5～f7的振幅相对于成为中心频率fc的载波f4的振幅发生了变化的情况。关于图27的上部的曲线图，横轴表示频率，纵轴表示振幅。在图27的下部示出将相对于载波f4的振幅的载波f1～f3、f5～f7的振幅设为x＝0、0.2(20％)、0.5(50％)、0.8(80％)、1(100％)来将载波f1～f7合成而得到的载波群的电信号的波形。关于图27的下部的曲线图，横轴表示时间，纵轴表示振幅。

x＝0(cw)的波形只是频率fc的载波，因此没有发生谐振。另一方面，x＝0.2、0.5、0.8的波形由于载波的谐振而在时域中出现振幅大的峰值部分和振幅小的峰值部分。另外，x越大，振幅大的峰值部分与振幅小的峰值部分之间的振幅的差越大。另外，关于x＝1的波形，由于载波f1～f7为相同的振幅，因此是与图26的n＝7同样的波形。

这样，载波群的电信号的波形通过要进行合成的载波而发生变化。控制部cnt能够通过控制对载波群生成部100设定的用于指定载波的参数，来变更载波群生成部100中生成载波的生成电路110的个数n、由各生成电路110生成的载波的频率、移相器112中的相位的偏移量、功率放大器113中的载波的放大率，从而变更载波群的波形。图28a～图28d是示出对载波的指定的一例的图。此外，在图28a～图28d中示出在载波群生成部100中13个生成电路110并列的情况下的由各生成电路110生成的载波f1～f13的条件。图28a示出将中心频率fc设为13.56mhz、将个数n设为13、将频率间隔δf设为100khz的情况下的载波f1～f13的条件。图28b示出将中心频率fc设为13.56mhz、将个数n设为7、将频率间隔δf设为10khz的情况下的载波f1～f13的条件。图28c示出将中心频率fc设为13.56mhz、将个数n设为13、将频率间隔δf设为10khz的情况下的载波f1～f13的条件。图28d示出将中心频率fc设为13.56mhz、将个数n设为10、将频率间隔δf设为10khz的情况下的载波f1～f13的条件。“接通/断开”表示将生成载波的生成电路110设为生成载波的接通状态还是将生成载波的生成电路110设为不生成载波的断开状态。“频率[mhz]”表示生成的载波的频率。“初始相位[°]”表示要使载波偏移的相位。“相对电力”表示载波的相对电力。相对电力越大，载波越被放大，振幅越大。

载波群生成部100通过将与由控制部cnt设定好的参数相应地生成的多个载波的电信号合成并使其进行谐振，来生成在时域中通过第一峰值部分与绝对值比第一峰值部分的绝对值小的第二峰值部分交替出现的振幅波形来表示的载波群。

在这样构成的等离子体处理装置10中，从上部电极30的电极板34的气体喷出孔34a向处理容器12内导入气体。另外，由载波群生成部100生成的载波群经由方向性耦合器102和匹配器104而向下部电极le供给。当向下部电极le供给载波群时，在下部电极le与上部电极30之间的处理空间s中形成电场。导入到处理容器12内的气体由于在处理空间s中形成的电场而被等离子体化，从而在处理空间s中生成等离子体。此时，下部电极le作为使用载波群来在处理容器12内生成等离子体的等离子体生成部而发挥功能。

这样，第二实施方式所涉及的等离子体处理装置10生成在时域中通过第一峰值部分与第二峰值部分交替出现的振幅波形来表示的载波群，使用该载波群来在处理容器12内生成等离子体。因此，能够在处理容器12内交替形成“等离子体点火峰值电场”与“等离子体维持电场”，由此能够回避等离子体密度过度增加的事态且能够确保用于维持等离子体的足够的电场。作为结果，能够在低压且低等离子体密度下稳定地维持等离子体。并且，能够使对离子能的分布的控制性提高。

另外，第二实施方式所涉及的载波群生成部100以规定的频率间隔生成频率不同的载波，使生成的频率不同的载波的相位分别按顺序偏移规定的周期，将相位偏移后的频率不同的载波合成，由此生成载波群。由此，载波群生成部100能够生成使第一峰值部分和第二峰值部分的振幅、第一峰值部分与第二峰值部分的间隔、第一峰值部分与下一个第一峰值部分的间隔发生了变化的各种波形。

另外，近年，在晶圆w等基板的等离子体蚀刻中，由于微细化而要求进行蚀刻的深度相对于开口的宽度深的高深宽比的加工。在进行这种高深宽比的等离子体蚀刻的情况下，在等离子体处理装置中，需要使离子到达高深宽比的接触孔的底。在等离子体处理装置中，例如在从电源向下部电极le连续供给图29所示的振幅固定的高频电力来进行等离子体蚀刻的情况下，如果使向下部电极le供给的电力p0增高以使离子到达接触孔的底，则有时会发生以下问题。此外，图29是示出向下部电极供给的电力的一例的图。

图30是示出在进行高深宽比的等离子体蚀刻的情况下会发生的问题的一例的图。在高深宽比的等离子体蚀刻中，当使向下部电极le供给的电压增高时，使离子进一步加速，因此存在发生掩模的后退的情况。另外，高深宽比的接触孔的排气特性变差。因此，在接触孔的下部再次附着生成的反应生成物、或者即使反应生成物被排出也会被等离子体进行分解而再次附着等，由此有时在接触孔处发生堵塞(clogging)、变细(necking)。另外，只有具有方向性的离子到达接触孔的底，因此存在在接触孔的底由于离子的电荷而带电的情况。因此，存在由于带电而离子弯曲并在接触孔处发生扭曲(twisting)的情况。

这些问题能够通过从电源向下部电极le以脉冲状供给电力来得到改善。例如，如图31所示，向下部电极le以脉冲状供给振幅固定的高频电力pa来进行等离子体蚀刻。此外，图31是示出向下部电极供给的电压的一例的图。考虑该改善的机制如下。在供给电力pa的期间ton内，高速的离子到达接触孔的底。另一方面，在不供给电力pa的期间toff内，等离子体变薄，反应生成物被等离子体进行分解的可能性低，由于反应生成物而使堆积物在接触孔的侧壁堆积或者使接触孔堵塞的可能性变低。另外，在期间toff，使由于离子的电荷而带电的情况缓和，因此离子难以弯曲。由此，如图32所示，能够进行高深宽比的接触孔的等离子体蚀刻。此外，图32是示出进行等离子体蚀刻而得到的高深宽比的接触孔的一例的图。

可是，在期间toff，不向下部电极le供给电力，因此不进行蚀刻。因此，在等离子体处理装置中，在向下部电极le以脉冲状供给电力的情况下，当使占空比降低时，蚀刻速率下降。例如，如果将向下部电极le供给的电力的占空比设为10％，则90％的时间均处于向下部电极le的电力断开的状态。由此，当将占空比设为10％时，在等离子体蚀刻中起作用的有效电力会变为1/10。因此，蚀刻速率下降。为了获得与向下部电极le连续供给电力的情况相同程度的蚀刻速率，需要使有效电力相同。例如，在将占空比设为10％的情况下，为了使有效电力相同，需要能够供给10倍电力的电源。图33a是说明占空比与蚀刻速率之间的关系的图。在图33a中，横轴表示占空比，纵轴表示蚀刻速率。图33b是说明占空比与电源容量之间的关系的图。在图33b中，横轴表示占空比，纵轴表示电源容量。将图33a和图33b所示的横轴的占空比设为越靠右侧则占空比越小。如图33a的虚线140所示，当使占空比下降时，蚀刻速率下降。因此，在如图33b的实线141所示那样，与占空比的下降对应地使电源容量增加来将有效电力维持为固定的情况下，能够如图33a的实线142所示那样维持蚀刻速率。

等离子体处理装置能够通过从电源向下部电极le以脉冲状供给电力来改善对高深宽比的接触孔进行蚀刻时的问题。但是，在从电源向下部电极le以脉冲状供给电力的情况下，等离子体处理装置需要容量大的电源。例如，在利用将占空比设为10％的脉冲状的电力实现与从1kw的容量的电源向下部电极le连续供给电力的情况相同的有效电力的情况下，等离子体处理装置需要10kw的容量的电源。另外，等离子体处理装置即使在使用了例如10kw的容量的电源的情况下，如果将占空比设为5％，则有效电力变为500w。关于电源，容量越大成本越是飞跃性增高，尺寸也越大。

另一方面，上述的第一实施方式的载波群生成部62和第二实施方式的载波群生成部100能够生成在时域中通过第一峰值部分与绝对值比第一峰值部分的绝对值小的第二峰值部分交替出现的振幅波形来表示的载波群，因此能够生成功能与如上所述那样的脉冲状的波形同样的波形。特别是，第二实施方式的载波群生成部100能够通过变更生成载波的生成电路110的个数n、由各生成电路110生成的载波的频率、移相器112中的相位的偏移量、功率放大器113中的载波的放大率来生成与脉冲状的波形接近的波形。另外，上述的第一实施方式的载波群生成部62和第二实施方式的载波群生成部100通过将多个载波合成，即使不增大生成各个载波的各生成电路110的电源容量，也能够生成振幅大的载波群。

图34是示出向下部电极供给的电压的一例的图。在图34的上部，示出在向下部电极le连续供给高频电力的情况(占空比＝100％)和将占空比设为50％、30％、10％来以脉冲状供给高频电力的情况下向下部电极le供给的电信号的波形。此外，在将占空比设为50％、30％、10％的情况下，使各自电力的容量增大而振幅增大。另外，在图34的下部，示出将中心频率fc设为13.56mhz、将频率间隔δf设为100khz、将载波的个数n设为1(cw)、3、5、7、13的情况下向下部电极le供给的载波群的电信号的波形。关于图34的各曲线图，横轴表示时间，纵轴表示振幅。个数n＝3的波形的功能与占空比为50％的脉冲状的波形的功能相同。个数n＝5的波形的功能与占空比为30％的脉冲状的波形的功能相同。个数n＝13的波形的功能与占空比为10％的脉冲状的波形的功能相同。

接着，对使用第二实施方式的载波群生成部100的载波群来进行等离子体蚀刻时的结果的一例进行说明。图35是示出蚀刻速率的比较结果的一例的图。图35的例子示出针对sio2的晶圆w进行等离子体蚀刻的情况下的蚀刻速率。在图35中，横轴表示频率间隔δf，纵轴表示蚀刻速率。在图35中通过线150示出将中心频率fc设为13.56mhz、将载波的个数n设为7、使频率间隔δf发生变化并分别进行等离子体蚀刻的情况下的蚀刻速率。另外，在图35中通过虚线151示出在占空比为30％的脉冲状的波形中将期间ton的出现周期设为与频率间隔δf对应的周期并分别进行等离子体蚀刻的情况下的蚀刻速率。如图35所示，第二实施方式的载波群生成部100能够获得与脉冲状的波形同样的蚀刻速率。

这样，第二实施方式所涉及的载波群生成部100以规定的频率间隔生成频率不同的载波，使生成的频率不同的载波的相位分别按顺序偏移规定的周期，将相位偏移后的频率不同的载波合成，由此生成载波群。由此，即使不使用容量大的电源，载波群生成部100也能够通过将载波合成来生成功能与使用了容量大的电源的脉冲状的波形的功能相同的载波群的电信号。另外，载波群生成部100也可以不使用容量大的电源，因此能够将电源成本降低，还能够使电源的尺寸小型化。

此外，在上述实施方式中，以能够与控制部cnt对参数的控制相应地使各信号发生器111所生成的载波的频率、基于各移相器112的相位的偏移量以及基于各功率放大器113的载波的放大率发生变更的情况为例进行了说明，但是并不限定于此。也可以将各信号发生器111所生成的载波的频率、基于各移相器112的相位的偏移量以及基于各功率放大器113的载波的放大率分别确定为固定。例如，也可以是，各信号发生器111在将中心频率fc设为13.56mhz，分别以规定的频率间隔δf(例如，频率间隔δf)固定地生成载波f的电信号。另外，也可以是，各移相器112分别使频率相对于在频率小的一方相邻的载波固定地偏移90°相位。另外，也可以是，各功率放大器113分别以规定的放大率放大载波。

另外，在上述实施方式中，以将由载波群生成部100生成的载波f的个数设为奇数的情况为例进行了说明，但是并不限定于此。载波f的个数也可以是偶数。在该情况下，例如以使频率相对于中心频率对称的方式生成载波f。例如，在将中心频率fc设为13.56mhz、将频率间隔δf设为100khz并生成四个载波f1～f4的情况下，载波f1的频率为13.41mhz。载波f2的频率为13.51mhz。载波f3的频率为13.61mhz。载波f4的频率为13.71mhz。

另外，在上述实施方式中，以使用ccp作为等离子体源的等离子体处理装置10为例进行了说明，但等离子体源不限于ccp，也可以使用感应耦合等离子体(icp：inductivelycoupledplasma(感应耦合等离子体))。在使用icp作为等离子体源情况下，向icp用天线供给由载波群生成部62生成的载波群。利用被供给了载波群的icp用天线来在处理容器12内形成感应电场。而且，利用感应电场来在处理容器12内生成等离子体。此时，icp用天线作为使用载波群来在处理容器12内生成等离子体的等离子体生成部发挥功能。