本发明涉及oled微显示器件生产领域，尤其涉及一种全彩oled微显示器件生产方法。
背景技术：
有机电致发光器件（oled）同时具备全固态、自发光、响应速度块、视角广泛、工作温度范围广等一系列优点，受到越来越多的学界和产业界的关注。经过多年不断的积极探索，器件的结构和工艺的以及相关材料的进一步优化，有机电致发光已经取得了长足进步，目前已经实现了产业化。根据有关研究机构的预测，oled面板2020年产值将超过600亿美元。oled微显示器指的是显示尺寸在1英寸之下，基于硅基cmos驱动的有机发光器件，像素高达800×600以上，特别适合应用于头盔显示器、立体显示镜以及眼睛式显示器等，具有广阔的市场前景和军事价值。
目前，全彩oled微显示器件的工艺技术还不是特别成熟，成本高、良品率低，无法进行大规模的量产。尤其是，全彩oled微显示器件的全彩化方案多采用白光oled上加rgb彩色滤光片的技术。rgb彩色滤光片制作在玻璃盖板之上，通过ccd实现像素定位，贴合在oled器件上，实现彩色化显示。oled微显示器件的分辨率高，像素只有几个微米的大小，而ccd定位精度也在1μm左右，所以对位难度高，精度差，容易出现串色的问题，限制了器件分辨率的提升。
另外，传统的oled微显示器件的制作工艺中，采用的是先机械划片再小片玻璃贴合的技术，工艺复杂。机械划片是机械力直接作用在晶圆表面，在晶圆内部产生应力损伤，热影响范围和残留应力大，易崩边，破碎，产品良率低，不利于大规模生产。
技术实现要素：
本发明针对现有技术的不足，提供一种全彩oled微显示器件生产方法。
本发明通过以下技术手段实现解决上述技术问题的：
一种全彩oled微显示器件生产方法，包括以下步骤：
s1：提供一包含驱动电路的晶圆基板，在晶圆基板上制作阳极像素点，形成阳极层；
s2：在阳极层上热蒸镀oled显示器件；
s3：对oled显示器件进行薄膜封装，形成薄膜封装层；
s4：在薄膜封装层上制作rgb彩色滤光片，形成滤光层；
s5：在滤光层上贴合玻璃盖板；
s6：对集成有驱动电路、oled显示器件、薄膜封装层、滤光层和玻璃盖板的晶圆基板进行切割，形成单个尺寸在1寸以内的微型显示芯片。
进一步地，在s1中，所述阳极像素点采用蒸镀或者溅射的方式形成，材料选自al、au、ag、cr、mo、pt、cu、w。
进一步地，在s2中，蒸镀的环境真空度小于10-4pa。
进一步地，在s2中，所述oled显示器件至少包括发光层和阴极层，其中，所述阴极层为半透明结构。
进一步地，在s3中，所述薄膜封装层由有机或者无机材料多层交替沉积而成。
进一步地，在s3中，所述薄膜封装层的有机材料选自聚碳酸酯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚丙烯、聚丙烯酸、聚丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、聚酯、聚乙烯、聚苯乙烯、聚硅氧烷、聚硅氮烷或环氧类树脂，无机材料选自al2o3、tio2、sinx、sicnx、siox、mgf2、zro2。
进一步地，在s4中，在薄膜封装层上制作rgb彩色滤光片包括洗净、涂覆、前烘、曝光、显影、后烘的步骤，所述前烘和后烘的温度≤90℃。
进一步地，在s6中，采用激光划片的方式对所述晶圆基板进行切割，所述激光划片的划片速度在140~160nm/s。
本发明与现有技术相比较，本发明的实施效果如下：
在oled显示器件上直接制作rgb彩色滤光片，提高了器件的集成度，利用光刻制程，更加容易的实现了显示器件的高精细化，提高了分辨率。
由于rgb彩色滤光片是直接贴合在oled显示器件上的，而不是采用
在玻璃盖板上制造rgb彩色滤光片，再进行对位贴合的方法，避免了贴合对位精度差对器件分辨率和良率的影响，也避免了刻制化的彩色滤光片玻璃盖板的定制，降低了器件的制作成本。
切割是在一整块晶圆基板上进行的，并采用激光划片的方式对晶圆基板进行切割，有效避免了切割中产生崩边、破碎、热影响范围以及应力大的问题，有助于提高器件的生产率和良品率。
附图说明
图1是本发明提出的全彩oled微显示器件生产方法的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合具体的实施例来说明本发明的内容。
参照图1，图1是本发明提出的一种全彩oled微显示器件生产方法的流程示意图。
本发明提出的一种全彩oled微显示器件生产方法，包括以下步骤：
一种全彩oled微显示器件生产方法，包括以下步骤：
s1：提供一包含驱动电路的晶圆基板，在晶圆基板上制作阳极像素点，形成阳极层；s2：在阳极层上热蒸镀oled显示器件；s3：对oled显示器件进行薄膜封装，形成薄膜封装层；s4：在薄膜封装层上制作rgb彩色滤光片，形成滤光层；s5：在滤光层上贴合玻璃盖板；s6：对集成有驱动电路、oled显示器件、薄膜封装层、滤光层和玻璃盖板的晶圆基板进行切割，形成单个尺寸在1寸以内的微型显示芯片。
在s1中，所述阳极像素点采用蒸镀或者溅射的方式形成，材料选自al、au、ag、cr、mo、pt、cu、w。在s2中，蒸镀的环境真空度小于10-4pa,所述oled显示器件至少包括发光层和阴极层，其中，所述阴极层为半透明结构。在s3中，所述薄膜封装层由有机或者无机材料多层交替沉积而成，所述薄膜封装层的有机材料选自聚碳酸酯、聚酰胺、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚丙烯、聚丙烯酸、聚丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、聚酯、聚乙烯、聚苯乙烯、聚硅氧烷、聚硅氮烷或环氧类树脂，无机材料选自al2o3、tio2、sinx、sicnx、siox、mgf2、zro2。在s4中，在所述薄膜封装层上制作rgb彩色滤光片包括洗净、涂覆、前烘、曝光、显影、后烘的步骤，所述前烘和后烘的温度≤90℃。在s6中，采用激光划片的方式对所述晶圆基板进行切割，所述激光划片的划片速度在140~160nm/s。
上述方案中，在oled显示器件上直接制作rgb彩色滤光片，提高了器件的集成度，利用光刻制程，更加容易的实现了显示器件的高精细化，提高了分辨率。
由于rgb彩色滤光片是直接贴合在oled显示器件上的，而不是采用
在玻璃盖板上制造rgb彩色滤光片，再进行对位贴合的方法，避免了贴合对位精度差对器件分辨率和良率的影响，也避免了刻制化的彩色滤光片玻璃盖板的定制，降低了器件的制作成本。
切割是在一整块晶圆基板上进行的，并采用激光划片的方式对晶圆基板进行切割，有效避免了切割中产生崩边、破碎、热影响范围以及应力大的问题，有助于提高器件的生产率和良品率。
密封层采用多层沉积的方式形成，在保证较高的光透射率的同时，能够保护oled微显示器内的电极，阻挡空气进入oled微显示器内，延长产品的使用寿命。
实施例1
本实施例中，全彩oled微显示器件生产方法，包括以下步骤：
提供一包含驱动电路的晶圆基板，在晶圆基板上制作阳极像素点，形成阳极层。所述阳极像素点采用蒸镀的方式形成，环境真空度小于10-4pa，材料选自cu。在阳极层上热蒸镀oled显示器件，所述oled显示器件至少包括发光层和阴极层，其中，所述阴极层为半透明结构；对oled显示器件进行薄膜封装，形成薄膜封装层，所述薄膜封装层由有机或者无机材料多层交替沉积而成，所述薄膜封装层的有机材料选自聚丙烯酸，无机材料选自al2o3；在薄膜封装层上制作rgb彩色滤光片，形成滤光层，在所述薄膜封装层上制作rgb彩色滤光片包括洗净、涂覆、前烘、曝光、显影、后烘的步骤，所述前烘和后烘的温度≤90℃；在滤光层上贴合玻璃盖板，采用激光划片的方式对集成有驱动电路、oled显示器件、薄膜封装层、滤光层和玻璃盖板的晶圆基板进行切割，形成单个尺寸在1寸以内的微型显示芯片，划片速度在140nm/s。
实施例2
本实施例中，全彩oled微显示器件生产方法，包括以下步骤：
提供一包含驱动电路的晶圆基板，在晶圆基板上制作阳极像素点，形成阳极层。所述阳极像素点采用蒸镀的方式形成，环境真空度小于10-4pa，材料选自al。在阳极层上热蒸镀oled显示器件，所述oled显示器件至少包括发光层和阴极层，其中，所述阴极层为半透明结构。对oled显示器件进行薄膜封装，形成薄膜封装层，所述薄膜封装层由有机或者无机材料多层交替沉积而成，所述薄膜封装层的有机材料选自聚氨酯丙烯酸酯、聚酯，无机材料选自mgf2。在薄膜封装层上制作rgb彩色滤光片，形成滤光层，在所述薄膜封装层上制作rgb彩色滤光片包括洗净、涂覆、前烘、曝光、显影、后烘的步骤，所述前烘和后烘的温度≤90℃。在滤光层上贴合玻璃盖板，采用激光划片的方式对集成有驱动电路、oled显示器件、薄膜封装层、滤光层和玻璃盖板的晶圆基板进行切割，形成单个尺寸在1寸以内的微型显示芯片，划片速度在150nm/s。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。