背接触异质结太阳电池及其发射极、太阳电池制备方法与流程

技术特征：

技术总结
本发明涉及太阳电池技术领域，公开了一种背接触异质结太阳电池的发射极，由上至下包括至少一层CrOx薄膜。本发明还公开了一种采用上述发射极的背接触异质结太阳电池及其制备方法。本发明可以大大提高太阳电池的效率。

技术研发人员：沈辉;吴伟梁;梁宗存;林文杰;包杰;刘宗涛;赵影文
受保护的技术使用者：中山大学
技术研发日：2017.05.23
技术公布日：2017.09.15