技术特征：
技术总结
本发明涉及包括伪栅极结构的集成电路及其形成方法，其中，一种集成电路包括第一晶体管、第二晶体管以及伪栅极结构。该第一晶体管包括第一栅极结构。该第一栅极结构包括：包括高k介电材料的第一栅极绝缘层以及第一栅极电极。该第二晶体管包括第二栅极结构。该第二栅极结构包括：包括该高k介电材料的第二栅极绝缘层以及第二栅极电极。该伪栅极结构布置于该第一晶体管与该第二晶体管之间，且基本不包括该高k介电材料。
技术研发人员：艾略特·约翰·史密斯;詹·候尼史奇尔;陈倪尔;史芬·拜耳
受保护的技术使用者：格罗方德半导体公司
技术研发日：2017.05.25
技术公布日：2017.12.08