技术特征：
技术总结
本发明涉及具有减小的饱和电压的竖直沟道半导体器件。一种竖直沟道半导体器件，包括：半导体本体，半导体本体包括：具有第一导电类型的衬底以及具有第二导电类型的前层；第一部分沟槽以及第二部分沟槽；以及在第一和第二部分沟槽内的相应的导电区域和相应的绝缘层。第一和第二部分沟槽横向地界定第一半导体区域和第二半导体区域，第一半导体区域的最大宽度比第二半导体区间的最大宽度更大。器件进一步包括具有第一导电类型的发射极区域，发射极区域在前层中延伸并且包括：完整部分，完整部分在第二半导体区域中延伸；以及环形部分，环形部分在第一半导体区域中延伸。环形部分横向地环绕具有第二导电类型的顶部区域。
技术研发人员：F·G·门塔;S·皮萨诺
受保护的技术使用者：意法半导体股份有限公司
技术研发日：2017.05.26
技术公布日：2018.05.08