多层陶瓷电容器的制作方法

本发明涉及电子元件领域，尤其是涉及一种多层陶瓷电容器。

背景技术：

常规的多层陶瓷电容器包括长方体的陶瓷体以及设置于陶瓷体相对两端的两个端电极。陶瓷体包括交替层叠并分别连接到极性相异的端电极的多个内电极层以及多个分别层叠于相异极性的内电极层之间的介质层。内电极层的形状一般为矩形，并且相邻的相异极性的内电极层形成一定的正对面积从而产生容量。

当电容量精度要求较高时，例如误差级别为a级(±0.05pf)、b级(±0.1pf)、f级(±1％)、g级(±2％)，常规的多层陶瓷电容器的电容量合格率一般较低，导致生产成本增加。

技术实现要素：

基于此，有必要提供一种方便对电容量进行微调的多层陶瓷电容器。

一种多层陶瓷电容器，包括陶瓷体、第一端电极及第二端电极；所述陶瓷体包括多个层叠的介质层，相邻的两个介质层之间设有内电极，所述陶瓷体具有由所述多个层叠的介质层的侧面形成的第一端面、第二端面、第一侧面及第二侧面，所述第一端面与所述第二端面相对设置，所述第一侧面与所述第二侧面相对设置；所述第一端电极位于所述第一端面且覆盖所述第一侧面及第二侧面部分表面，所述第二端电极位于所述第二端面且覆盖所述第一侧面及第二侧面部分表面；所述内电极包括第一内电极、第二内电极、第一辅助电极及第二辅助电极，所述第一内电极与所述第一端电极电连接，所述第二内电极与所述第一内电极交替层叠且与所述第二端电极电连接；所述第一辅助电极与所述第一侧面及所述第二侧面中的至少一个部分平齐形成第一引出边，所述第一引出边与所述第二端面之间的距离大于所述第一端面和第二端面的距离的一半；所述第二辅助电极与所述第一侧面及所述第二侧面中的至少一个部分平齐形成第二引出边，所述第二引出边与所述第一端面之间的距离大于所述第一端面和第二端面的距离的一半。

上述多层陶瓷电容器，通过设置第一辅助电极及第二辅助电极，第一辅助电极与第一侧面及第二侧面中的至少一个部分平齐形成第一引出边，第二辅助电极与第一侧面及第二侧面中的至少一个部分平齐形成第二引出边，第一端电极位于所述第一端面且覆盖第一侧面及第二侧面部分表面，第二端电极位于第二端面且覆盖第一侧面及第二侧面部分表面，如此，通过浸渍法制备端电极时，控制端电极在第一侧面及第二侧面延伸的距离，可以使第一端电极与第一引出边接触或不接触，使第二端电极与第二引出边接触或不接触，如此控制第一端电极与第一辅助电极电连接与否，控制第二端电极与第二辅助电极电连接与否，能够在制备过程中较为灵活地对多层陶瓷电容器的电容量进行微调，提高多层陶瓷电容器的电容量命中率，从而节约生产成本。

在其中一个实施例中，所述第一内电极自所述第一端面沿所述介质层的表面向所述第二端面延伸，且与所述第二端面之间形成有间隙。

在其中一个实施例中，所述第二内电极自所述第二端面沿所述介质层的表面向所述第一端面延伸，且与所述第一端面之间形成有间隙。

在其中一个实施例中，所述第一辅助电极与所述第二辅助电极形成于不同的介质层的表面。

在其中一个实施例中，所述第一辅助电极在所述第二辅助电极所在的平面的正投影与所述第二辅助电极部分重叠。

在其中一个实施例中，所述内电极还包括第三辅助电极及第四辅助电极，所述第三辅助电极位于所述第一内电极及第二内电极之间，所述第三辅助电极与所述第一侧面及所述第二侧面中的至少一个部分平齐形成第三引出边，所述第三引出边与所述第二端面之间的距离大于所述第一端面和第二端面的距离的一半，所述第三引出边与所述第一端面之间的距离大于所述第一引出边与所述第一端面之间的距离；所述第四辅助电极位于所述第一内电极及第二内电极之间，所述第四辅助电极与所述第一侧面及所述第二侧面中的至少一个部分平齐形成第四引出边，所述第四引出边与所述第二端面之间的间隙大于所述第二引出边与所述第二端面之间的距离，所述第四引出边与所述第一端面之间的距离大于所述第一端面和第二端面的距离的一半。

在其中一个实施例中，所述第一辅助电极、所述第二辅助电极、所述第三辅助电极及所述第四辅助电极形成于不同的介质层的表面。

在其中一个实施例中，所述第一辅助电极、所述第二辅助电极、所述第三辅助电极及所述第四辅助电极形成于同一介质层的表面。

在其中一个实施例中，所述第一辅助电极及所述第二辅助电极形成于同一介质层的表面，所述第一辅助电极与所述第二辅助电极相间隔，所述第一辅助电极及所述第二辅助电极在所述第一侧面的正投影不重叠且相互间隔。

在其中一个实施例中，所述第一辅助电极及所述第二辅助电极形成于同一介质层的表面，所述第一辅助电极与所述第二辅助电极之间形成有间隙，所述第一辅助电极及所述第二辅助电极在所述第一侧面的正投影至少部分重叠。

附图说明

图1为一实施方式的多层陶瓷电容器的结构示意图；

图2为图1的多层陶瓷电容器的部分结构示意图；

图3为图1的多层陶瓷电容器的另一部分结构示意图；

图4为图1的多层陶瓷电容器的另一部分结构示意图；

图5为图1的多层陶瓷电容器的另一部分结构示意图；

图6为图1的多层陶瓷电容器的剖面图；

图7为另一实施方式的多层陶瓷电容器的结构示意图；

图8为图7的多层陶瓷电容器的部分结构示意图；

图9为图7的多层陶瓷电容器的另一部分结构示意图；

图10为图7的多层陶瓷电容器的另一部分结构示意图；

图11为图7的多层陶瓷电容器的另一部分结构示意图；

图12为图7的多层陶瓷电容器的剖面图；

图13为另一实施方式的多层陶瓷电容器的部分结构示意图；

图14为图13的多层陶瓷电容器的剖面图；

图15为另一实施方式的多层陶瓷电容器的部分结构示意图；

图16为图15的多层陶瓷电容器的剖面图；

图17为另一实施方式的多层陶瓷电容器的部分结构示意图；

图18为图17的多层陶瓷电容器的剖面图。

具体实施方式

下面主要结合附图对多层陶瓷电容器作进一步详细的说明。

请同时参阅图1至图6，一实施方式的多层陶瓷电容器100包括陶瓷体110、第一端电极130及第二端电极150。

陶瓷体110为矩形体，在图示的实施方式中，陶瓷体110大致为长方体，当然，在其他实施例中，陶瓷体110还可以为正方体。

陶瓷体110包括多个层叠的介质层112。在图示的实施方式中，介质层112为矩形片状，多个介质层112依次层叠。陶瓷体110具有第一端面113、第二端面114、第一侧面115及第二侧面116。第一端面113与第二端面114相对设置，第一侧面115与第二侧面116相对设置。第一端面113、第二端面114、第一侧面115及第二侧面116均由多个层叠的介质层112的侧面组成，层叠于最上面及最下面的介质层的表面分别为陶瓷体110的顶面(图未标)及底面(图未标)。

相邻的介质层112之间设有内电极。内电极包括第一内电极1171、第二内电极1172、第一辅助电极1173及第二辅助电极1174。第一内电极1171与第二内电极1172交替层叠。在图示的实施方式中，第一辅助电极1173及第二辅助电极1174位于第一内电极及第二内电极1172之间。

在图示的实施方式中，第一内电极1171大致为矩形，自介质层112位于第一端面113的一端沿介质层112的表面向靠近第二端面114的方向延伸，且与第二端面114相间隔。第一内电极1171与第一侧面115及第二侧面116均形成有间隔。第一内电极1171的一端与第一端面113平齐形成引出边。

在图示的实施方式中，第二内电极1172大致为矩形，自介质层112位于第二端面114的一端沿介质层112的表面向靠近第一端面113的方向延伸，且与第一端面113相间隔。第一内电极1171与第一侧面115及第二侧面116均相间隔。第一内电极1171的一端与第二端面114平齐形成引出边。

在图示的实施方式中，第一辅助电极1173大致为t型，形成于介质层112的表面。第一辅助电极1173包括连接部(图未标)及延伸部(图未标)。连接部与第一端面113相间隔，且连接部自第一侧面115延伸至第二侧面116，从而与第一侧面115及第二侧面116平齐形成两个相对的第一引出边。延伸部自连接部远离第一端面113的一侧向第二端面114延伸，且延伸部与第二端面114、第一侧面115及第二侧面116均相间隔。

在图示的实施方式中，第一引出边为两个，在其他实施例中，第一引出边的数量也可以为一个。第一引出边的数量为两个，当第一辅助电极1173通过第一引出边与第一端电极130电连接时，可以增加连接的可靠性。

第一引出边与第二端面114之间的距离大于第一端面113和第二端面114的距离的一半。第二引出边与第一端面113之间的距离大于第一端面113和第二端面114的距离的一半。

第一引出边与第一端面113之间具有第一间距，与第二端面114之间具有第二间距。此处的第一间距指的是第一引出边靠近第一端面113的一端与第一端面113之间的距离，第二间距指的是第二引出边靠近第二端面114的一端与第二端面114之间的距离。

在图示的实施方式中，第二辅助电极1174大致为t型，形成于介质层112的表面。图示的实施方式中，第一辅助电极1173与第二辅助电极1174位于不同的介质层112的表面，且第一辅助电极1173及第二辅助电极1174之间还设有第二内电极1172。当然在其他实施方式中，第一辅助电极1173及第二辅助电极1174之间不限于设有第二内电极1172，也可以设有第一内电极1171，也可以仅仅通过介质层112隔开。

第二辅助电极1174包括连接部(图未标)及延伸部(图未标)。连接部与第二端面114相间隔，且连接部自第一侧面115延伸至第二侧面116，从而与第一侧面115及第二侧面116平齐形成两个相对的第二引出边。延伸部自连接部远离第二端面114的一侧向第一端面113延伸，且延伸部与第一端面113、第一侧面115及第二侧面116均相间隔。

在图示的实施方式中，第二引出边为两个，在其他实施例中，第二引出边的数量也可以为一个。第二引出边的数量为两个，当第二辅助电极1174通过第二引出边与第二端电极150电连接时，可以增加连接的可靠性。

第二引出边与第二端面114之间具有第三间距，与第一端面113之间具有第四间距。此处的第三间距指的是第二引出边靠近第二端面114的一端与第二端面114之间的距离，第四间距指的是第二引出边靠近第一端面113的一端与第一端面113之间的距离。第一间距小于第四间距，第三间距小于第二间距。

在图示的实施方式中，第一辅助电极1173在第二辅助电极1174所在的平面的投影与第二辅助电极1174部分重叠。当然，在其他实施方式中，第一辅助电极1173在第二辅助电极1174所在的平面的投影与第二辅助电极1174也可以完全不重叠。

在图示的实施方式中，第二间距大于第一端面113和第二端面114之间的距离的一半，第四间距大于第一端面113和第二端面114之间的距离的一半。

第一端电极130位于第一端面113。第二端电极150位于第二端面114。在图示的实施方式中，第一端电极130覆盖第一侧面115及第二侧面116的部分表面，第二端电极150覆盖第一侧面115及第二侧面116的部分表面。当然，在图示的实施方式中，第一端电极130及第二端电极150均通过浸渍制备，因此第一端电极130及第二端电极150分别覆盖第一端面113及第二端面114的表面。

第一端电极130通过第一内电极1171与第一端面113形成的引出边与第一内电极1171电连接。第二端电极150通过第二内电极1172与第二端面114形成的引出边与第二内电极1172电连接。

在图示的实施方式中，第一端电极130及第二端电极150在第一侧面115及第二侧面116的延伸距离均小于第一端面113和第二端面114的距离的一半，从而第一端电极130与第二端电极150保持绝缘。

上述多层陶瓷电容器100，通过设置第一辅助电极1173及第二辅助电极1174，第一辅助电极1173与第一侧面115及第二侧面116中的至少一个部分平齐形成第一引出边，第二辅助电极1174与第一侧面115及第二侧面116中的至少一个部分平齐形成第二引出边，第一端电极130位于第一端面113且覆盖第一侧面115及第二侧面116部分表面，第二端电极150位于第二端面114且覆盖第一侧面115及第二侧面116部分表面，如此，通过浸渍法制备端电极时，控制端电极在第一侧面115及第二侧面116延伸的距离，可以使第一端电极130与第一引出边接触或不接触，使第二端电极150与第二引出边接触或不接触，如此控制第一端电极130与第一辅助电极1173电连接与否，控制第二端电极150与第二辅助电极1174电连接与否，能够在制备过程中较为灵活地对多层陶瓷电容器的电容量进行微调，提高多层陶瓷电容器的电容量命中率，从而节约生产成本。

请同时参阅图7～图12，另一实施方式的多层陶瓷电容器200的结构与多层陶瓷电容器100的结构大致相同，其不同在于：多层陶瓷电容器200的陶瓷体210的内电极包括第一辅助电极2173、第二辅助电极2174、第三辅助电极2175及第四辅助电极2176。

图示的实施方式中，第一辅助电极2173、第二辅助电极2174、第三辅助电极2175及第四辅助电极2176位于不同的介质层212的表面，且第一辅助电极2173、第二辅助电极2174、第三辅助电极2175及第四辅助电极2176之间还设有第一内电极2171及第二内电极2172中的至少一个。当然在其他实施方式中，第一辅助电极2173及第二辅助电极2174之间不限于设有第一内电极2171及第二内电极2172中的至少一个，也可以仅仅通过介质层212隔开。

第一辅助电极2173及第二辅助电极2174的结构与多层陶瓷电容器100的第一辅助电极1173及第二辅助电极1174大致相同，在此不作赘述。

在图示的实施方式中，第三辅助电极2175大致为t型，形成于介质层212的表面。第三辅助电极2175包括连接部(图未标)及延伸部(图未标)。连接部与第一端面213相间隔，且连接部自第一侧面215延伸至第二侧面216，从而与第一侧面215及第二侧面216平齐形成两个相对的第三引出边。延伸部自连接部远离第一端面213的一侧向第二端面214延伸，且延伸部与第一端面213、第一侧面215及第二侧面216均相间隔。

在图示的实施方式中，第三引出边为两个，在其他实施例中，第三引出边的数量也可以为一个。第三引出边的数量为两个，当第三辅助电极2175通过第三引出边与第一端电极230电连接时，可以增加连接的可靠性。

第三引出边与第二端面214之间的距离大于第一端面213和第二端面214的距离的一半，第三引出边与第一端面213之间的距离大于第一引出边与第一端面213之间的距离。

第三引出边与第一端面213之间具有第五间距，与第二端面214之间具有第六间距。此处的第五间距指的是第三引出边靠近第一端面213的一端与第一端面213之间的距离，第五间距指的是第三引出边靠近第二端面214的一端与第二端面214之间的距离。

在图示的实施方式中，第三辅助电极2175的连接部在第一辅助电极2173所在的平面的正投影与第一辅助电极2173的连接部不重叠。

在图示的实施方式中，第四辅助电极2176大致为t型，形成于介质层212的表面。

第四辅助电极2176包括连接部(图未标)及延伸部(图未标)。连接部与第二端面214相间隔，且连接部自第一侧面215延伸至第二侧面216，从而与第一侧面215及第二侧面216平齐形成两个相对的第四引出边。延伸部自连接部远离第二端面214的一侧向第一端面213延伸，且延伸部与第一端面213、第一侧面215及第二侧面216均相间隔。

在图示的实施方式中，第四引出边为两个，在其他实施例中，第四引出边的数量也可以为一个。第四引出边的数量为两个，当第四辅助电极2176通过第四引出边与第二端电极250电连接时，可以增加连接的可靠性。

第四引出边与第二端面214之间的间隙大于第二引出边与第二端面214之间的距离，第四引出边与第一端面213之间的距离大于第一端面213和第二端面214的距离的一半。

第四引出边与第二端面214之间具有第七间距，与第一端面213之间具有第八间距。此处的第七间距指的是第四引出边靠近第二端面214的一端与第二端面214之间的距离，第八间距指的是第四引出边靠近第一端面213的一端与第一端面213之间的距离。

在图示的实施方式中，第四辅助电极2176的连接部在第二辅助电极2174所在的平面的正投影与第二辅助电极2174的连接部不重叠。

在图示的实施方式中，第五间距大于第一间距，第五间距小于第四间距及第八间距；第七间距大于第三间距，且第七间距小于第二间距及第六间距。

在图示的实施方式中，第六间距大于第一端面213和第二端面214的距离的一半；第八间距大于第一端面213和第二端面214的距离的一半。

在图示的实施方式中，第一端电极230及第二端电极250在第一侧面215及第二侧面216的延伸距离均小于第一端面213和第二端面214的距离的一半，从而第一端电极230与第二端电极250保持绝缘。

第一端电极230位于第一端面213且覆盖第一侧面215及第二侧面216的部分表面。第二端电极250位于第二端面214且覆盖第一侧面215及第二侧面216的部分表面。当然，在图示的实施方式中，第一端电极230及第二端电极250均通过浸渍制备，因此第一端电极230及第二端电极250分别覆盖第一端面213及第二端面214的表面。因此通过浸渍的深度，可以控制第一端电极230及第二端电极250在第一侧面215及第二侧面216的延伸距离，从而控制第一端电极230与第一辅助电极2173及第三辅助电极2175连接与否，控制第二端电极250与第二辅助电极2174及第四辅助电极2176连接与否，从而对多层陶瓷电容器的电容量进行调整，而无需改变陶瓷体210的结构。

请参阅图13及图14，另一实施方式的多层陶瓷电容器300的结构与多层陶瓷电容器100的结构大致相同，其不同在于：第一辅助电极3173及第二辅助电极3174形成于同一个介质层312的表面。

第一辅助电极3173的延伸部远离第一端面313的一端与第二辅助电极3174的延伸部远离第二端面314的一端之间形成有间隙，从而第一辅助电极3173与第二辅助电极3174相间隔，且第一辅助电极3173与第二辅助电极3174在第一侧面315的正投影不重叠且相互间隔。

请参阅图15及图16，另一实施方式的多层陶瓷电容器400的结构与多层陶瓷电容器100的结构大致相同，其不同在于：第一辅助电极4173及第二辅助电极4174形成于同一个介质层412的表面。

第一辅助电极4173大致为l型，包括连接部及延伸部。连接部自第一侧面415向第二侧面416延伸，且与第二侧面416相间隔。延伸部自连接部远离第一侧面415的一端垂直弯折延伸，且末端与第二端面414相间隔。

第二辅助电极4174的形状与第一辅助电极4173大致相同，且位于第一辅助电极4173的延伸部靠近第一侧面415的一侧。第二辅助电极4174大致为l型，包括连接部及延伸部。第二辅助电极4174的延伸部的末端与第一辅助电极4173的延伸部的末端平齐。

第一辅助电极4173及第二辅助电极4174在第一侧面415的正投影部分重叠。

请参阅图17及图18，另一实施方式的多层陶瓷电容器500的结构与多层陶瓷电容器200的结构大致相同，其不同在于：第一辅助电极5173、第二辅助电极5174、第三辅助电极5175及第四辅助电极5176均位于同一个介质层512的表面。

第一辅助电极5173、第二辅助电极5174、第三辅助电极5175及第四辅助电极5176均位于同一个介质层的表面，且相互不重叠。

在图示的实施方式中，第一辅助电极5173、第二辅助电极5174、第三辅助电极5175及第四辅助电极5176均为l型，第一引出边、第二引出边、第三引出边及第四引出边均为一个。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。