技术特征：
技术总结
一种半导体器件及其形成方法，方法包括：在第一栅极结构的侧壁、以及第二区上形成第一侧墙膜；在第一区和第二区的第一侧墙膜表面、以及隔离结构上形成第一平坦层，第一区第一平坦层的整个顶部表面低于第一鳍部的顶部表面；在第一平坦层表面、暴露出的第一侧墙膜表面、以及第一鳍部和第一栅极结构上形成第一填充层，第一区第一填充层的整个表面高于第一栅极结构的顶部表面，第一填充层的硬度大于第一平坦层的硬度；在第二区的第一填充层表面形成第一光刻胶层，第一光刻胶层暴露出第一区的第一填充层；以第一光刻胶层为掩膜刻蚀第一填充层、第一鳍部和第一平坦层，在第一鳍部中形成第一凹陷。所述方法提高了半导体器件的性能。
技术研发人员：李勇
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
技术研发日：2017.06.19
技术公布日：2019.01.04