技术特征：
技术总结
本发明公开一种量子点发光二极管器件及其制备方法，其中，方法包括步骤：通过H等离子对沉积在阳极基板上的第一功能层进行处理，使所述第一功能层中的溶质成分发生交联；之后在交联后的第一功能层中依次沉积量子点发光层、第二功能层和阴极层，并分别对所述量子点发光层和第二功能层进行交联处理，从而制备出量子点发光二极管；本发明提供的量子点发光二极管器件的制备方法不需要考虑功能层和量子点发光层之间溶剂的正交性问题，极大地扩展了QLED等光电器件的材料选择和工艺过程；并且本发明方法不会改变交联基团的性质，也不会产生副产物，极大地提高了QLED器件的稳定性和使用寿命以及发光效率。
技术研发人员：向超宇;钱磊;曹蔚然;杨一行
受保护的技术使用者：TCL集团股份有限公司
技术研发日：2017.06.19
技术公布日：2019.01.04