技术特征：
技术总结
一种含氮材料选择性蚀刻方法，供选择性自由基组成部分蚀刻暴露出的含氮材料。此方法包括将一基板设置于一蚀刻处理区域，在一等离子体区域产生一等离子体，将等离子体的含有自由基的组成部分流至蚀刻处理区域并实质上将等离子体的带电荷离子排除在蚀刻处理区域之外，使一未激发气体流入蚀刻处理区域，且以等离子体的含有自由基的组成部分及未激发气体的反应生成物蚀刻暴露出的含氮材料。
技术研发人员：邱意为;吴孟娟;翁子展
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2017.06.27
技术公布日：2018.05.25