技术特征：
技术总结
本公开案提供通过在金属与半导体之间的界面插入V族或III族原子单层，或插入各自由单层形成的双层，或插入多个所述双层，减少金属‑半导体(IV族)结的比接触电阻的技术。所得的低比电阻金属‑IV族半导体结应用为半导体设备中的低电阻电极，所述半导体设备包括电子设备(例如晶体管、二极管等)和光电设备(例如激光器、太阳能电池、光电探测器等)，及/或应用为场效应晶体管(FET)中的金属源区及/或金属漏区(或者所述金属源区及/或金属漏区的一部分)。III族原子单层和V族原子单层主要为有序的原子层，所述原子层形成于IV族半导体的表面并与IV族半导体的表面原子化学结合。
技术研发人员：沃尔特·A·哈里森;保罗·A·克利夫顿;安德烈亚斯·戈贝尔;R·斯托克顿·盖恩斯
受保护的技术使用者：阿科恩科技公司
技术研发日：2012.10.18
技术公布日：2018.01.12