发光二极管芯片、阵列基板和显示装置的制作方法

本发明的实施例涉及一种发光二极管芯片、阵列基板和显示装置。

背景技术：

随着显示技术的不断发展，led(lightemittingdiode)显示器由于其亮度高、色彩艳丽、寿命长、功耗低等优点成为显示技术领域新的研究热点。led显示器可广泛应用于大型广场、商业广告、体育场馆、信息传播、新闻发布、证券交易等，可以满足不同环境的需要。

技术实现要素：

本发明实施例提供一种发光二极管芯片、阵列基板和显示装置。该发光二极管芯片通过设置在第一子发光单元和第二子发光单元同时发出不同颜色的光，从而可提高使用该发光二极管芯片的显示装置的分辨率。另外，由于该发光二极管芯片可相当于两个单色发光二极管芯片，因此该发光二极管芯片的生产效率较高，生产成本较低。

本发明至少一个实施例提供一种发光二极管芯片，其包括：衬底；第一子发光单元，设置在所述衬底上；以及第二子发光单元，设置在所述第一子发光单元远离所述衬底的一侧，所述第一子发光单元包括沿远离所述衬底的方向依次设置的第一导电类型的第一半导体层、第一发光层和第二导电类型的第二半导体层，所述第二子发光单元包括沿远离所述衬底的方向依次设置的所述第二半导体层、第二发光层和第一导电类型的第三半导体层。

在本发明一实施例提供的发光二极管芯片中，所述第二发光层在所述衬底上的正投影在所述第一发光层位于所述衬底上的正投影内。

本发明一实施例提供的发光二极管芯片还包括：第三子发光单元，设置在所述第二子发光单元远离所述衬底的一侧，其中，所述第三子发光单元包括沿远离所述衬底的方向依次设置的所述第三半导体层，第三发光层和第二导电类型的第四半导体层。

在本发明一实施例提供的发光二极管芯片中，所述第一半导体层包括第一重叠区域和第一暴露区域，所述第一发光层和所述第二半导体层设置在所述第一重叠区域中，所述第二半导体层包括第二重叠区域和第二暴露区域，所述第二发光层和所述第三半导体层设置在所述第二重叠区域中，所述发光二极管芯片还包括：第一电极，与所述第一半导体层电性相连并设置在所述第一暴露区域，第二电极，与所述第二半导体层电性相连并设置在所述第二暴露区域，以及第三电极，与所述第三半导体层电性相连。

在本发明一实施例提供的发光二极管芯片中，所述第三电极完全覆盖所述第三半导体层远离所述衬底的表面，所述第三电极的材料包括反光材料。

在本发明一实施例提供的发光二极管芯片中，所述第一半导体层包括第一重叠区域和第一暴露区域，所述第一发光层和所述第二半导体层设置在所述第一重叠区域中，所述第二半导体层包括第二重叠区域和第二暴露区域，所述第二发光层和所述第三半导体层设置在所述第二重叠区域中，所述第三半导体层包括第三重叠区域和第三暴露区域，所述第三发光层和所述第四半导体层设置在所述第三重叠区域中，所述发光二极管芯片还包括：第一电极，与所述第一半导体层电性相连并设置在所述第一暴露区域；第二电极，与所述第二半导体层电性相连并设置在所述第二暴露区域；第三电极，与所述第三半导体层电性相连并设置在所述第三暴露区域；以及第四电极，与所述第四半导体层电性相连。

在本发明一实施例提供的发光二极管芯片中，所述第四电极完全覆盖所述第四半导体层远离所述衬底的表面，所述第四电极的材料包括反光材料。

在本发明一实施例提供的发光二极管芯片中，所述第一半导体层、所述第二半导体层和所述第三半导体层的材料包括gan基半导体材料。

本发明至少一个实施例提供一种阵列基板，其包括：基板；以及多个像素，设置在所述基板上，各所述像素包括发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括第一子发光单元、以及设置在所述第一子发光单元靠近所述基板的一侧的第二子发光单元，所述第一子发光单元包括沿靠近所述基板的方向依次设置的第一导电类型的第一半导体层、第一发光层和第二导电类型的第二半导体层，第二子发光单元包括沿靠近所述基板的方向依次设置的所述第二半导体层，第二发光层和第一导电类型的第三半导体层。

在本发明一实施例提供的阵列基板中，各所述发光二极管芯片还包括：第三子发光单元，设置在所述第二子发光单元靠近所述基板的一侧，所述第三子发光单元包括沿靠近所述基板的方向依次设置的所述第三半导体层，第三发光层和第二导电类型的第四半导体层。

在本发明一实施例提供的阵列基板中，各所述像素还包括：单色发光二极管芯片。

在本发明一实施例提供的阵列基板中，所述发光二极管芯片还包括衬底，所述衬底设置在所述发光二极管芯片远离所述基板的一侧。

在本发明一实施例提供的阵列基板中，各所述发光二极管芯片还包括：第一电极、第二电极和第三电极，所述第一电极被配置为与所述第一半导体层电性相连，所述第一半导体层包括第一重叠区域和第一暴露区域，所述第一发光层和所述第二半导体层设置在所述第一重叠区域中，所述第一电极设置在所述第一暴露区域，所述第二电极被配置为与所述第二半导体层电性相连，所述第二半导体层包括第二重叠区域和第二暴露区域，所述第二发光层和所述第三半导体层设置在所述第二重叠区域中，所述第二电极设置在所述第二暴露区域，所述第三电极被配置为与所述第三半导体层电性相连，所述阵列基板还包括：第一接触电极，设置在所述基板靠近所述发光二极管芯片的一侧，并与所述第一电极接触设置；第二接触电极，设置在所述基板靠近所述发光二极管芯片的一侧，并与所述第二电极接触设置；以及第三接触电极，设置在所述基板靠近所述发光二极管芯片的一侧，并与所述第三电极接触设置。

在本发明一实施例提供的阵列基板中，各所述发光二极管芯片还包括：第一电极、第二电极、第三电极和第四电极，所述第一电极被配置为与所述第一半导体层电性相连，所述第一半导体层包括第一重叠区域和第一暴露区域，所述第一发光层和所述第二半导体层设置在所述第一重叠区域中，所述第一电极设置在所述第一暴露区域，所述第二电极被配置为与所述第二半导体层电性相连，所述第二半导体层包括第二重叠区域和第二暴露区域，所述第二发光层和所述第三半导体层设置在所述第二重叠区域中，所述第二电极设置在所述第二暴露区域；第三电极被配置为与所述第三半导体层电性相连，所述第三半导体层包括第三重叠区域和第三暴露区域，所述第三发光层和所述第四半导体层设置在所述第三重叠区域中，所述第三电极设置在所述第三暴露区域，所述第四电极被配置为与所述第四半导体层电性相连，所述阵列基板还包括：第一接触电极，设置在所述基板靠近所述发光二极管芯片的一侧，并与所述第一电极接触设置；第二接触电极，设置在所述基板靠近所述发光二极管芯片的一侧，并与所述第二电极接触设置；第三接触电极，设置在所述基板靠近所述发光二极管芯片的一侧，并与所述第三电极接触设置；以及第四接触电极，设置在所述基板靠近所述发光二极管芯片的一侧，并与所述第四电极接触设置。

本发明至少一个实施例提供一种显示装置，其包括上述任一项所描述的阵列基板。

附图说明

为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。

图1为本发明一实施例提供的一种发光二极管芯片的结构示意图；

图2为本发明一实施例提供的另一种发光二极管芯片的结构示意图；

图3为本发明一实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；

图4为本发明一实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；

图5为本发明一实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图。

具体实施方式

为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。

led(lightemittingdiode)显示器具有亮度高、色彩艳丽、寿命长、功耗低等优点。然而，随着人们对于高分辨率的不断追求，通常的led显示器无法满足高分辨率的需求。另外，通常的led全彩显示器中的子像素均需要单独划片裂片，然后用真空吸嘴将其放置于基板上的对应位置处进行贴附。因此，通常的led显示器的生产效率较低，生产成本较高。

因此，本发明实施例提供一种发光二极管芯片、阵列基板和显示装置。该发光二极管芯片包括衬底、设置在衬底上的第一子发光单元以及设置在第一子发光单元远离衬底的一侧的第二子发光单元；第一子发光单元包括沿远离衬底的方向依次设置的第一导电类型的第一半导体层、第一发光层和第二导电类型的第二半导体层；第二子发光单元包括沿远离衬底的方向依次设置的第二半导体层、第二发光层以及第一导电类型的第三半导体层。由此，该发光二极管芯片通过设置在第一子发光单元和第二子发光单元同时发出不同颜色的光，从而可提高使用该发光二极管芯片的显示装置的分辨率。另外，由于该发光二极管芯片可相当于两个单色发光二极管芯片，因此该发光二极管芯片的生产效率较高，生产成本较低。

下面，结合附图对本发明实施例提供的发光二极管芯片、阵列基板和显示装置进行说明。

本公开至少一个实施例提供一种发光二极管芯片。图1为根据本实施例的一种发光二极管芯片。如图1所示，该发光二极管芯片包括衬底101、第一子发光单元141和第二子发光单元142。第一子发光单元141设置在衬底101上，第二子发光单元142设置在第一子发光单元141远离衬底101的一侧；第一子发光单元141包括沿远离衬底101的方向依次设置的第一导电类型的第一半导体层121、第一发光层111和第二导电类型的第二半导体层122；第二子发光单元142包括沿远离衬底101的方向依次设置的上述的第二导电类型的第二半导体层122、第二发光层112和第一导电类型的第三半导体层123；第一子发光单元141和第二子发光单元142共用上述的第二导电类型的第二半导体层122。

在本实施例提供的发光二极管芯片中，第一子发光单元和第二子发光单元可同时发出不同颜色的光线，例如，第一子发光单元可发出蓝光，第二子发光单元可发出绿光。由此，该发光二极管芯片可通过控制第一发光单元的发光强度和第二发光单元的发光强度以使发光二极管芯片发出两种色光的混合光，并且，第一子发光单元和第二子发光单元的发光强度可独立进行控制，可以起到了两个单色发光二极管芯片的作用。当该发光二极管芯片应用于led显示装置时，可降低每个像素占用的面积，从而可提高该led显示装置的分辨率。例如，当本实施例提供的发光二极管芯片的第一子发光单元发出蓝光，第二子发光单元发出绿光时，可额外设置一个发红光的单色发光二极管芯片与本实施例提供的发光二极管芯片构成一个像素，以实现全彩显示。相对于三个单色发光二极管芯片构成的像素，显然，采用本实施例提供的发光二极管芯片的led显示装置的像素占用的面积减少了。另外，由于该发光二极管芯片可相当于两个单色发光二极管芯片，因此该发光二极管芯片的生产效率较高，生产成本较低。

值得注意的是，本实施例的发光二极管芯片中的第一子发光单元和第二子发光单元也可发出同样颜色的光，从而提高该发光二极管芯片的出光的色彩纯度或亮度。

例如，第一导电类型可以为掺有第一杂质的n型，相应地，第二导电类型可以为掺有第二杂质的p型；或者第一导电类型为掺有第二杂质的p型，相应地，第二导电类型可以为掺有第一杂质的n型。例如，第一杂质为施主杂质，第二杂质为受主杂质，根据所使用的半导体材料，第一杂质和第二杂质可以为不同的元素，例如对于gan半导体，第一杂质可以为硅(si)元素，第二杂质可以为镁(mg)元素。

例如，衬底101的材料可包括蓝宝石、硅、或碳化硅等。当然，衬底也可采用砷化镓(gaas)、铝酸锂(lialo2)、氮化铝(aln)或氮化镓(gan)等材料，又或者，衬底还可以为各种外延晶片等，本实施例对此不做限制。

例如，第一半导体层121、第二半导体层122和第三半导体层123的材料可为氮化镓基半导体材料，例如氮化镓(gan)、氮化铟镓(ingan)或氮化铝铟镓(alingan)。

例如，第一发光层111可为发射波长为蓝光波段的量子阱，第二发光层112可为发射波长为绿光波段的量子阱；或者，第一发光层111可为发射波长为蓝光波段的量子阱，第二发光层112可为发射波长为绿光波段的量子阱。量子阱的材料可包括氮化铟镓(ingan)或氮化铝铟镓(alingan)。

在一些示例中，如图1所示，第二发光层112在衬底101上的正投影位于第一发光层111在衬底101的正投影内。因此，可减少该发光二极管芯片占用的面积。

在一些示例中，如图1所示，第一半导体层121包括第一重叠区域1210和第一暴露区域1211，第一发光层111和第二半导体层122设置在第一重叠区域1210中；第二半导体层122包括第二重叠区域1220和第二暴露区域1221，第二发光层112和第三半导体层123设置在第二重叠区域1220。此时，该发光二极管芯片还包括第一电极131、第二电极132和第三电极133；第一电极131设置在第一暴露区域1211并与第一半导体层121电性相连，从而为第一半导体层121施加电压；第二电极132设置在第二暴露区域1221并与第二半导体层122电性相连，从而为第二半导体层122施加电压；第三电极133与第三半导体层123电性相连，从而为第三半导体层123施加电压。由此，第一发光层111可在第一电极131上的电压或电流和第二电极132上的电压或电流的驱动下进行发光，并且可通过控制第一电极131上的电压或电流和第二电极132上的电压或电流的大小来控制第一发光层111的发光强度。第二发光层112可在第二电极132上的电压或电流和第三电极133上的电压或电流的驱动下进行发光，并且可通过控制第二电极132上的电压或电流和第三电极133上的电压或电流的大小来控制第二发光层112的发光强度。

在一些示例中，第三电极133完全覆盖第三半导体层123远离衬底101的表面，第三电极133的材料包括反光材料。由此，第三电极133可将第一子发光单元141和第二子发光单元142发出的光向衬底101反射。

在一些示例中，如图1所示，该发光二极管芯片还包括第一缓冲层102和第二缓冲层103，缓冲层102设置在第一半导体层121靠近衬底101的一侧。第二缓冲层103设置在第一缓冲层102和第一半导体层121之间。

例如，第一缓冲层102和第二缓冲层103的材料为透明材料。第一缓冲层102和第二缓冲层103可以为由氮化铝(aln)或氮化镓(gan)等形成的低温成核层，第一缓冲层102例如可以为低温gan层，第二缓冲层103例如可以为非掺杂gan层。第一缓冲层102和第二缓冲层103可以减轻衬底101和发光叠层之间的晶格不匹配，降低晶格失配引起的晶体缺陷，降低错位密度，提高发光叠层的质量，同时还可以防止降温过程中发光叠层的龟裂等。

需要说明的是，如果衬底101具有接近第一半导体层121的晶格常数，则可以不设置第一缓冲层102和第二缓冲层103。例如，若衬底101的材料为gan，第一半导体层121的材料为掺杂的gan时，gan衬底为同质衬底，可以避免晶格失配以及热膨胀失配等引起的应力、缺陷或龟裂的问题，从而可以不设置缓冲层。

例如，第一缓冲层102和第二缓冲层103可以采用金属有机化学气相沉积法(mocvd)、氢化物气相外延法(hvpe)、分子束外延(mbe)、金属有机气相外延法(movpe)或卤化物化学气相沉积法(hcvd)等方法沉积形成。

图2示出了根据本实施例的另一种发光二极管芯片。如图2所示，该发光二极管芯片还包括第三子发光单元143。第三子发光单元143设置在第二子发光单元142远离所述衬底101的一侧，第三子发光单元143包括沿远离衬底101的方向依次设置的第三半导体层123，第三发光层113和第二导电类型的第四半导体层124。第二子发光单元142和第三子发光单元143共用上述的第一导电类型的第三半导体层123。在该发光二极管芯片中，第一子发单元、第二子发光单元和第三子发光单元可同时发出不同颜色的光线，例如，第一子发光单元可发出蓝光，第二子发光单元可发出绿光，第三子发光单元可发出红光。由此，该发光二极管芯片可同时发出三种不同的颜色的光，并且，第一子发光单元、第二子发光单元和第三子发光单元的发光强度可独立进行控制，起到了三个单色发光二极管芯片的作用。当该发光二极管芯片应用于led显示装置时，可进一步降低每个像素占用的面积，从而可提高该led显示装置的分辨率。例如，当本实施例提供的发光二极管芯片的第一子发光单元发出蓝光，第二子发光单元发出绿光，第三子发光单元发出红光时，可独自构成一个像素，以实现全彩显示。相对于三个单色发光二极管芯片构成的像素，显然，采用本实施例提供的发光二极管芯片的led显示装置的像素占用的面积大大地减少了。另外，由于该发光二极管芯片可相当于三个单色发光二极管芯片，因此该发光二极管芯片的生产效率较高，生产成本较低。

值得注意的是，本实施例的发光二极管芯片中的第一子发光单元、第二子发光单元和第三子发光单元也可发出同样颜色的光，从而提高该发光二极管芯片的出光的色彩纯度或亮度。

在一些示例中，如图2所示，第一半导体层121包括第一重叠区域1210和第一暴露区域1211，第一发光层111和第二半导体层122设置在第一重叠区域1210中；第二半导体层122包括第二重叠区域1220和第二暴露区域1221，第二发光层112和第三半导体层123设置在第二重叠区域1220；第三半导体层123包括第三重叠区域1230和第三暴露区域1231，第三发光层113和第四半导体层124设置在第三重叠区域1230。此时，该发光二极管芯片还包括第一电极131、第二电极132、第三电极133和第四电极134；第一电极131设置在第一暴露区域1211并与第一半导体层121电性相连，从而为第一半导体层121施加电压；第二电极132设置在第二暴露区域1221并与第二半导体层122电性相连，从而为第二半导体层122施加电压；第三电极133与第三半导体层123电性相连并设置在第三暴露区域1231，从而为第三半导体层123施加电压；第四电极134与第四半导体层124电性相连，从而为第四半导体层124施加电压。由此，第一发光层111可在第一电极131上的电压或电流和第二电极132上的电压或电流的驱动下进行发光，并且可通过控制第一电极131上的电压或电流和第二电极132上的电压或电流的大小来控制第一发光层111的发光强度。第二发光层112可在第二电极132上的电压或电流和第三电极133上的电压或电流的驱动下进行发光，并且可通过控制第二电极132上的电压或电流和第三电极133上的电压或电流的大小来控制第二发光层112的发光强度。第三发光层112可在第三电极133上的电压或电流和第四电极134上的电压或电流的驱动下进行发光，并且可通过控制第三电极133上的电压或电流和第四电极134上的电压或电流的大小来控制第三发光层113的发光强度。

在一些示例中，第四电极134完全覆盖第四半导体层124远离衬底101的表面，第四电极134的材料包括反光材料。由此，第四电极134可将第一子发光单元141、第二子发光单元142和第三子发光单元143发出的光向衬底101反射。

本发明至少一个实施例还提供一种阵列基板。图3示出了根据本实施例的一种阵列基板。如图3所示，该阵列基板包括基板210和设置在基板210上的多个像素220。各像素220包括上述实施例中任一项所描述的发光二极管芯片100。

在一些示例中，发光二极管芯片100可采用图1示出的结构，包括衬底101、第一子发光单元141和第二子发光单元142。第一子发光单元141设置在衬底101上，第二子发光单元142设置在第一子发光单元141远离衬底101的一侧；第一子发光单元141包括依次设置的第一导电类型的第一半导体层121、第一发光层111和第二导电类型的第二半导体层122；第二子发光单元142包括上述的第二导电类型的第二半导体层122、第二发光层112和第一导电类型的第三半导体层123；第一子发光单元141和第二子发光单元142共用上述的第二导电类型的第二半导体层122。

在本实施例提供的阵列基板中，第一子发单元和第二子发光单元可同时发出不同颜色的光线，例如，第一子发光单元可发出蓝光，第二子发光单元可发出绿光。由此，该发光二极管芯片可通过控制第一发光单元的发光强度和第二发光单元的发光强度以使发光二极管芯片发出两种色光的混合光，并且，第一子发光单元和第二子发光单元的发光强度可独立进行控制，起到了两个单色发光二极管芯片的作用。因此该阵列基板可降低每个像素占用的面积，从而可提高采用该阵列基板的led显示装置的分辨率。另外，由于该发光二极管芯片可相当于两个单色发光二极管芯片，因此该阵列基板的生产效率较高，生产成本较低。

值得注意的是，衬底101也可在基板210上完成倒装发光二极管芯片100之后去除。也就是说，发光二极管芯片包括第一子发光单元、以及设置在第一子发光单元靠近基板的一侧的第二子发光单元，第一子发光单元包括沿靠近基板的方向依次设置的第一导电类型的第一半导体层、第一发光层和第二导电类型的第二半导体层，第二子发光单元包括沿靠近基板的方向依次设置的第二半导体层，第二发光层和第一导电类型的第三半导体层。

例如，基板210可以为透明绝缘基板或者金属基板，透明绝缘基板例如可以包括玻璃基板、石英基板、陶瓷基板或其他合适的基板；金属基板例如可以包括铜基覆铜板、铝基覆铜板或铁基覆铜板等。

在一些示例中，各像素220还包括单色发光二极管芯片230。例如，当发光二极管芯片100的第一子发光单元发出蓝光，第二子发光单元发出绿光时，可额外设置一个发红光的单色发光二极管芯片230与发光二极管芯片100构成一个像素220，以实现全彩显示。

在一些示例中，发光二极管芯片100采用倒装方式设置在基板100上。也就是说，发光二极管芯片100的衬底设置在发光二极管芯片远离基板210的一侧。例如，上述的倒装方式可采用倒装焊、共晶焊、超声热压焊、导电胶粘接或其它焊接技术。倒装焊接例如可以采用凸点焊接技术。

在一些示例中，发光二极管芯片100的第一半导体层包括第一重叠区域和第一暴露区域，第一发光层和第二半导体层设置在第一重叠区域中；第二半导体层包括第二重叠区域和第二暴露区域，第二发光层和第三半导体层设置在第二重叠区域。该发光二极管芯片还包括第一电极、第二电极和第三电极；第一电极设置在第一暴露区域并与第一半导体层电性相连，从而为第一半导体层施加电压；第二电极设置在第二暴露区域并与第二半导体层电性相连，从而为第二半导体层施加电压；第三电极与第三半导体层电性相连，从而为第三半导体层施加电压。具体结构可参见图1所示的发光二极管芯片。此时，如图3所示，该阵列基板还包括：第一接触电极241、第二接触电极242和第三接触电极243。第一接触电极241设置在基板210靠近发光二极管芯片100的一侧并与第一电极131接触设置；第二接触电极242设置在基板210靠近发光二极管芯片100的一侧并与第二电极132接触设置；第三接触电极243设置在基板210靠近发光二极管芯片100的一侧并与第三电极133接触设置。例如，第一接触电极241可通过导电金属球与第一电极131接触设置，第二接触电极242通过导电金属球与第二电极132接触设置，第三接触电极243也可通过导电金属球与第三电极133接触设置。由此，可通过设置在基板上的第一接触电极、第二接触电极和第三接触电极来驱动发光二极管芯片。

例如，导电金属球的材料可包括银、金、铜等金属。

当然，本发明实施例包括但不限于此，第一接触电极241可通过导电凸点与第一电极131接触设置，第二接触电极242通过导电凸点与第二电极132接触设置，第三接触电极243也可通过导电凸点与第三电极133接触设置。

在一些示例中，如图3所示，阵列基板还包括第五接触电极251和第六接触电极252，分别与单色发光二极管芯片230相连，以驱动单色发光二极管芯片230发光。

图4示出了根据本实施例的另一种阵列基板。如图4所示，该阵列基板包括多个像素220，像素220包括图1示出的发光二极管芯片100和单色发光二极管芯片230。

图5示出了根据本实施例的另一种阵列基板。如图5所示，发光二极管芯片100可采用图2示出的结构，包括衬底、第一子发光单元、第二子发光单元和第三子发光单元。第一子发光单元设置在衬底上，第二子发光单元设置在第一子发光单元远离衬底的一侧；第一子发光单元包括依次设置的第一导电类型的第一半导体层、第一发光层和第二导电类型的第二半导体层；第二子发光单元包括上述的第二导电类型的第二半导体层、第二发光层和第一导电类型的第三半导体层；第一子发光单元和第二子发光单元共用上述的第二导电类型的第二半导体层。第三子发光单元设置在第二子发光单元远离所述衬底的一侧，第三子发光单元包括依次设置的第三半导体层，第三发光层和第二导电类型的第四半导体层。第二子发光单元和第三子发光单元共用上述的第一导电类型的第三半导体层。具体可参见图2的相关描述。

在该阵列基板中，第一子发单元、第二子发光单元和第三子发光单元可同时发出不同颜色的光线，例如，第一子发光单元可发出蓝光，第二子发光单元可发出绿光，第三子发光单元可发出红光。由此，该发光二极管芯片可通过控制第一发光单元的发光强度、第二发光单元的发光强度和第三发光单元的发光强度以发出三种色光的混合光并可实现全彩显示，并且，第一子发光单元、第二子发光单元和第三子发光单元的发光强度可独立进行控制，起到了三个单色发光二极管芯片的作用。此时，当该阵列基板应用于led显示装置时，可进一步降低每个像素占用的面积，从而可提高该led显示装置的分辨率。另外，由于该发光二极管芯片可相当于三个单色发光二极管芯片，因此该阵列基板的生产效率较高，生产成本较低。

值得注意的是，衬底101也可在基板210上完成倒装发光二极管芯片100之后去除。也就是说，发光二极管芯片还包括：第三子发光单元，设置在第二子发光单元靠近基板的一侧，第三子发光单元包括沿靠近基板的方向依次设置的第三半导体层，第三发光层和第二导电类型的第四半导体层。

在一些示例中，发光二极管芯片还包括：第一电极、第二电极、第三电极和第四电极，第一电极被配置为与第一半导体层电性相连，第一半导体层包括第一重叠区域和第一暴露区域，第一发光层和第二半导体层设置在第一重叠区域中，第一电极设置在第一暴露区域，第二电极被配置为与第二半导体层电性相连，第二半导体层包括第二重叠区域和第二暴露区域，第二发光层和第三半导体层设置在第二重叠区域中，第二电极设置在第二暴露区域；第三电极被配置为与第三半导体层电性相连，第三半导体层包括第三重叠区域和第三暴露区域，第三发光层和第四半导体层设置在第三重叠区域中，第三电极设置在第三暴露区域，第四电极与第四半导体层电性相连。此时，如图5所示，该阵列基板还包括：第一接触电极241、第二接触电极242、第三接触电极243和第四接触电极244。第一接触电极241设置在基板210靠近发光二极管芯片100的一侧并与第一电极131接触设置；第二接触电极242设置在基板210靠近发光二极管芯片100的一侧并与第二电极132接触设置；第三接触电极243设置在基板210靠近发光二极管芯片100的一侧并与第三电极133接触设置；第四接触电极244设置在基板210靠近发光二极管芯片100的一侧并与第四电极134接触设置。例如，第一接触电极241可通过导电金属球与第一电极131接触设置，第二接触电极242通过导电金属球与第二电极132接触设置，第三接触电极243也可通过导电金属球与第三电极133接触设置，第四接触电极244可通过导电金属球与第四电极134接触设置。由此，可通过设置在基板上的第一接触电极、第二接触电极、第三接触电极和第四接触电极来驱动发光二极管芯片。

本发明至少一个实施例还提供一种显示装置。该显示装置包括上述任一项所描述的阵列基板。由于该显示装置采用了具有可同时发光的第一子发单元和第二子发光单元的发光二极管芯片，或具有可同时发光的第一子发单元、第二子发光单元和第三子发光单元的发光二极管芯片，该显示装置时，可降低每个像素占用的面积，从而可提高该显示装置的分辨率。另外，由于该发光二极管芯片可相当于两个或三个单色发光二极管芯片，因此显示装置的生产效率较高，生产成本较低。

例如，本实施例的显示装置可以应用于电视、数码相机、手机、手表、平板电脑、笔记本电脑、导航仪等任何具有显示功能的产品或者部件。又例如，本实施例的led装置还可以应用于景观装饰、室外显示屏、广告演示牌、标识指示或照明等。

有以下几点需要说明：

(1)本发明实施例附图中，只涉及到与本发明实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。

(2)在不冲突的情况下，本发明同一实施例及不同实施例中的特征可以相互组合。

以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。