一种硅片光刻版工艺的制作方法

本申请属于gpp生产技术领域，具体地说，涉及一种硅片光刻版工艺。

背景技术：

gpp是glassivationpassivationparts的缩写，是玻璃钝化类器件的统称。该产品就是在现有产品普通硅整流扩散片的基础上对拟分割的管芯p/n结面四周烧制一层玻璃，玻璃与单晶硅有很好的结合特性，使p/n结获得最佳的保护，免受外界环境的侵扰，提高器件的稳定性，信赖性极佳。也因此gpp在电子领域的应用越来越广泛。相应的gpp生产工艺，越来越受到行业内的关注，如何更有效、更快速、更高品质的生产gpp成为一个课题。光刻版工艺目的是在硅片上光刻出相应的图形，便于后续按此图形进行沟槽腐蚀。光刻工艺后续需要采用打砂工艺进行氧化层的去除。目前常用的光刻版工艺n面的划片基准线图形是黑方块白线条，该光刻工艺一般后续采用单面打砂的方式去除氧化层，若使用湿法去除氧化层，则不可避免两面同时侵液去除氧化层，则n面基准线处的氧化层会一起被去除掉，使得后续划片时无线可依。

技术实现要素：

有鉴于此，本申请所要解决的技术问题是提供了一种硅片光刻版工艺来实现玻璃钝化，能够采用湿法去除氧化层，且保留清晰基准线，使得后道划片切割时有轨迹可循。

为了解决上述技术问题，本申请公开了一种硅片光刻版工艺，并采用以下技术方案来实现：

一种硅片光刻版工艺，步骤包括：s1、对硅片进行光刻；s2、对光刻后的硅片进行沟槽腐蚀；s3、对沟槽腐蚀后的硅片进行电泳，生成钝化层；s4、去除氧化层；s5、对硅片表面镀金；s6、划片；进行所述s1步骤时采用白方块点划线式基准线；进行所述s2步骤时腐蚀出点划线式基准线。

进一步的，所述s1光刻时所述硅片两面均采用白方块点划线式基准线。

进一步的，所述s1光刻时所述硅片n面采用白方块点划线式基准线。

进一步的，所述s1中光刻时p面图形采用白方块黑线条。

进一步的，所述s4采用湿法刻蚀去除氧化层。

进一步的，所述湿法刻蚀去除氧化层具体为湿法boe去除氧化层。

一种光刻版硅片，所述硅片两面均设有点划线式基准线。

一种光刻版硅片，所述硅片n面设有点划线式基准线。

一种光刻版硅片，所述硅片p面设有点划线式基准线。

与现有技术光刻工艺相比，本申请可以获得包括以下技术效果：可以采用湿法去除氧化层，且保留n面清晰的划片基准线，便于后续切割时有轨迹可依；湿法去除氧化层不仅可以降低生产成本，还可以批处理高产出，提高gpp生产效率；光刻工序减少了涂背胶的步骤，缩短了流程，降低了化工料的损耗。

当然，实施本申请的任一产品必不一定需要同时达到以上所述的所有技术效果。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1是本申请p面光刻图形。

图2是本申请镀金后p面图形。

图3是本申请n面光刻图形。

图4是本申请镀金后n面图形。

具体实施方式

以下将配合附图及实施例来详细说明本申请的实施方式，藉此对本申请如何应用技术手段来解决技术问题并达成技术功效的实现过程能充分理解并据以实施。

一种硅片光刻版工艺，主要步骤包括：s1、对硅片进行光刻；s2、对光刻后的硅片进行沟槽腐蚀；s3、对沟槽腐蚀后的硅片进行电泳，生成钝化层；s4、采用湿法刻蚀去除氧化层；s5、对硅片表面镀金；s6、划片。

其中s1的光刻工艺p、n两面均采用“回”字对版标记，实际在s1光刻时是使用“口”字的，如图1所示。在步骤s2腐蚀时“口”字的边沿被腐蚀出痕迹，呈现“回”字对版标记，如图2所示。对版标记用于对版，故p、n两面的对版标记在位置上重叠，原来的“十”字对版标记在腐蚀时，由于p、n两面均存在横向和纵向的多重腐蚀，很容易造成硅片的腐蚀击穿，即使没有击穿，也会因为对版标记处的硅片过薄而不良，“回”字对版标记则可以避免这种不良现象的发生。

如图3-4所示，光刻时，p面光刻图像依然沿用白色方块黑线条的形式，n面光刻图像则选择白色方块点划线的形式。白色方块对应的光刻胶，曝光时会发生胶连反应，显影时不会被去除，所以在后续s2的沟槽腐蚀时可以起到保护硅片的作用。而原来黑方块的光刻版则不会发生胶连反应，光刻胶会被去除，为了在后续的沟槽腐蚀时有胶来保护硅片，需要进行涂背胶以及烘烤的步骤。所以白方块比原来黑方块的工艺减少了光刻流程里的涂背胶的步骤。

原来黑方块的光刻工艺步骤依次包括：涂双面胶、烘烤、曝光、显影、坚膜、去氧化层、烘烤、涂背胶、烘烤。本申请的白方块光刻工艺步骤依次包括：涂双面胶、烘烤、曝光、显影、坚膜、去氧化层、烘烤。减少了涂背胶和背胶烘烤的步骤，缩短了工艺流程，也减少了背胶和烘烤的成本。

现有硅片生产的工艺中，光刻步骤的去氧化层，主要针对p面线条的氧化层和n面方块的氧化层。步骤s4的去除氧化层主要针对p面方块的氧化层。

点划线的形式在后续沟槽腐蚀时可以通过腐蚀出一条浅沟槽作为基准线，采用湿法打砂去除氧化层后，依然可以清楚的留下基准线痕迹，对沟槽基准线没有影响，也不会影响划片时的激光切割。

s4中的湿法刻蚀去除氧化层具体为湿法boe去除氧化层。

需要说明的是腐蚀出点划线的主要作用是后续划片时有据可依，本实施例选用在n面腐蚀点划线，根据不同的工艺和产线，p面，甚至双面都是有可能的。

本发明的有益效果是：可以采用湿法去除氧化层，保留n面清晰的划片基准线，便于后续切割时有轨迹可依；湿法去除氧化层不仅可以降低生产成本，还可以批处理高产出，提高gpp生产效率；光刻工序减少了涂背胶的步骤，缩短了流程，降低了化工料的损耗。

以上对本申请实施例所提供的一种硅片光刻版工艺，进行了详细介绍。以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的结构及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

如在说明书及权利要求当中使用了某些词汇来指称特定组件。本领域技术人员应可理解，不同的制造商可能会用不同名词来称呼同一个组件。本说明书及权利要求书并不以名称的差异来作为区分组件的方式，而是以组件在功能上的差异来作为区分的准则。在通篇说明书及权利要求当中所提及的“包含”为一开放式用语，故应解释成“包含但不限定于”。“大致”是指在可接收的误差范围内，本领域技术人员能够在一定误差范围内解决所述技术问题，基本达到所述技术效果。说明书后续描述为实施本申请的较佳实施方式，然所述描述仍以说明本申请的一般原则为目的，并非用以限定本申请的范围。本申请的保护范围当视所附权利要求所界定者为准。

还需要说明的是，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的商品或者系统不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种商品或者系统所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的商品或者系统中还存在另外的相同要素。

上述说明示出并描述了本申请的若干优选实施例，但如前所述，应当理解本申请并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施例的排除，而可用于各种其他组合、修改和环境，并能够在本文所述本申请构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本申请的精神和范围，则都应在本申请所附权利要求的保护范围内。