技术特征：
技术总结
本发明涉及一种基于h‑BN隧穿结为空穴注入层的发光二极管外延结构，其特征在于该外延结构包括衬底、n型半导体材料层、多量子阱层、p‑型电子阻挡层、p‑型半导体材料层、p‑型重掺杂半导体材料层、h‑BN层和n‑型重掺杂半导体材料层，其中h‑BN层相对介电常数取值为3～5.1，该相对介电常数小于p‑型重掺杂半导体材料层的相对介电常数和n‑型重掺杂半导体材料层，h‑BN层的厚度为1nm～5nm；所述p‑型重掺杂半导体材料层、h‑BN层和n‑型重掺杂半导体材料层共同构成隧穿结。该发光二极管外延结构具有能提高LED器件空穴注入效率的隧穿结结构，增加了载流子的隧穿几率，同时改善了电流扩展效应，显著提高LED内量子效率和光输出功率。
技术研发人员：李路平;田康凯;楚春双;张勇辉;毕文刚;张紫辉
受保护的技术使用者：河北工业大学
技术研发日：2017.07.31
技术公布日：2017.10.24