同轴连接器的制作方法

本发明涉及一种安装于基板上的同轴连接器。

背景技术：

安装于基板上的类型的同轴连接器能够作为通过同轴电缆将形成于基板上的电路和独立于基板的装置连接的构件使用。通过上述电路和装置处理的信号是高频信号的情况下，使同轴连接器的阻抗与电路的输入阻抗或输出阻抗整合(匹配)是非常重要的。

同轴连接器的阻抗根据中心导体和外部导体的形状以及尺寸、中心导体和外部导体之间的距离等同轴连接器的结构上的要素而变化。设计同轴连接器时，适当地调节这些结构上的要素，从而使同轴连接器的阻抗和电路的输入阻抗等整合。

下述专利文献1记载了一个示例，该示例通过调节同轴连接器的结构上的要素从而调节同轴连接器的阻抗。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2015-95326号公报

技术实现要素：

发明所要解决的技术问题

然而，安装于基板上的类型的同轴连接器中有下述连接器：外部导体以其轴线相对于基板的表面垂直的方式配置于基板上，另一方面，中心导体形成为大致l形，中心导体中与对方连接器的端子接触的部分沿相对于基板的表面垂直的方向伸长，连接于基板的电路上的部分沿相对于基板的表面水平的方向伸长。上述专利文献1中所记载的同轴连接器也具有上述结构。在处理高频信号时，尤其在处理频率为大致20ghz到30ghz的准毫米波频带、或频率为大致30ghz以上的毫米波频带的高频信号时，具有上述结构的同轴连接器不容易使同轴连接器的阻抗与电路的输入阻抗等整合。

其主要原因可以认为是，中心导体是与直线相比形状复杂的l形，或者，由于中心导体是l形，因此中心导体和外部导体之间的距离根据中心导体的部分不同会变得大不相同等。另外，作为其他的主要原因可以认为是，所要处理的信号的频率非常高。也就是说，当处理的信号与准毫米波频带接近或是准毫米波频带亦或是毫米波频带时，与比上述信号的频带低的频带相比，通过调节同轴连接器的结构上的要素从而控制同轴连接器的阻抗变得相当困难。

本发明是鉴于如上所述的问题而形成的，本发明的技术问题是提供一种同轴连接器，该同轴连接器具有中心导体弯曲为大致l形的结构，能够提高该同轴连接器与电路等的阻抗的整合性。

解决技术问题所采用的技术方案

为了解决上述技术问题，本发明的同轴连接器包括筒状的外部导体以及设置于外部导体的内侧的中心导体，该同轴连接器安装于基板上，其特征在于，中心导体包括：接触部，该接触部与对方连接器的端子接触；第一连结部，该第一连结部与接触部连接，并沿外部导体的轴向伸长；弯折部，该弯折部与第一连结部连接，并向外部导体的径向弯曲；第二连结部，该第二连结部与弯折部连接，并沿外部导体的径向伸长；以及连接部，该连接部与第二连结部连接，并使该中心导体与基板的电路连接，第一连结部上形成有该第一连结部的外周面的一部分伸出而形成的第一伸出部，第二连结部上形成有该第二连结部的外周面的一部分伸出而形成的第二伸出部。

根据本发明的同轴连接器，通过在中心导体的弯折部的两侧分别设置第一伸出部和第二伸出部，能够提高该同轴连接器和电路等之间的阻抗的整合性。

另外，上述本发明的同轴连接器中，优选，第一伸出部形成为直径比第一连结部的直径大的圆柱状。另外，优选，第二伸出部形成为直径比第二连结部的直径大的圆柱状。另外，优选，第一伸出部与第一连结部同轴地配置。另外，优选，第二伸出部与第二连结部同轴地配置。另外，优选，第二伸出部配置于比外部导体的外周面靠近内侧的位置。

另外，上述本发明的同轴连接器中，优选，基板的表面上与外部导体的靠近基板一侧的端部的端面对应的部分形成有导体区域，该导体区域铺设有导体图案，基板的表面上与外部导体的端部的内侧空间对应的部分形成有非导体区域，该非导体区域未铺设有导体图案，第二伸出部配置于非导体区域的上方。

另外，上述本发明的同轴连接器包括绝缘构件，该绝缘构件将中心导体支承于外部导体，绝缘构件包括：插通孔，该插通孔使接触部插通；收容部，该收容部是直径比插通孔的直径大的孔，并且收容第一伸出部；以及台阶部，该台阶部形成于插通孔和收容部之间，第一伸出部和台阶部抵接。

另外，上述本发明的同轴连接器中，中心导体的第二连结部也可以在外部导体的径向上比第二伸出部靠近外侧的部分上形成有调整部，该调整部是通过使第二连结部的直径尺寸局部变化而形成的。

发明效果

根据本发明，在具有中心导体弯曲成大致l形的结构的同轴连接器中，能够提高该同轴连接器和电路等的阻抗的整合性。

附图说明

图1是表示基板和安装于基板上之前的本发明第一实施方式下的同轴连接器的外观图。

图2是从图1中箭头ii方向观察到的本发明第一实施方式下的同轴连接器的外观图。

图3是从图2中箭头iii－iii方向观察到的本发明第一实施方式下的同轴连接器的剖视图。

图4是表示从上侧方观察到的本发明第一实施方式下的同轴连接器的分解图。

图5是表示从下侧方观察到的本发明第一实施方式下的同轴连接器的分解图。

图6是表示本发明第一实施方式下的同轴连接器的中心导体的立体图。

图7是表示从侧方观察到的本发明第一实施方式下的同轴连接器的中心导体的外观图。

图8是表示本发明第一实施方式下的同轴连接器中，中心导体的第一伸出部和第二伸出部与外部导体的位置关系的说明图，并且是表示中心导体第一伸出部和第二伸出部与基板的导体图案的位置关系的说明图。

图9是表示比较例的同轴连接器的中心导体的外观图。

图10是表示在高频信号从信号源分别向本发明第一实施方式下的同轴连接器的中心导体流动以及向比较例的同轴连接器的中心导体流动的情况下，各同轴连接器一侧的电压驻波比(vswr)的图表。

图11是表示本发明第二实施方式下的同轴连接器的中心导体的外观图。

图12是表示在高频信号从信号源分别向本发明第一实施方式下的同轴连接器的中心导体流动以及向本发明第二实施方式下的同轴连接器的中心导体流动的情况下，各同轴连接器一侧的电压驻波比的图表。

图13是表示本发明第一实施方式和第二实施方式下的各同轴连接器中，形成于中心导体上的第一伸出部附近的电场矢量分布的说明图。

图14是表示本发明第三实施方式下的同轴连接器的中心导体的外观图。

图15是表示在高频信号从信号源分别向本发明第一实施方式下的同轴连接器的中心导体流动以及向本发明第三实施方式下的同轴连接器的中心导体流动的情况下，各同轴连接器一侧的电压驻波比的图表。

图16是表示本发明第四实施方式下的同轴连接器的中心导体的外观图。

图17是表示在高频信号从信号源向本发明第一实施方式下的同轴连接器的中心导体流动以及向本发明第四实施方式下的同轴连接器的中心导体流动的情况下，各同轴连接器一侧的电压驻波比的图表。

图18是表示本发明第五实施方式下的同轴连接器的中心导体的外观图。

(符号说明)

1同轴连接器；

2基板；

3、4导体图案；

5导体区域；

6非导体区域；

11外部导体；

11a外周面；

21绝缘构件；

25插通孔；

27收容部；

28台阶部；

31、51、61、71、81中心导体；

32、52、62、72、82接触部；

33、53、63、73、83第一连结部；

34、54、64、74、84弯折部；

35、55、65、75、85第二连结部；

36、56、66、76、86连接部；

41、57、67、77、87第一伸出部；

42、58、68、78、88第二伸出部；

89调整部。

具体实施方式

图1表示本发明第一实施方式下的同轴连接器1安装于基板2上之前的状态。图2表示从图1中箭头ii方向观察到的同轴连接器1，图3表示从图2中箭头iii－iii方向观察到的同轴连接器1的剖面。图4是从上侧方观察到的同轴连接器1的分解图，图5是从下侧方观察到的同轴连接器1的分解图。并且，在以下说明中，为了便于说明，以水平地放置基板2、在基板2的上表面安装同轴连接器1的情况为例进行说明。

图1中，同轴连接器1是安装于基板2的表面上的类型的同轴连接器。同轴连接器1以其轴线与基板2的表面垂直的方式安装于基板2上。通过从基板2的上方将对方连接器插入同轴连接器1，能够进行对方连接器和电路之间的电连接，其中，电路形成于基板2上。同轴连接器1包括外部导体11、中心导体31以及绝缘构件21，其中，该绝缘构件21支承中心导体31而使中心导体31与外部导体11绝缘。另一方面，基板2是例如特弗隆(注册商标)基板或陶瓷基板，该基板2的表面形成有导体图案3、4，该基板2的背面整面地形成有导体膜。导体图案3、4构成电路的一部分。

同轴连接器1中，外部导体11作为同轴连接器1的外壳并作为接地等的电连接构件发挥作用。另外，外部导体11也作为将同轴连接器1固定于基板2上的构件发挥作用。通过对例如黄铜、磷青铜等的金属棒材进行切削加工，从而使外部导体11形成为圆筒状。并且，外部导体11也能够通过将金属板材弯折成圆筒状而形成，但是通过对金属棒材进行切削加工从而形成外部导体11的方法能够提高同轴连接器1的阻抗的精度。另外，外部导体11的表面上镀覆有例如镍，此外，在此基础上重叠地镀覆有金或锡。外部导体11的大小没有限定，例如直径为3mm～10mm左右，高度为4mm～12mm左右。

如图2所示，外部导体11的上部形成有对方连接器能够装卸地嵌合的嵌合部12。另外，如图3所示，嵌合部12的内周侧形成有连接器卡定部13，该连接器卡定部13卡定插入嵌合部12的对方连接器。连接器卡定部13从嵌合部12的内周面遍及整个周向地朝径向内侧突出。

外部导体11的下部的内周侧形成有支承部14，该支承部14通过绝缘构件21支承中心导体31。如图5所示，绝缘构件21从支承部14的下方插入支承部14。支承部14包括插入有绝缘构件21的主干部22的插入部15。如图3所示，插入部15的内径比嵌合部12的内径小。另外，支承部14包括插入有绝缘构件21的一个分枝部23的槽部16。槽部16形成于外部导体11的下端面，该槽部16从插入部15的缘部以贯穿该插入部15的缘部和固定部18的外周面之间的方式沿外部导体11的径向伸长。此外，支承部14包括插入有绝缘构件21的另一个分枝部24的凹部17。凹部17形成于外部导体11的下端面上与形成有槽部16的部分相反的一侧的部分上。并且，支承部14的上述形状是一个示例，不仅限于此。

另外，外部导体11的下部的外周侧形成有固定部18，该固定部18通过焊剂将外部导体11连接固定于基板2的导体图案3上。固定部18形成为外部导体11的外周面的下端部朝径向外侧伸出的凸缘状。如图5所示，从下方观察外部导体11时，固定部18形成为大致正方形，固定部18的外周面的一部分上形成有表示同轴连接器1的周向朝向的凹陷部19。并且，固定部18的上述形状是一个示例，不仅限于此。

同轴连接器1中，绝缘构件21由绝缘材料、例如液晶聚合物等树脂形成。如图4所示，绝缘构件21包括圆柱状的主干部22和一对分枝部23、24，其中，上述一对分枝部23、24分别形成于主杆部22的径向两侧，并分别朝径向外侧伸长。另外，如图3所示，主干部22的中心部的上部形成有使中心导体31的接触部32插通的插通孔25。另外，插通孔25的内表面形成有将中心导体31卡定于绝缘构件21的槽状卡定部26。另外，主干部22的中心部的下部形成有作为收容中心导体31的第一连结部33、第一伸出部41以及弯折部34的孔的收容部27。另外，收容部27的直径比插通孔25的直径大，插通孔25和收容部27之间形成有台阶部28。台阶部28上抵接有第一伸出部41。另外，在收容部27内的弯折部34和绝缘构件21之间形成有空间。由于弯折部34不与绝缘构件21接触，两者之间隔着空气，因此能够减小同轴连接器1的插入损失。此外，细槽29以沿径向贯穿的方式形成于绝缘构件21的分枝部23的下端面。细槽29内插入有中心导体31的第二连结部35以及第二伸出部42。并且，绝缘构件21的上述形状是一个示例，不仅限于此。

图6和图7表示同轴连接器1的中心导体31。也就是说，图6是从上侧方观察到的中心导体31的图，图7是从侧方观察到的中心导体31的图。如图6所示，中心导体31是传递信号的端子，通过对例如黄铜、磷青铜等的金属棒材进行切削和弯曲加工，并通过在其表面镀覆镍并且在此基础上重叠地镀覆金或锡，从而使该中心导体31形成为l形的棒状。

中心导体31包括接触部32、第一连结部33、弯折部34、第二连结部35以及连接部36。也就是说，如图7所示，中心导体31的一端侧形成有与对方连接器的端子接触的接触部32。本实施方式中，接触部32是阳型的，并且形成为销状。接触部32的另一端连接有第一连结部33，该第一连结部33沿外部导体11的轴向直线状地伸长。第一连结部33的另一端连接有弯折部34，该弯折部34向外部导体11的径向弯曲90度。弯折部34的另一端连接有第二连结部35，该第二连结部35沿外部导体11的径向直线状地伸长。第二连结部35的另一端侧形成有连接部36，该连接部36使该中心导体31与基板的电路连接。接触部32、第一连结部33、弯折部34、第二连结部35以及连接部36的横截面形状为圆形，具有例如0.2～0.8mm左右的直径。另外，从接触部32的前端到弯折部34的长度l1为例如4～12mm左右。另外，从弯折部34到连接部36的前端的长度l2为例如3～12mm左右。另外，第一连结部33上形成有凸缘状卡定部37，该凸缘状卡定部37用于将中心导体31卡定于绝缘构件21。凸缘状卡定部37压入并卡合于绝缘构件21的槽状卡定部26。并且，也可以对中心导体31的另一端侧的连接部36或该连接部36的一部分进行冲压加工或切削加工等，从而至少在该连接部36的下部形成平面。

另外，如图6所示，中心导体31的第一连结部33上形成有第一伸出部41。第一伸出部41形成于凸缘状卡定部37的下方。也就是说，第一连结部33中位于凸缘状卡定部37下方的外周面的一部分沿第一连结部33的径向伸出。该部分是第一伸出部41。第一伸出部41形成为圆柱状，该圆柱状的第一伸出部41的直径比第一连结部33以及弯折部34中的任意一个的直径都大。另外，第一伸出部41与第一连结部33同轴地配置。另外，第一伸出部41从第一连结部33的外周面急剧地伸出，该第一伸出部41具有与第一连结部33的外周面垂直的端面41a。

另外，如图3所示，第一伸出部41的上侧的端面41a与绝缘构件21的台阶部28抵接，籍此，相对于绝缘构件21在上下方向上确定中心导体31的位置。也就是说，在组装同轴连接器1时，在将中心导体31插入绝缘构件21时，通过第一伸出部41的上侧的端面41a与台阶部28抵接，从而将中心导体31相对于绝缘构件21在插入方向上的位置确定为设计上的位置。籍此，能够防止中心导体31向比设计上的位置更深的插入方向进入，中心导体31的第二连结部35与绝缘构件21的细槽29强烈地碰撞而在第二连结部35上施加较大的力，从而导致第二连结部35变形。

另外，如图6所示，中心导体31的第二连结部35上形成有第二伸出部42。也就是说，第二连结部35上靠近外部导体11的中心一侧的外周面的一部分沿第二连结部35的径向伸出。该部分是第二伸出部42。第二伸出部42形成为圆柱状，该圆柱状的第二伸出部42的直径比第二连结部35以及弯折部34中的任意一个的直径都大，并且该第二伸出部42与第二连结部35同轴地配置。另外，第二伸出部42具有与第二连结部35的外周面垂直的端面42a。

第一伸出部41和第二伸出部42配置于弯折部34的两侧。第一伸出部41和第二伸出部42虽然隔着弯折部34相互间隔，但两者相互接近。本实施方式中，第一伸出部41位于图7中第一连结部33的下部，该第一伸出部41的一部分到达弯折部34的上部。另外，第二伸出部42位于图7中第二连结部35的右部，该第二伸出部42的一部分到达弯折部34的左部。其结果是，形成有第一伸出部41和第二伸出部42的位置包含于弯折部34所描绘的圆弧的范围内。另外，本实施方式中，第一伸出部41的直径、体积或外周面的面积比第二伸出部42的直径、体积或外周面的面积大。

图8表示第一伸出部41和第二伸出部42与外部导体11的位置关系，并且图8还表示第一伸出部41和第二伸出部42与基板2的表面的导体图案3的位置关系。如图8所示，从上方观察本实施方式下的同轴连接器1时，第一伸出部41配置于外部导体11的中心，第二伸出部42整体配置于比外部导体11的外周面11a更靠内侧处。另外，从上方观察同轴连接器1时，第二伸出部42配置于比插入部15更靠内侧处，该插入部15相当于外部导体11的支承部14的内周面。另外，从上方观察同轴连接器1时，第二伸出部42与第一伸出部41局部地重叠。

另外，第一伸出部41和第二伸出部42与形成于基板2表面上的导体图案3具有下述位置关系。也就是说，如图8所示，基板2的表面上与外部导体11的靠近基板2一侧的端部的端面对应的部分上形成有导体区域5，该导体区域5铺设有导体图案3，该基板2的表面上与外部导体11的端部的内侧空间对应的部分上形成有未铺设导体图案的非导体区域6。第一伸出部41和第二伸出部42分别整体地配置于非导体区域6的上方。

第一伸出部41和第二伸出部42与中心导体31一体形成。也就是说，这些伸出部在切削金属棒材来形成中心导体31时，作为中心导体31的一部分形成。

由此，通过在l形的中心导体31的弯折部34的两侧分别形成第一伸出部41和第二伸出部42，即使在高频信号、尤其是准毫米波频带或毫米波频带的高频信号在中心导体31内流动的情况下，也能提高同轴连接器1的阻抗和形成于基板2上的电路的输入阻抗或输出阻抗等的整合性。

在此，具体研究同轴连接器1的阻抗整合性。首先，使用图9和图10进行第一个研究。图9分别表示第一比较例的同轴连接器的中心导体101、第二比较例的同轴连接器的中心导体102以及第三比较例的同轴连接器的中心导体103。中心导体101、102和103分别形成为l形的棒状，上述棒状的中心导体101、102和103分别具有接触部104、第一连结部105、弯折部106、第二连结部107以及连接部108。这些点与本发明的第一实施方式下的同轴连接器1的中心导体31是相同的。但是，中心导体101上没有形成与中心导体31的第一伸出部41相当的伸出部以及与中心导体31的第二伸出部42相当的伸出部。另外，虽然中心导体102形成有与中心导体31的第一伸出部41相当的伸出部109，但并未形成有与中心导体31的第二伸出部42相当的伸出部。另外，虽然中心导体103形成有与中心导体31的第二伸出部42相当的伸出部110，但并未形成有与中心导体31的第一伸出部41相当的伸出部。

图10的图表中，实线表示高频信号从信号源向本发明第一实施方式下的同轴连接器1的中心导体31流动时同轴连接器一侧的电压驻波比(vswr)。双点划线表示高频信号从信号源向第一比较例的同轴连接器的中心导体101流动时同轴连接器一侧的电压驻波比。点划线表示高频信号从信号源向第二比较例的同轴连接器的中心导体102流动时同轴连接器一侧的电压驻波比。虚线表示高频信号从信号源向第三比较例的同轴连接器的中心导体103流动时同轴连接器一侧的电压驻波比。根据图10，相比任意一个比较例的同轴连接器，本发明第一实施方式下的同轴连接器1在从直流到10ghz的几乎所有的频带上的电压驻波比更接近1，在10ghz到40ghz的所有频带上的电压驻波比更接近1。由此可知，通过在中心导体31的弯折部34的两侧分别形成第一伸出部41以及第二伸出部42，除了能够提高小于准毫米波频带的频带上的同轴连接器和基板电路之间等的阻抗的整合性，还能够提高准毫米波频带和毫米波频带上(尤其在准毫米波频带和毫米波频带上可靠且显著)的同轴连接器和基板电路之间等的阻抗的整合性。

接着，使用图11、图12以及图13进行第二个研究。图11表示本发明第二实施方式下的同轴连接器的中心导体51。中心导体51形成为l形的棒状，该棒状的中心导体51具有接触部52、第一连结部53、弯折部54、第二连结部55以及连接部56，第一连结部53上形成有第一伸出部57，第二连结部55上形成有第二伸出部58。这些点与本发明的第一实施方式下的同轴连接器1的中心导体31是相同的。但是，与中心导体31不同的是，中心导体51的第一伸出部57以及第二伸出部58的形状是四棱柱状的。

图12的图表中，实线表示高频信号从信号源向本发明第一实施方式下的同轴连接器1的中心导体31流动时同轴连接器一侧的电压驻波比。双点划线表示高频信号从信号源向本发明第二实施方式下的同轴连接器的中心导体51流动时同轴连接器一侧的电压驻波比。根据图12，相比本发明的第二实施方式下的同轴连接器1，本发明第一实施方式下的同轴连接器1在5ghz到40ghz的频带上的电压驻波比更接近1。由此可知，相比在中心导体上形成四棱柱状的伸出部，在中心导体上形成圆柱状的伸出部更能够提高小于毫米波频带的高频带、准毫米波频带以及毫米波频带上的同轴连接器和基板电路之间等的阻抗的整合性。

图13(1)表示本发明第一实施方式下的同轴连接器1的中心导体31中，第一伸出部41附近的电场矢量分布。图13(2)表示本发明第二实施方式下的同轴连接器的中心导体51中，第一伸出部57附近的电场矢量分布。如图13(1)所示，本发明第一实施方式下的第一伸出部41附近的电场矢量分布是几乎理想的同轴模式的分布。与此相对的是，如图13(2)所示，本发明第二实施方式下的第一伸出部57附近的电场矢量分布在矢量方向上产生紊乱。能够认为如图13(2)所示的在矢量方向上的紊乱的主要原因之一是本发明第二实施方式下的同轴连接器的阻抗整合性比本发明第一实施方式下的同轴连接器1的阻抗整合性差。

当然，将图12所示的本发明第二实施方式下的同轴连接器的电压驻波比与图10所示的各比较例的同轴连接器的电压驻波比相比，在30ghz到40ghz的频带上，前者的电压驻波比后者的电压驻波比更接近1。由此可知，通过本发明第二实施方式下的同轴连接器，也能够提高毫米波频带上的同轴连接器和基板电路之间等的阻抗的整合性。

接着，使用图14和图15进行第三个研究。图14表示本发明第三实施方式下的同轴连接器的中心导体61。中心导体61形成为l形的棒状，该棒状的中心导体61具有接触部62、第一连结部63、弯折部64、第二连结部65以及连接部66，第一连结部63上形成有第一伸出部67，第二连结部65上形成有第二伸出部68。这些点与本发明的第一实施方式下的同轴连接器1的中心导体31是相同的。但是，与中心导体31不同的是，中心导体61的第一伸出部67和第一连结部63不同轴地配置，并且，中心导体61的第二伸出部68和第二连结部65不同轴地配置。

图15的图表中，实线表示高频信号从信号源向本发明第一实施方式下的同轴连接器1的中心导体31流动时同轴连接器一侧的电压驻波比。双点划线表示高频信号从信号源向本发明第三实施方式下的同轴连接器的中心导体61流动时同轴连接器一侧的电压驻波比。根据图15，相比本发明的第三实施方式下的同轴连接器，本发明第一实施方式下的同轴连接器1在5ghz到30ghz的频带上的电压驻波比更接近1。由此可知，在中心导体上同轴地配置伸出部能够提高小于准毫米波频带的高频带以及准毫米波频带上的同轴连接器和基板电路之间等的阻抗的整合性。

当然，将图15所示的本发明第三实施方式下的同轴连接器的电压驻波比与图10所示的各比较例的同轴连接器的电压驻波比相比，在15ghz到40ghz的频带上，前者的电压驻波比后者的电压驻波比更接近1。由此可知，通过本发明第三实施方式下的同轴连接器，也能够提高大致准毫米波频带和毫米波频带上的同轴连接器和基板电路之间等的阻抗的整合性。

接着，使用图16和图17进行第四个研究。图16表示本发明第四实施方式下的同轴连接器的中心导体71。中心导体71形成为l形的棒状，该棒状的中心导体71具有接触部72、第一连结部73、弯折部74、第二连结部75以及连接部76，第一连结部73上形成有第一伸出部77，第二连结部75上形成有第二伸出部78。这些点与本发明的第一实施方式下的同轴连接器1的中心导体31是相同的。但是，中心导体71的第一伸出部77位于中心导体31的第一伸出部41的上方例如0.15mm左右处，另外，中心导体71的第二伸出部78在外部导体的径向上位于中心导体31的第二伸出部42的外侧例如0.5mm左右处。也就是说，中心导体71的第一伸出部77和弯折部74之间的距离比中心导体31的第一伸出部41和弯折部34之间的距离大，中心导体71的第二伸出部78和弯折部74之间的距离比中心导体31的第二伸出部42和弯折部34之间的距离大。换而言之，第一伸出部77的位置和第二伸出部78的位置中的任意一方或者双方偏离弯折部74所描绘的圆弧的范围。

图17的图表中，实线表示高频信号从信号源向本发明第一实施方式下的同轴连接器1的中心导体31流动时同轴连接器一侧的电压驻波比。双点划线表示高频信号从信号源向本发明第四实施方式下的同轴连接器的中心导体71流动时同轴连接器一侧的电压驻波比。根据图17，相比本发明的第四实施方式下的同轴连接器，本发明第一实施方式下的同轴连接器1在5ghz到40ghz的频带上的电压驻波比更接近1。由此可知，使第一伸出部和第二伸出部分别向中心导体的弯折部接近能够提高小于准毫米波频带的高频带、准毫米波频带以及毫米波频带上的同轴连接器和基板电路之间等的阻抗的整合性。

当然，将图17所示的本发明第四实施方式下的同轴连接器的电压驻波比与图10所示的各比较例的同轴连接器的电压驻波比相比，在10ghz到30ghz的几乎所有的频带上，前者的电压驻波比后者的电压驻波比更接近1。由此可知，通过本发明第四实施方式下的同轴连接器，能够提高大致准毫米波频带上的同轴连接器和基板电路之间等的阻抗的整合性。

图18表示本发明第五实施方式下的同轴连接器的中心导体81。中心导体81与本发明第一实施方式下的同轴连接器1的中心导体31相同，包括接触部82、第一连结部83、弯折部84、第二连结部85、接触部86、第一伸出部87以及第二伸出部88。除此之外，中心导体81中，第二连结部85在外部导体的径向上比第二伸出部88更靠外侧的部分处形成有调整部89。调整部89通过将第二连结部85的直径尺寸局部地增大或减小而形成。第二连结部85的周面上通过调整部89形成有台阶，但通过调整部89而形成于第二连结部85的周面的台阶比通过第二伸出部88而形成于第二连结部85的周面的台阶(伸出)小。另外，调整部89上使第二连结部85的直径尺寸变大的部分(或者变小的部分)的个数不限于一个，也可以是两个以上。通过调整部89，能够细微地调节同轴连接器的阻抗。并且，通过改变连接部86的直径尺寸，也可以细微地调节同轴连接器的阻抗。

另外，本发明能在不违反从权利要求书和说明书整体读取的发明的主旨或思想的范围内进行适当变更，与这样的变更相伴的同轴连接器也包括在本发明的技术思想内。