技术特征：
技术总结
本公开涉及一种发光二极管外延片及其制造方法。所述方法包括：提供一衬底，并在所述衬底上依次生长缓冲层、n型层、发光层和p型层；将微孔薄膜覆盖在所述p型层表面；在所述微孔薄膜表面进行刻蚀；去除所述微孔薄膜，以使所述p型层表面被粗化。这样，表面不平滑的p型层能够使得发光层发出的光更易从LED芯片内部射出，减少了光在p型层表面的全反射，从而增加了LED芯片的光出射率。
技术研发人员：张杰;彭遥
受保护的技术使用者：比亚迪股份有限公司
技术研发日：2017.08.22
技术公布日：2019.03.05