技术特征：
技术总结
本发明公开了一种功率器件的多DBC封装结构及封装方法，其中，该封装结构包括功率器件、直接覆铜陶瓷基板(即DBC板)、引线、散热基板、解耦电容、功率端子和驱动端子以及外壳，这个封装结构形成由功率器件组成的半桥电路；本发明提供的这种封装结构及封装方法，利用DBC+DBC，形成多层结构，同时优化功率回路结构，利用互感抵消减小换流回路的寄生电感，减小了开关过程中的过电压和振荡。
技术研发人员：陈材;黄志召;李宇雄;陈宇;康勇
受保护的技术使用者：华中科技大学
技术研发日：2017.09.12
技术公布日：2018.01.16