器件晶片的加工方法与流程

本发明涉及器件晶片的加工方法。
背景技术：
：近年来，为了器件的小型化等，将形成器件后的晶片(以下，称为“器件晶片”)加工得较薄。但是，例如当对器件晶片进行研磨而使其厚度薄至100μm以下时，捕捉对器件有害的cu等金属元素的去疵效果会降低(由于去疵层被去除)，有可能产生器件的动作缺陷。为了解决该问题，在器件制造的后续工序中，在形成有器件的晶片的背面形成对cu等金属元素进行捕捉的去疵层。在专利文献1中记载了下述内容：使用研磨液并使用研磨垫对进行了磨削的晶片实施化学机械研磨(cmp)，然后提供冲洗液来代替研磨液，利用该研磨垫形成去疵层。另外，作为去疵性的评价方法，有下述方法：在利用金属元素对器件晶片的背面侧强制性地进行污染之后，在正面侧对金属元素的原子量进行测量，在测量到的金属原子的原子数未达到规定的检测数的情况下，判断为去疵性充分(例如，参照专利文献2)。专利文献1：日本特开2009-94326号公报专利文献2：日本特开2012-238732号公报但是，当器件晶片进一步薄型化时，存在当确保去疵性时器件芯片的抗弯强度降低的趋势。因此，当较薄地形成器件晶片时，难以实现兼顾去疵性的确保和抗弯强度的确保。技术实现要素：由此，本发明的目的在于提供如下的器件晶片的加工方法：能够确保分割后的器件芯片的去疵性和抗弯强度。为了解决上述的课题而实现目的，本发明的器件晶片的加工方法是在正面上形成有多个器件的器件晶片的加工方法，其特征在于，该器件晶片的加工方法包含如下的步骤：保持步骤，利用卡盘工作台对该器件晶片的该正面侧进行保持而使背面露出；以及去疵层生成步骤，一边使该卡盘工作台和研磨垫旋转并且向该器件晶片提供不含有磨粒的液体，一边使该研磨垫与该器件晶片的背面抵接而生成去疵层，其中，所述研磨垫按照20重量％～50重量％含有粒径为0.35μm～1.7μm[中央值]的磨粒，实施了该去疵层生成步骤之后的该器件晶片的背面的粗糙度ra为0.8nm～4.5nm。根据本发明，能够确保分割后的器件芯片的去疵性和抗弯强度。附图说明图1是示出实施方式1的器件晶片的加工方法的加工对象的器件晶片的立体图。图2是实施方式1的器件晶片的加工方法中所用的磨削研磨装置的结构例的立体图。图3是示出图2所示的磨削研磨装置的研磨构件的结构例的立体图。图4是示出实施方式1的器件晶片的加工方法的流程的流程图。图5是示出实施方式1的器件晶片的加工方法的研磨步骤的图。图6是示出实施方式1的器件晶片的加工方法的去疵层生成步骤的图。图7是示出实施方式1的器件晶片的加工方法的单片化步骤的图。图8是示出实施方式2的器件晶片的加工方法的研磨步骤的图。图9是示出实施方式2的器件晶片的加工方法的去疵层生成步骤的图。图10是示出各实施方式的器件晶片的加工方法的研磨垫中所含的磨粒的平均粒径与器件芯片的抗弯强度和背面的算术平均粗糙度之间的关系的图。标号说明7：卡盘工作台；51：研磨垫；w：器件晶片；ws：正面；wr：背面；dv：器件；g：去疵层；st1：保持步骤；st5：去疵层生成步骤。具体实施方式参照附图，对用于实施本发明的方式(实施方式)进行详细的说明。本发明并不被以下的实施方式所记载的内容限定。另外，以下所记载的结构要素中包含本领域技术人员能够容易想到的内容、实质上相同的内容。另外，以下所记载的结构可以适当组合。另外，可以在不脱离本发明的主旨的范围内进行结构的各种省略、置换或变更。[实施方式1]根据附图对本发明的实施方式1的器件晶片的加工方法进行说明。图1是示出实施方式1的器件晶片的加工方法的加工对象的器件晶片的立体图。图2是实施方式1的器件晶片的加工方法中所用的磨削研磨装置的结构例的立体图。图3是示出图2所示的磨削研磨装置的研磨构件的结构例的立体图。实施方式1的器件晶片的加工方法是在图1所示的器件晶片w的背面wr上形成去疵层g、并且将器件晶片w分割成器件芯片dt(图1中以虚线表示)的方法。如图1所示，器件晶片w是以硅作为母材的圆板状的半导体晶片或光器件晶片。器件晶片w中，在由正面ws上呈格子状形成的多条分割预定线s划分而成的区域中形成有器件dv。即，器件晶片w在正面ws上形成有多个器件dv。在对正面ws的背面侧的背面wr实施磨削加工等而将器件晶片w薄化至规定的厚度后，在背面wr侧形成去疵层g。去疵层g是在器件晶片w的背面wr即各器件dv的背面wr上形成有结晶缺陷、应变等(称为去疵位点)的层，是在该去疵位点对引起金属污染的杂质进行捕获、固着的层。在实施方式1中，在背面wr侧形成去疵层g之后，器件晶片w被分割成包含器件dv在内的器件芯片dt。在实施方式1中，形成在器件晶片w的正面ws的器件dv是逻辑器件。实施方式1的器件晶片的加工方法至少使用图2所示的作为加工装置的磨削研磨装置1。磨削研磨装置1是为了使器件晶片w的背面wr薄型化而进行磨削加工、并且为了使磨削加工后的器件晶片w的背面wr高精度地平坦化且在器件晶片w的背面wr侧形成去疵层g而进行研磨加工的装置。如图2所示，磨削研磨装置1主要具有装置主体2、第一磨削构件3、第二磨削构件4、研磨构件5、设置在旋转工作台6上的例如四个卡盘工作台7、盒8、9、对位构件10、搬入构件11、清洗构件13、搬入搬出构件14以及未图示的控制构件。第一磨削构件3用于使安装在主轴的下端的具有磨削磨具的磨削磨轮31一边旋转一边沿着与铅垂方向平行的z轴方向按压在粗磨削位置b的卡盘工作台7所保持的器件晶片w的背面wr上，从而对器件晶片w的背面wr进行粗磨削加工。同样地，第二磨削构件4用于使安装在主轴的下端的具有磨削磨具的磨削磨轮41一边旋转一边沿着z轴方向按压在位于精磨削位置c的卡盘工作台7所保持的粗磨削结束的器件晶片w的背面wr上，从而对器件晶片w的背面wr进行精磨削加工。在实施方式1中，研磨构件5将如图3所示安装在主轴的下端的研磨垫51配置成与卡盘工作台7的保持面对置。研磨构件5使研磨垫51一边旋转一边沿着z轴方向按压在位于研磨位置d的卡盘工作台7的保持面所保持的精磨削结束的器件晶片w的背面wr上。研磨构件5用于使研磨垫51沿着z轴方向对器件晶片w的背面wr进行按压，从而对器件晶片w的背面wr进行研磨加工。研磨构件5的研磨垫51按照20～50重量％包含粒径为0.35～1.7(μm)[中央值]的磨粒。即，研磨垫51按照20重量％以上50重量％以下包含平均粒径为0.35μm以上1.7μm以下的磨粒。平均粒径是指通过激光衍射/散射法求出的粒度分布中的累计值为50％的粒径。累计值为50％的粒径是指，从颗粒尺寸小的磨粒开始对颗粒数进行计数，达到总颗粒数的50％时的粒径。期望研磨垫51中所含的磨粒使用莫氏硬度比构成器件晶片w的硅高、适合生成去疵层g的磨粒，例如可以使用gc(绿色碳化硅)、wa(白刚玉)、金刚石。研磨构件5一边借助切换阀12从研磨液提供源15将具有碱性的研磨液从与研磨垫51分体的喷嘴16提供给器件晶片w的背面wr，一边使用研磨垫51对器件晶片w的背面wr实施所谓cmp(chemicalmechanicalpolishing，化学机械研磨)加工，然后一边借助切换阀12从液体提供源17将不含有磨粒的液体(在实施方式1中为纯水)从喷嘴16提供给器件晶片w的背面wr，一边使用研磨垫51在器件晶片w的背面wr侧形成去疵层g。此时，器件晶片w的抗弯强度得以维持。在实施方式1中，器件晶片w的抗弯强度维持在1000mpa以上，但本发明不限于此，将其设定为能够得到期望的器件强度那样的值即可。另外，如图3所示，研磨构件5具有x轴移动构件52，该x轴移动构件52使研磨垫51与主轴一起在与z轴方向垂直且与装置主体2的宽度方向平行的x轴方向上移动。在实施方式1中，使用含有gc等适合生成去疵层g的磨粒的研磨垫51，一边提供从研磨液提供源15提供的不含有微粒的碱性的研磨液一边进行研磨步骤st4。另外，在研磨步骤st4中，也可以使用含有gc等适合生成去疵层g的磨粒的研磨垫51，并使用含有二氧化硅(sio2)等固相反应微粒的研磨液来进行研磨步骤st4。旋转工作台6是设置在装置主体2的上表面上的圆盘状的工作台，设置成能够在水平面内旋转，按照规定的时机进行旋转驱动。在该旋转工作台6上例如以90度的相位角等间隔地配设有例如四个卡盘工作台7。这四个卡盘工作台7是在上表面具有真空卡盘的卡盘工作台构造，对所载置的器件晶片w进行真空吸附而保持。这些卡盘工作台7在磨削加工时和研磨加工时以与铅垂方向平行的轴作为旋转轴，通过旋转驱动机构在水平面内旋转驱动。这样，卡盘工作台7具有以能够旋转的方式对作为被加工物的器件晶片w进行保持的保持面。这样的卡盘工作台7通过旋转工作台6的旋转而依次移动至搬入搬出位置a、粗磨削位置b、精磨削位置c、研磨位置d以及搬入搬出位置a。盒8、9是具有多个插槽的用于对器件晶片w进行收纳的收纳器。一个盒8对在磨削研磨加工前的正面ws上粘贴有保护部件p(图5所示)的器件晶片w进行收纳，另一个盒9对磨削研磨加工后的器件晶片w进行收纳。另外，对位构件10是用于临时放置从盒8取出的器件晶片w并进行其中心对位的工作台。搬入构件11具有吸附垫，其对由对位构件10进行了对位的磨削研磨加工前的器件晶片w进行吸附保持而搬入至位于搬入搬出位置a的卡盘工作台7上。搬入构件11对保持在位于搬入搬出位置a的卡盘工作台7上的磨削研磨加工后的器件晶片w进行吸附保持而搬出至清洗构件13。搬入搬出构件14例如是具有u字型手部14a的机器人拾取器，通过u字型手部14a对器件晶片w进行吸附保持而搬送。具体而言，搬入搬出构件14将磨削研磨加工前的器件晶片w从盒8搬出至对位构件10，并且将磨削研磨加工后的器件晶片w从清洗构件13搬入至盒9。清洗构件13对磨削研磨加工后的器件晶片w进行清洗而将附着在磨削和研磨后的加工面上的磨削屑和研磨屑等污染物去除。控制构件对构成磨削研磨装置1的上述的结构要素分别进行控制。即，控制构件使磨削研磨装置1执行对器件晶片w的加工动作。控制构件是能够执行计算机程序的计算机。控制构件具有：运算处理装置，其具有cpu(centralprocessingunit，中央处理器)那样的微处理器；存储装置，其具有rom(readonlymemory，只读存储器)或ram(randomaccessmemory，随机存取存储器)那样的存储器；以及输入输出接口装置。控制构件的cpu在ram上执行rom所存储的计算机程序，生成用于控制磨削研磨装置1的控制信号。控制构件的cpu将所生成的控制信号借助输入输出接口装置而输出至磨削研磨装置1的各结构要素。另外，控制构件与显示加工动作的状态及图像等的由液晶显示装置等构成的未图示的显示构件、操作者对加工内容信息等进行登记时所用的输入构件连接。输入构件由设置在显示构件上的触摸面板和键盘等中的至少一个构成。接着，对实施方式1的器件晶片的加工方法进行说明。图4是示出实施方式1的器件晶片的加工方法的流程的流程图。图5是示出实施方式1的器件晶片的加工方法的研磨步骤的图。图6是示出实施方式1的器件晶片的加工方法的去疵层生成步骤的图。图7是示出实施方式1的器件晶片的加工方法的单片化步骤的图。如图4所示，器件晶片的加工方法(以下简称为加工方法)包含保持步骤st1、粗磨削步骤st2、精磨削步骤st3、研磨步骤st4、去疵层生成步骤st5以及单片化步骤st6。在保持步骤st1中，首先，操作者将收纳有磨削研磨加工前的器件晶片w的盒8以及未收纳器件晶片w的盒9安装在装置主体2上，并将加工信息登记在控制构件中。操作者向磨削研磨装置1输入加工动作的开始指示，开始磨削研磨装置1的加工动作。在保持步骤st1中，磨削研磨装置1的搬入搬出构件14从盒8取出器件晶片w并搬出至对位构件10，对位构件10进行器件晶片w的中心对位，搬入构件11将进行了对位的器件晶片w的正面ws侧搬入至被定位在搬入搬出位置a的卡盘工作台7上。在保持步骤st1中，磨削研磨装置1借助保护部件p而利用卡盘工作台7对器件晶片w的正面ws侧进行保持，使背面wr露出，利用旋转工作台6将器件晶片w依次搬送至粗磨削位置b、精磨削位置c、研磨位置d和搬入搬出位置a。另外，磨削研磨装置1中，每当旋转工作台6旋转90度时，磨削研磨加工前的器件晶片w被搬入至搬入搬出位置a的卡盘工作台7。在粗磨削步骤st2中，磨削研磨装置1在粗磨削位置b使用第一磨削构件3对器件晶片w的背面wr进行粗磨削加工，在精磨削步骤st3中，磨削研磨装置1在精磨削位置c使用第二磨削构件4对器件晶片w的背面wr进行精磨削加工。在研磨步骤st4中，磨削研磨装置1在研磨位置d使卡盘工作台7和研磨垫51旋转，并且一边如图5所示那样借助切换阀12从研磨液提供源15向器件晶片w的背面wr提供研磨液一边使研磨垫51与器件晶片w的背面wr抵接而对器件晶片w的背面wr进行cmp研磨加工。作为此处所说的研磨液，可以是不含有用于研磨的颗粒的液体，也可以是含有提高对于构成器件晶片w的硅的研磨性的二氧化硅等固相反应微粒的研磨液。另外，研磨垫51除了上述的含有gc等适合生成去疵层g的磨粒的研磨垫之外，也可以是含有二氧化硅等固相反应微粒并进行了固定而得的研磨垫51。在该情况下，研磨液中可以不含有二氧化硅等微粒。在去疵层生成步骤st5中，磨削研磨装置1在研磨位置d使卡盘工作台7和研磨垫51旋转，并且如图6所示那样一边借助切换阀12从液体提供源17向器件晶片w的背面wr提供不含有磨粒的液体一边使研磨垫51与器件晶片w的背面wr抵接而在器件晶片w的背面wr侧生成去疵层g。实施了去疵层生成步骤st5后的器件晶片w的背面wr的粗糙度(ra)为0.8～4.5nm。即，实施了去疵层生成步骤st5后的器件晶片w的背面wr的算术平均粗糙度(ra)为0.8nm以上4.5nm以下。这样，在实施方式1中，加工方法在研磨步骤st4和去疵层生成步骤st5中共用研磨垫51和卡盘工作台7。在实施方式1中，在研磨步骤st4和去疵层生成步骤st5中，对研磨垫51进行定位以使研磨垫51的外周覆盖器件晶片w的中心且从器件晶片w的外缘突出。磨削研磨装置1在去疵层生成步骤st5后，将实施了去疵层生成步骤st5的器件晶片w定位于搬入搬出位置a，利用搬入构件11而搬入至清洗构件13，利用清洗构件13进行清洗，利用搬入搬出构件14将清洗后的器件晶片w搬入至盒9。在单片化步骤st6中，从盒9内取出器件晶片w，从正面ws剥离保护部件p之后，在器件晶片w的正面ws上形成由包含聚乙烯醇(polyvinylalcohol：pva)或聚乙烯吡咯烷酮(polyvinylpyrrolidone：pvp)等的水溶性树脂构成的未图示的保护膜，并将器件晶片w的背面wr侧吸引保持于图7所示的激光加工机20的卡盘工作台21。单片化步骤st6中，在如图7所示一边使激光加工机20的激光照射单元22沿着分割预定线s相对移动一边从激光照射单元22向分割预定线s照射激光lr，对分割预定线s实施烧蚀加工而进行了半切割之后，施加外力而将器件晶片w沿着分割预定线s单片化成各个器件芯片dt。在照射激光lr而进行全切割的情况下，在单片化步骤st6中，将器件晶片w单片化成各个器件芯片dt，然后去除未图示的保护膜，对器件晶片w的正面ws进行清洗，对保护膜进行清洗而与碎屑一起去除。在实施方式1中，单片化步骤st6利用使用了激光lr的烧蚀加工将器件晶片w单片化成各个器件芯片dt，但本发明中，在单片化步骤st6中，可以照射激光而在器件晶片w的内部形成改质层，从而将器件晶片w单片化成各个器件芯片dt，也可以利用使用了切削刀具的切削加工将器件晶片w单片化成各个器件芯片dt。如上所述，实施方式1的加工方法中，在去疵层生成步骤st5中，使用按照20重量％以上50重量％以下含有平均粒径为0.35μm以上1.7μm以下的磨粒的研磨垫51，一边提供不含有磨粒的液体一边进行研磨加工而生成去疵层g。并且，器件晶片w的背面wr的算术平均粗糙度(ra)为0.8nm以上4.5nm以下。其结果是，实施方式1的加工方法能够确保分割后的器件芯片dt的去疵性和抗弯强度。另外，实施方式1的加工方法在去疵层生成步骤st5中，使用按照20重量％以上50重量％以下含有平均粒径为0.35μm以上1.7μm以下的磨粒的研磨垫51，一边提供不含有磨粒的液体一边进行研磨加工，因此能够使器件晶片w的背面wr的算术平均粗糙度(ra)为0.8nm以上4.5nm以下。因此，实施方式1的加工方法通过预先把握研磨垫51所含有的磨粒的粒径，能够把握与去疵层生成步骤st5后的去疵性相关关系高的背面wr的算术平均粗糙度(ra)。其结果是，实施方式1的加工方法通过对去疵层生成步骤st5后的器件晶片w的背面wr的算术平均粗糙度(ra)进行评价，能够利用简单的方法对器件芯片dt的去疵性的优劣进行判定。[实施方式2]根据附图对本发明的实施方式2的器件晶片的加工方法进行说明。图8是示出实施方式2的器件晶片的加工方法的研磨步骤的图。图9是示出实施方式2的器件晶片的加工方法的去疵层生成步骤的图。另外，图8和图9中，对与实施方式1相同的部分标记相同的标号并省略了说明。实施方式2的器件晶片的加工方法(以下，简称为加工方法)中，实施研磨步骤st4和去疵层生成步骤st5的研磨构件5的结构与实施方式1不同，除此之外，与实施方式1相同。实施方式2的加工方法(以下，简称为加工方法)中，实施研磨步骤st4和去疵层生成步骤st5的研磨构件5如图8和图9所示，在中心设置有提供通路18，该提供通路18将来自研磨液提供源15的研磨液或来自液体提供源17的液体提供给研磨垫51的与器件晶片w的背面wr抵接的研磨面的中央。另外，在实施方式2的加工方法的研磨步骤st4和去疵层生成步骤st5中，对研磨垫51进行定位以便利用研磨垫51的整体覆盖器件晶片w的整个背面wr。实施方式2的加工方法与实施方式1同样地，在去疵层生成步骤st5中，使用按照20重量％以上50重量％以下含有平均粒径为0.35μm以上1.7μm以下的磨粒的研磨垫51，一边提供不含有磨粒的液体一边进行研磨加工而生产去疵层g。并且，器件晶片w的背面wr的算术平均粗糙度(ra)为0.8nm以上4.5nm以下。其结果是，实施方式2的加工方法能够确保分割后的器件芯片dt的去疵性和抗弯强度。接着，本发明的发明人对实施方式1和实施方式2的加工方法的效果进行了确认。首先，本发明的发明人对利用磨粒的平均粒径不同的研磨垫51实施了去疵层生成步骤st5之后的器件晶片w的背面wr的去疵性进行了确认。将去疵性的确认的结果示于表1。【表1】铜原子向正面侧的移动本发明产品1无本发明产品2无本发明产品3无本发明产品4无比较例有本发明产品1使用了利用含有平均粒径为1.7μm的磨粒的研磨垫51进行去疵层生成步骤st5而得到背面wr的算术平均粗糙度(ra)为4.2nm的器件晶片w。本发明产品2使用了利用含有平均粒径为0.6μm的磨粒的研磨垫51进行去疵层生成步骤st5而得到背面wr的算术平均粗糙度(ra)为2.2nm的器件晶片w。本发明产品3使用了利用含有平均粒径为0.4μm的磨粒的研磨垫51进行去疵层生成步骤st5而得到背面wr的算术平均粗糙度(ra)为1.4nm的器件晶片w。本发明产品4使用了利用含有平均粒径为0.36μm的磨粒的研磨垫51进行去疵层生成步骤st5而得到背面wr的算术平均粗糙度(ra)为0.8nm的器件晶片w。比较例使用了利用含有平均粒径为0.25μm的磨粒的研磨垫51进行去疵层生成步骤st5而得到背面wr的算术平均粗糙度(ra)为0.7nm的器件晶片w。在表1中，对本发明产品1～4和比较例的器件晶片w的背面wr涂布每单位面积1.0×1013[atoms/cm2]的cu标准液(硫酸铜)，在使cu标准液干燥之后，以350℃的温度将器件晶片w加热3小时，使其成为铜原子容易扩散的状态。对器件晶片w进行冷却，使用txrf(全反射荧光x射线分析装置：technos株式会社制造)对涂布有cu标准液的背面wr的相反侧的正面ws的铜原子量进行测量。详细而言，将器件晶片w的正面ws分割成按照15mm×15mm划分的区域，对于各个区域各对一个部位进行铜原子量的测量，将铜原子量超过规定量的情况认定为有铜原子的移动，将规定量以下的情况认定为无铜原子的移动。根据表1的结果可知，在比较例中，存在铜原子向正面ws的移动，与此相对，在本发明产品1至本发明产品4中，没有铜原子向正面ws的移动。因此，根据表1可知，通过利用含有平均粒径为0.35μm以上1.7μm以下的磨粒的研磨垫51来实施去疵层生成步骤st5，能够确保去疵性。另外，本发明的发明人对利用磨粒的平均粒径不同的研磨垫51实施了去疵层生成步骤st5之后的器件芯片dt的抗弯强度和器件晶片w的背面wr的算术平均粗糙度(ra)进行了测量。将结果示于图10。图10是示出各实施方式的器件晶片的加工方法的研磨垫中所含的磨粒的平均粒径与器件芯片的抗弯强度和背面的算术平均粗糙度之间的关系的图。在图10中，横轴表示研磨垫51中所含的磨粒的平均粒径，纵轴表示器件芯片dt的抗弯强度。另外，利用图10的菱形表示器件晶片w的背面wr的算术平均粗糙度(ra)。根据图10可知，当研磨垫51的磨粒的平均粒径从2.2μm逐渐变小时，抗弯强度逐渐变高。另外，当研磨垫51的磨粒的平均粒径从2.2μm逐渐变小时，器件晶片w的背面wr的算术平均粗糙度(ra)逐渐变小，根据表1的结果可知，去疵性逐渐降低。这里，使用含有平均粒径为2.2μm的磨粒的研磨垫51(poligrind系列(株式会社迪思科制造))实施了去疵层生成步骤st5时的抗弯强度为900mpa。使用含有平均粒径为1.5μm的磨粒的研磨垫51实施了去疵层生成步骤st5时的抗弯强度为1058mpa，是与使用poligrind系列时同等的抗弯强度。因此，根据图10的平均磨粒为1.5μm的情况与平均粒径为0.6μm的情况等的结果可知，通过利用按照20重量％～50重量％含有平均粒径为1.7μm以下的磨粒的研磨垫51实施去疵层生成步骤st5，能够确保器件晶片w的抗弯强度。因此，根据表1和图10的结果可知，通过利用按照20重量％以上50重量％以下含有平均粒径为0.35μm以上1.7μm以下的磨粒的研磨垫51实施去疵层生成步骤st5，实施了去疵层生成步骤st5后的器件晶片w背面wr的算术平均粗糙度(ra)为0.8nm以上4.5nm以下，能够确保分割后的器件芯片dt的去疵性和抗弯强度。另外，根据表1和图10的结果可知，通过利用按照20重量％以上50重量％以下含有平均粒径为0.4μm以上1.7μm以下的磨粒的研磨垫51实施去疵层生成步骤st5，实施了去疵层生成步骤st5后的器件晶片w背面wr的算术平均粗糙度(ra)为1.4nm以上2.2nm以下，能够更加确保分割后的器件芯片dt的去疵性和抗弯强度。[变形例1]对本发明的各实施方式的变形例1的器件晶片的加工方法进行说明。在实施方式1和实施方式2中，器件晶片w的器件dv是逻辑器件，但在变形例1中，器件dv是存储器(闪速存储器或dram(dynamicrandomaccessmemory，动态随机存取存储器)等存储器)的器件。变形例1的器件晶片的加工方法中，在利用磨削研磨装置1进行加工之前，利用激光lr的烧蚀加工或切削刀具的切削加工从正面ws沿着分割预定线s形成未达到背面wr的槽，在通过对背面wr的粗磨削、精磨削而分割成各个器件芯片dt之后，依次进行研磨步骤st4和去疵层生成步骤st5而在背面wr形成去疵层g。在变形例中，粗磨削步骤st2或精磨削步骤st3相当于单片化步骤st6。变形例1的器件晶片的加工方法与各实施方式同样，能够确保分割后的器件芯片dt的去疵性和抗弯强度。这样，本发明的加工方法的器件晶片w表示单片化成实施方式1和实施方式2所示的各个器件芯片dt之前的情况和单片化成变形例1所示的各个器件芯片dt之后的情况这两者。[变形例2]对本发明的各实施方式的变形例2的器件晶片的加工方法进行说明。实施方式1和实施方式2中所用的磨削研磨装置1具有进行粗磨削步骤st2的第一磨削构件3、进行精磨削步骤st3的第二磨削构件4以及进行研磨步骤st4和去疵层生成步骤st5的研磨构件5，变形例2中所用的磨削研磨装置1具有进行粗磨削步骤st2的第一磨削构件3、进行精磨削步骤st3的第二磨削构件4、不提供研磨液而使用干式的研磨垫来进行研磨步骤st4的研磨构件以及与进行去疵层生成步骤st5的各实施方式的研磨构件5等同的去疵层生成构件。变形例2的器件晶片的加工方法与各实施方式同样地，能够确保分割后的器件芯片dt的去疵性和抗弯强度。根据各实施方式和各变形例，能够得到以下的器件芯片的制造方法。(附记1)一种器件芯片的制造方法，其包含如下的步骤：去疵层生成步骤，一边向旋转的器件晶片的背面提供不含有磨粒的液体一边使旋转的研磨垫抵接而生成去疵层，其中，所述研磨垫按照20～50重量％含有粒径为0.35～1.7(μm)[中央值]的磨粒；以及单片化步骤，沿着分割预定线将器件晶片单片化成各个器件芯片。另外，本发明并不限于上述实施方式、变形例。即，可以在不脱离本发明的主旨的范围内进行各种变形并实施。在本发明中，在去疵层生成步骤st5中，可以使用下述研磨垫51：如日本特开2015-46550所示那样，在液态结合剂中混入硅、引起固相反应的固相反应微粒以及莫氏硬度比硅高且引起研磨的研磨微粒，并使液态结合剂浸渍在无纺布中而构成，按照20重量％以上50重量％以下含有粒径为0.35μm以上1.7(μm)[中央值]以下的研磨微粒。当前第1页12