一种用于预清洗机的水道装置、预清洗机以及预清洗方法与流程

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种水道装置、预清洗机以及预清洗方法。

背景技术：

12寸硅片对颗粒的要求已经达到了极致的地步。硅片的颗粒性能(particleperformance)分为lpd(lightpointdefect)和lpdn(lightpointdefect-nonremovable)两种。lpd一般指凸起的可以被清洗去除的颗粒，而lpdn指凹的，不可以被移除的缺陷。随着ic(集成电路)技术节点已接近10nm以下，即使是1颗20nm左右的颗粒，不论是lpd或者lpdn，都将会是器件杀手，对后道ic制程造成良率损失。因此，毛晶圆(barewafer)本身的颗粒性能就变得尤为重要。

对颗粒造成最重要影响的是最终抛光(finalpolish，fp)和抛光后的预清洗(preclean)两道工艺，最终抛光通过对晶圆(即硅片)正面进行抛光能有效去除颗粒。而抛光中引入的颗粒，如抛光液(slurry)残留，硅碎屑等则能够通过预清洗有效去除。然而在实际中，存在一个最终抛光与预清洗之间的等待时间(q-time)的问题。由于最终抛光使用的抛光液呈碱性，当抛光液残留在晶圆上时，如果在一定时间内没有及时去除，抛光液会腐蚀晶圆表面，造成lpdn增多。目前的清洗机为增加产量(throughtput)，往往设计有水道(waterchannel)。水道置于清洗机中清洗药液槽(wetbatch)之前，用于盛放暂时未能投入清洗药液槽的一盒晶圆(lot，25片晶圆)。由于清洗槽清洗时间的限制，一般每15分钟才允许投入一组晶圆(即一个batch，50片晶圆，两个lot)，而一般水道中可盛放10盒晶圆(10lot)，这就意味着最后一组晶圆(即最后一个batch)需要经过至少4x15＝60min的等待时间，才能开始清洗，这样就增加了等待时间，造成潜在的抛光液对晶圆的腐蚀。

因此有必要提出一种用于预清洗机的水道装置、预清洗机以及预清洗方法，以至少部分解决上述问题。

技术实现要素：

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

针对现有技术的不足，本发明提出一种用于预清洗机的水道装置、预清洗机以及预清洗方法，可以降低甚至避免抛光液对晶圆的腐蚀。

为了克服目前存在的问题，本发明的一方面提供一种用于预清洗机的水道装置，包括：水槽以及设置在水槽侧壁上的进水口和出水口，并且所述进水口和出水口设置在所述水槽的与所述水槽延伸方向平行的侧壁上或者设置在所述水槽的与所述水槽延伸方向垂直的侧壁上。

可选地，所述进水口和出水口分别设置在所述水槽相对的两个侧壁上。

可选地，所述进水口和出水口均匀设置在所述水槽的侧壁上。

本发明的另一方面提供一种用于预清洗机的水道装置，包括：

第一水道，所述第一水道包括第一水槽和设置在所述第一水槽中的侧壁上的第一进水口和第一出水口，并且所述第一进水口和第一出水口分别设置在所述水槽的与所述水槽延伸方向平行的两个侧壁上；

第二水道，所述第二水道包括第二水槽和设置在所述第二水槽中的侧壁上的第二进水口和第二出水口，并且所述第二进水口和第二出水口分别设置在所述水槽的与所述水槽延伸方向垂直的两个侧壁上。

可选地，所述第一水槽能够容纳两个晶盒，所述第二水槽能够容纳8个晶盒。

根据本发明的用于预清洗机的水道装置，通过在水槽的与所述水槽延伸方向平行或垂直的侧壁上设置进水口和出水口，使得清洗时可以通过将晶圆表面放置为平行于进水口和出水口的连线方向，以便水流可以冲刷晶圆表面，从而更好地去除残留的抛光液，降低甚至避免抛光液对晶圆的腐蚀。

本发明的又一方面提供一种预清洗机，包括上述的水道装置以及与所述水道装置相邻布置的清洗液槽。

本发明的又一方面提供一种预清洗机，包括上述的水道装置以及与所述第二水道装置相邻布置的清洗液槽。

根据本发明的预清洗机，通过在水道装置的与所述水道装置延伸方向平行或垂直的侧壁上设置进水口和出水口，使得清洗时可以通过将晶圆表面放置为平行于进水口和出水口的连线方向，以便水流可以冲刷晶圆表面，从而更好地去除残留的抛光液，降低甚至避免抛光液对晶圆的腐蚀。

本发明的再一方面提供一种预清洗方法，包括：

将装载有待清洗晶圆的晶盒依次放置在所述水道装置中，并且当所述进水口和出水口设置在所述水槽的与所述水槽延伸方向平行的侧壁上时，所述晶盒以使所述晶圆的表面垂直于晶盒在所述水槽中的移动方向的方式放置；当所述进水口和出水口设置在所述水槽的与所述水槽延伸方向垂直的侧壁上时，所述晶盒以使所述晶圆的表面平行于晶盒在所述水槽中的移动方向的方式放置；

在所述水道装置中水洗所述晶圆；

按设定时间间隔依次将所述水道装置中的所述晶盒放入清洗液槽中；

在所述清洗液槽中清洗所述晶圆。

本发明的再一方面提供一种预清洗方法，包括：

将装载有待清洗晶圆的晶盒放置在所述第一水道中，并且使所述晶圆的表面垂直于所述晶盒在所述第一水槽中的移动方向；

在所述第一水道中清洗所述晶圆；

将所述第一水道中的所述晶盒放置到所述第二水道中，并且使所述晶圆的表面平行于所述晶盒在所述第二水槽中的移动方向；

在所述第二水道中水洗所述晶圆；

按设定时间间隔依次将所述第二水道中的所述晶圆放入清洗液槽中；

在所述清洗液槽中清洗所述晶圆。

可选地，所述第一水道能够容纳2个晶盒，所述第二水道能够容纳8个晶盒。

根据本发明的预清洗方法，由于采用上述水道装置，因此在预清洗时可以更好地去除残留的抛光液，从而降低甚至避免抛光液对晶圆的腐蚀。

附图说明

本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的原理。

附图中：

图1a示出一种预清洗机的示意性俯视图；

图1b示出图1a所示预清洗机的水道装置的示意性正视图；

图1c示出图1a中晶盒的示意性左视图；

图1d示出图1a中晶盒的示意性正视图；

图2a示出根据本发明一实施方式的预清洗机的示意性俯视图；

图2b示出使用图2a所示预清洗机清洗时水流流过晶盒的示意图；

图2c示出图2a所示预清洗机的水道装置的示意性正视图；

图2d示出使用图2a所示预清洗机清洗时根据晶盒投入量控制进/出水口的打开和关闭；

图3a示出根据本发明另一实施方式的预清洗机的示意性俯视图；

图3b示出使用图3a所示预清洗机清洗时水流流过晶盒的示意图；

图3c示出图3a所示预清洗机的水道装置的示意性侧视图；

图3d示出使用图3a所示预清洗机清洗时晶盒移动过程示意图；

图4a示出根据本发明另一实施方式的预清洗机的示意性俯视图；

图4b示出使用图4a所示预清洗机清洗时水流流过晶盒的示意图；

图4c示出使用图4a所示预清洗机清洗时晶盒移动过程示意图。

具体实施方式

在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。

应当理解的是，本发明能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本发明的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大自始至终相同附图标记表示相同的元件。

应当明白，当元件或层被称为“在…上”、“与…相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在…上”、“与…直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本发明教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。

空间关系术语例如“在…下”、“在…下面”、“下面的”、“在…之下”、“在…之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在…下面”和“在…下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。

在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本发明的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。

如前所述目前最终抛光后的预清洗过程中，由于等待时间可能造成残留抛光液腐蚀晶圆的问题，为了克服这种问题，目前常见的做法是在预清洗机的水道中增加溢流功能，图1a和图1b示出一种具有溢流功能的预清洗机。如图1a和图1b所示，预清洗机100包括水道101和与水道101相邻布置的清洗液槽102，其中水道101可以容纳10个晶盒，每个清洗液槽102可以容纳2个晶盒，装载有晶圆的晶盒如图1c和图1d所示，晶盒11为开放式结构，每个晶盒可以支撑一定数量的晶圆10。最终抛光后的晶圆10装载在晶盒11中放入预清洗机100中进行预清洗。具体地，首先放入水道101中利用去离子水进行水洗，然后在放入清洗液槽102中利用清洗液(例如sc1、sc2)进行清洗。并且进一步地，在水道中101中，在左右两个侧壁的底部设置溢流入口1010，通过溢流入口1010不断向水道中加入新的去离子水(diw)，来降低水道中碱性抛光液的浓度，并争取将残余在晶圆表面的抛光液带离。然而，由于水道面积较大，如果要保证溢流的效果，往往需要大流量的去离子水，同时由于晶圆间仅有1cm的间距，溢流入口通入的去离子水仅通过扩散无法实现对晶圆表面有效的冲刷。本发明基于此，对预清洗机的水道进行了改进，以克服这些问题，从而降低甚至避免抛光液对晶圆的腐蚀。

为了彻底理解本发明，将在下列的描述中提出详细的结构及步骤，以便阐释本发明提出的技术方案。本发明的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本发明还可以具有其他实施方式。

实施例一

图2a示出根据本发明一实施方式的预清洗机的示意性俯视图；图2b示出使用图2a所示预清洗机清洗时水流流过晶盒的示意图；图2c示出图2a所示预清洗机的水道的示意性正视图；图2d示出使用图2a所示预清洗机清洗时根据晶盒投入量控制进/出水口的打开和关闭。下面结合图2a～图2d对根据本发明一实施方式的预清洗机进行描述。

如图2a所示，根据本发明一实施方式的预清洗机200包括水道装置201和与水道装置201相邻布置的清洗液槽202。示例性地，水道装置201可以容纳10个晶盒11，清洗液槽202可以容纳2个晶盒11，每个晶盒11装载有若干晶圆10。

在本实施方式中，水道装置201包括水槽2010和分别设置在水槽2010两个相对的侧壁上的进水口2011和出水口2012。水槽2010呈长方体槽状，进水口2011和出水口2012设置在水槽2010的平行于水槽2010延伸方向的侧壁上。例如在图2a中，水槽2010沿横向(箭头所示方向)延伸，进水口2011和出水口2012分别设置在水槽2010的平行于水槽2010延伸方向的两个侧壁上(即设置在前侧臂和后侧壁上)。进水口2011和出水口2012的设置方式如图2c所示，在水槽2010的侧壁上均匀设置多个进/出水口，示例性地，例如进/出水口布满水槽2010的横向延伸的两个侧壁。这样由于加进/出水口的密度增加，水流流动能力也增加。

需要说明的是，水槽2010的延伸方向指的是水槽2010的长度方向或者晶盒11在水槽2010中的移动方向。

当使用图2a所示的预清洗机清洗晶圆时，晶盒11以使晶圆表面垂直于晶盒移动方向/水槽延伸方向的方式投入水道装置201中，这样由进水口2011通入并由出水口2012流出的去离子水可以如图2b所示冲刷每个晶圆10的表面，并将晶圆10上残留的抛光液带离，从而降低甚至避免抛光液对晶圆的腐蚀。清洗过程中，晶盒11在水道装置201中沿图2a中箭头所示方向从左至右移动，并最终进入清洗液槽202中清洗。更具体地，每隔设定时间将水道中的前两个晶盒移入清洗液槽202中。

进一步地，为了避免浪费去离子水，在使用图2a所示的预清洗机清洗晶圆时，可以根据投入的晶盒11的数量控制进/出水口的开启/关闭数量。示例性地，如图2d所示，当水道装置201中投入8个晶盒时，可以关闭与未投入晶盒的区域对应的进/出水口，以节省去离子水。

在本实施方式中，同时提供一种预清洗方法，其使用图2a所示的预清洗机，该预清洗方法包括：

步骤s201，将装载有待清洗晶圆的晶盒依次放置在所述水道装置中，并且所述晶盒以使所述晶圆的表面垂直于晶盒在所述水槽中的移动方向的方式放置。

具体地，通过机械手，将装载有待清洗晶圆(例如最终抛光后预清洗之前的晶圆)的晶盒投入到水道中，例如按先后顺序自右至左投入到水道中。

步骤s202，在所述水道装置中水洗所述晶圆。即利用由进水口通入并由出水口流出的去离子水冲刷每个晶圆的表面。

步骤s203，按设定时间间隔依次将所述水道装置中的所述晶盒放入清洗液槽中。在水道装置中清洗预定时间后，通过机械手将水道中前两个晶盒移入清洗液槽中，并将水道装置中后面的晶盒依次向前移动。

步骤s204，在所述清洗液槽中清洗所述晶圆。在清洗液槽中例如诸如sc1的清洗液清洗晶圆，以去除晶圆诸如残留的抛光液、硅碎屑等颗粒，提高晶圆的颗粒性能。

实施例二

图3a示出根据本发明另一实施方式的预清洗机的示意性俯视图；图3b示出使用图3a所示预清洗机清洗时水流流过晶盒的示意图；图3c示出图3a所示预清洗机的水道的示意性侧视图；图3d示出使用图3a所示预清洗机清洗时晶盒移动过程示意图。下面结合图3a～图3d对根据本发明一实施方式的预清洗机进行描述。

如图3a所示，根据本发明一实施方式的预清洗机300包括水道装置301和与水道装置301相邻布置的清洗液槽302。示例性地，水道装置301可以容纳10个晶盒11，清洗液槽302可以容纳2个晶盒11，每个晶盒11装载有若干晶圆10。

在本实施方式中，水道装置301包括水槽3010和分别设置在水槽3010两个相对的侧壁上的进水口3011和出水口3012。水槽3010呈长方体槽状，进水口3011和出水口3012设置在水槽3010的垂直于水槽3010延伸方向的侧壁上。例如在图3a中，水槽3010沿横向(箭头所示方向)延伸，进水口3011和出水口3012分别设置在水槽3010的垂直于水槽3010延伸方向的两个侧壁上(即左右两个侧壁上)。进水口3011和出水口3012的设置方式如图3c所示，在水槽3010的侧壁上均匀设置多个进/出水口，示例性地，例如进/出水口布满水槽3010的左右两个侧壁。这样由于加进/出水口的密度增加，水流流动能力也增加。

需要说明的是，水槽3010的延伸方向指的是水槽3010的长度方向或者晶盒11在水槽3010中的移动方向。

当使用图3a所示的预清洗机清洗晶圆时，晶盒11以使晶圆表面平行于晶盒移动方向/水槽延伸方向的方式投入水道装置301中，这样由进水口3011通入并由出水口3012流出的去离子水可以如图3b所示冲刷每个晶圆10的表面，并将晶圆10上残留的抛光液带离，从而降低甚至避免抛光液对晶圆的腐蚀。清洗过程中，晶盒11在水道装置301中沿图3a中箭头所示方向从左至右移动，并最终进入清洗液槽302中清洗。更具体地，如图3d所示，每隔设定时间将水道中的前两个晶盒移入清洗液槽302中，并将水道装置301中后面的晶盒依次向前移动。

在本实施方式中，同时提供一种预清洗方法，其使用图3a所示的预清洗机，该预清洗方法包括：

步骤s301，将装载有待清洗晶圆的晶盒依次放置在所述水道中，并且所述晶盒以使所述晶圆的表面平行于晶盒在所述水槽中的移动方向的方式放置。

具体地，通过机械手，将装载有待清洗晶圆(例如最终抛光后预清洗之前的晶圆)的晶盒投入到水道装置中，例如按先后顺序自右至左投入到水道装置中。

步骤s302，在所述水道装置中水洗所述晶圆。即利用由进水口通入并由出水口流出的去离子水冲刷每个晶圆的表面。

步骤s303，按设定时间间隔依次将所述水道装置中的所述晶盒放入清洗液槽中。在水道装置中清洗预定时间后，通过机械手将水道装置中前两个晶盒移入清洗液槽中，并将水道装置中后面的晶盒依次向前移动。并且，在通过机械手将水道装置中前两个晶盒移入清洗液槽中时，如图3d所示将晶盒旋转90度。

步骤s304，在所述清洗液槽中清洗所述晶圆。在清洗液槽中例如诸如sc1的清洗液清洗晶圆，以去除晶圆诸如残留的抛光液、硅碎屑等颗粒，提高晶圆的颗粒性能。

实施例三

图4a示出根据本发明另一实施方式的预清洗机的示意性俯视图；图4b示出使用图4a所示预清洗机清洗时水流流过晶盒的示意图；图4c示出使用图4a所示预清洗机清洗时晶盒移动过程示意图。下面结合图4a～图4c对根据本发明一实施方式的预清洗机进行描述。

如图4a所示，根据本发明一实施方式的预清洗机400包括第一水道装置401、第二水道装置402和与第二水道装置402相邻布置的清洗液槽403。示例性地，第一水道装置401可以容纳2个晶盒11，第二水道装置402可以容纳8个晶盒11，清洗液槽403可以容纳2个晶盒11，每个晶盒11装载有若干晶圆10。

在本实施方式中，第一水道装置401采用类似实施例一中所公开的水道的结构。具体地，第一水道装置401包括第一水槽4010和分别设置在第一水槽4010两个相对的侧壁上的第一进水口4011和第一出水口4012。第一水槽4010呈正方体槽状，第一进水口4011和第一出水口4012设置在第一水槽4010的两个相对的侧壁上，例如前后两个侧壁。第一进水口4011和第一出水口4012的设置方式与如图3c所示类似，在第一水槽4010的侧壁上均匀设置多个进/出水口，示例性地，例如进/出水口布满第一水槽4010的前后两个侧壁。这样由于加进/出水口的密度增加，水流流动能力也增加。

在本实施方式中，第二水道装置402采用类似实施例二中所公开的水道的结构。具体地，第二水道装置402包括第二水槽4020和分别设置在第二水槽4020两个相对的侧壁上的进水口4021和出水口4022。第二水槽4020呈长方体槽状，第二进水口4021和出水口4022设置在第二水槽4020的垂直于第二水槽4020延伸方向的侧壁上。例如在图4a中，第二水槽4020沿横向(箭头所示方向)延伸，第二进水口4021和第二出水口4022分别设置在第二水槽4020的垂直于第二水槽4020延伸方向的两个侧壁上(即左右两个侧壁上)。第二进水口4021和第二出水口4022的设置方式如图3c所示，在第二水槽4020的侧壁上均匀设置多个进/出水口，示例性地，例如进/出水口布满第二水槽4020的左右两个侧壁。这样由于加进/出水口的密度增加，水流流动能力也增加。

需要说明的是，第二水槽4020的延伸方向指的是第二水槽4020的长度方向或者晶盒11在第二水槽4020中的移动方向。

当使用图4a所示的预清洗机清洗晶圆时，晶盒11以使晶圆表面垂直于晶盒移动方向/第一水槽延伸方向的方式投入第一水道装置401中，这样由第一进水口4011通入并由第一出水口4012流出的去离子水可以如图4b中左图所示冲刷每个晶圆10的表面，并将晶圆10上残留的抛光液带离，从而降低甚至避免抛光液对晶圆的腐蚀。晶盒11在第一水道装置401中清洗完之后，如图4c所示通过机械手取出并放入第二水道402中，在放入第二水道装置402时旋转90度，以使晶圆表面平行直于晶盒移动方向/第二水槽延伸方向，这样由第二进水口4021通入并由第二出水口4022流出的去离子水可以如图4c所示冲刷每个晶圆10的表面，并将晶圆10上残留的抛光液进一步带离，从而降低甚至避免抛光液对晶圆的腐蚀。清洗过程中，晶盒11在第二水道装置402中沿图4a中箭头所示方向从左至右移动，并最终进入清洗液槽403中清洗。更具体地，如图4c所示，每隔设定时间将第二水道装置402中的前两个晶盒移入清洗液槽403中，并将第二水道402中后面的晶盒依次向前移动。

在本实施方式中，同时提供一种预清洗方法，其使用图4a所示的预清洗机，该预清洗方法包括：

步骤s401，将装载有待清洗晶圆的晶盒放置在所述第一水道装置中，并且使所述晶圆的表面垂直于所述晶盒在所述第一水槽中的移动方向，也即平行于第一进水口和第一出水口的连线方向。

具体地，通过机械手，将装载有待清洗晶圆(例如最终抛光后预清洗之前的晶圆)的晶盒投入到第一水道装置中，例如按先后顺序自右至左投入到第一水道中。

步骤s402，在所述第一水道装置中清洗所述晶圆。即利用由第一进水口通入并由第一出水口流出的去离子水冲刷每个晶圆的表面。

步骤s403，将所述第一水道装置中的所述晶盒放置到所述第二水道中，并且使所述晶圆的表面平行于所述晶盒在所述第二水槽中的移动方向。在第一水道装置中清洗预定时间后，通过机械手将第一水道中的两个晶盒移入第二水道中，并将第二水道装置中前面的晶盒依次向前移动。并且，在通过机械手将第一水道中的两个晶盒移入第二水道中时，如图4c所示将晶盒旋转90度。

步骤s404，在所述第二水道装置中水洗所述晶圆。即利用由第二进水口通入并由第二出水口流出的去离子水冲刷每个晶圆的表面。

步骤s405，按设定时间间隔依次将所述第二水道装置中的所述晶圆放入清洗液槽中。即在第二水道装置中清洗预定时间后，通过机械手将第二水道装置中前两个晶盒移入清洗液槽中，并将第二水道装置中后面的晶盒依次向前移动。并且，在通过机械手将第二水道装置中前两个晶盒移入清洗液槽中时，如图4c所示将晶盒旋转90度。

步骤s406，在所述清洗液槽中清洗所述晶圆。在清洗液槽中例如诸如sc1的清洗液清洗晶圆，以去除晶圆诸如残留的抛光液、硅碎屑等颗粒，提高晶圆的颗粒性能。

本发明已经通过上述实施例进行了说明，但应当理解的是，上述实施例只是用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围内。此外本领域技术人员可以理解的是，本发明并不局限于上述实施例，根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。本发明的保护范围由附属的权利要求书及其等效范围所界定。