技术特征：
技术总结
本发明公开一种1xN型单片集成式半导体主振荡放大器。其中，所述主振荡放大器包括：基于半导体激光器的主振荡器，用于产生基横模和单纵模的种子激光；基于1xN多模干涉耦合器的半导体功率放大器，用于对所述种子激光进行功率放大，并将经过功率放大后的所述种子激光分成多路激光光束输出。本发明提供的1xN型单片集成式半导体主振荡放大器，主振荡器和半导体功率放大器集成在半导体衬底上，主振荡器产生的种子激光通过半导体功率放大器进行功率放大，并在经过功率放大后分成多路激光光束输出，有源区的面积增加，增加了功率放大器的饱和输出功率，降低热效应对器件的影响，能够提高主振荡放大器与光纤的耦合效率。
技术研发人员：李召松;徐洋;王鹏飞;张冶金;于红艳;潘教青;王庆飞;田林岩
受保护的技术使用者：北京万集科技股份有限公司
技术研发日：2017.09.26
技术公布日：2019.04.02