技术特征：
技术总结
本发明公开了GaN基复合DBR谐振腔激光器外延片、激光器及制备方法，所述GaN基复合DBR谐振腔激光器外延片由下至上依次包括：衬底、缓冲层、AlN/GaN布拉格反射镜、n‑GaN层、下波导层、多量子阱层、上波导层、超晶格电子阻挡层、p‑GaN层，所述超晶格电子阻挡层的材料为Al组分渐变的p‑AlxGa1‑xN/GaN，其中，0<x<0.5。所述GaN基复合DBR谐振腔激光器由下至上依次包括：所述GaN复合DBR谐振腔激光器外延片、介质膜、ITO电流扩展层、介质膜布拉格反射镜、正电极、负电极。本发明所述GaN基复合DBR谐振腔激光器阀值低、光学损耗低、晶格失配度低，p型层的空穴注入效率高。
技术研发人员：孙慧卿;张秀;郭志友;侯玉菲;汪鑫;龚星;徐智鸿;刘天意
受保护的技术使用者：华南师范大学
技术研发日：2017.10.26
技术公布日：2018.03.16