技术特征：
技术总结
本发明公开了一种GaN基新型结构激光器及其制作方法，所述GaN基新型结构激光器从下至上依次包括：衬底、下限制层、下波导层、有源区层、未掺杂的AlInGaN极化缓解层、电子阻挡层、上波导层、上限制层、欧姆接触层，以及位于衬底的下表面的n型欧姆电极。本发明所述GaN基新型结构激光器在有源区和电子阻挡层之间插入了一层未掺杂的AlInGaN，可以降低极化效应，缓解了有源区和电子阻挡层表面的部分压力，有助于增加载流子的有效势垒高度，从而有利于减少吸收损耗和阀值电流，使激光器的性能得到显著提升。
技术研发人员：孙慧卿;汪鑫;郭志友;张秀;侯玉菲;龚星;徐智鸿;刘天意
受保护的技术使用者：华南师范大学
技术研发日：2017.10.26
技术公布日：2018.02.27