晶片的加工方法与流程

本发明涉及晶片的加工方法，将晶片分割成多个器件芯片。

背景技术：

作为晶片的加工方法，提出了使用将激光加工和磨削加工组合的sdbg(stealthdicingbeforegrinding，先隐形切割再研磨)的方法(例如，参照专利文献1)。在sdbg中，在将保护部件粘贴在晶片的正面上之后，从晶片的背面侧一边使对于晶片具有透过性的波长的脉冲激光光线会聚在晶片的内部一边沿着晶片的分割预定线进行照射。由此，在晶片的内部沿着分割预定线形成改质层。在形成了改质层之后，利用磨削装置的保持单元对晶片的保护部件侧进行保持。并且，使磨削磨具一边旋转一边按压晶片的背面而进行磨削，从而晶片薄化至规定的完工厚度，并且晶片因磨削压力而以改质层作为分割起点被分割成各个器件芯片。

专利文献1：日本特许第3762409号公报

但是，在上述的晶片的加工方法中，晶片在磨削过程中单片化成芯片，因此在已单片化的状态下磨削屑会进入到芯片间。因此，存在下述问题：磨削屑等附着物附着在芯片侧面上而造成污染，成为产品缺陷的原因。

技术实现要素：

本发明是鉴于该点而完成的，其目的之一在于提供一种晶片的加工方法，能够防止从晶片分割而得的芯片侧面的污染。

本发明的一个方式的晶片的加工方法，该晶片在正面上的由分割预定线划分的多个区域中形成有器件，其特征在于，该晶片的加工方法具有如下的步骤：改质层形成步骤，从晶片的背面将对于晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于晶片内部而沿着分割预定线进行照射，在晶片内部形成改质层；分割步骤，在实施了改质层形成步骤之后，从晶片的背面利用磨削单元进行磨削而使晶片薄化至完工厚度，并且利用磨削动作以改质层作为起点而沿着分割预定线对晶片进行分割；扩展带粘贴步骤，在实施了分割步骤之后，在进行了磨削的背面侧粘贴扩展带；带扩展步骤，在实施了扩展带粘贴步骤之后，对扩展带进行扩展，在使相邻的芯片彼此分离的方向上进行扩展而在相邻的芯片间形成间隙；以及芯片间清洗步骤，在实施了带扩展步骤之后，使干冰微粒高速喷射至芯片间的间隙而沿着多个芯片间进行喷射，对芯片间进行清洗。

根据该方法，使干冰微粒高速喷射至芯片间的间隙而进行清洗，因此能够高效地去除芯片侧面的附着物。由此，能够避免芯片侧面保持受到污染的状态，能够提高加工后的芯片的产品品质。

根据本发明，利用干冰微粒的喷射来进行清洗，因此能够防止从晶片分割而得的芯片侧面的污染。

附图说明

图1是实施方式的晶片的概略立体图。

图2是改质层形成步骤的说明图。

图3是分割步骤的说明图。

图4是扩展带粘贴步骤的说明图。

图5是带扩展步骤的说明图。

图6是芯片间清洗步骤的说明图。

图7是芯片间清洗步骤的说明图。

标号说明

22：磨削磨轮(磨削单元)；c：芯片；d：器件；dr：干冰微粒；et：扩展带；l：分割预定线；r：改质层；s：间隙；w：晶片；w1：正面；w2：背面。

具体实施方式

以下，参照附图对本实施方式的晶片的加工方法进行说明。首先，参照图1，对利用本实施方式的晶片的加工方法进行加工的晶片进行说明。图1是本实施方式的晶片的概略立体图。

如图1所示，晶片w形成为大致圆板状。在晶片w的正面w1上呈格子状配置有多条分割预定线l，并形成有由分割预定线l划分的多个器件d。在晶片w的正面w1上粘贴有用于对器件d进行保护的保护带t。

晶片w例如具有300[μm]以上的厚度，通过组合了激光加工和磨削加工的sdbg而分割成各个器件芯片。在该情况下，在利用激光加工在晶片w内形成了改质层之后，利用磨削加工将晶片w磨削至完工厚度，并且以改质层作为分割起点对晶片w进行分割。另外，晶片w可以是在硅、砷化镓等半导体基板上形成有ic、lsi等半导体器件的半导体晶片，也可以是在蓝宝石、碳化硅等无机材料基板上形成有led等光器件的光器件晶片。

接着，参照图2至图7，对本实施方式的晶片的加工方法进行说明。图2示出改质层形成步骤的说明图，图3示出分割步骤的说明图，图4示出扩展带粘贴步骤的说明图，图5示出带扩展步骤的说明图，图6和图7示出芯片间清洗步骤的说明图。另外，在本实施方式中，对将晶片的加工方法应用于sdbg的一例进行说明，但可以应用于在晶片的内部以改质层作为起点进行分割的其他方法。

如图2所示，首先实施改质层形成步骤。在改质层形成步骤中，首先，粘贴有保护带t的晶片w隔着保护带t而吸附保持于激光加工装置(未图示)的保持工作台10上。接着，将加工头11的射出口定位于晶片w的分割预定线的正上方，从加工头11朝向晶片w的背面w2照射激光光线。激光光线调整为对于晶片w具有透过性的波长，并将聚光点定位于晶片w的内部。通过这样进行调整并且使加工头11相对于晶片w进行相对移动，从而在晶片w的内部形成沿着分割预定线的改质层r。

在实施了改质层形成步骤之后，如图3所示，实施分割步骤。在分割步骤中，在磨削装置20的卡盘工作台21上隔着保护带t而保持晶片w。如下进行磨削：使磨削磨轮(磨削单元)22一边旋转一边接近卡盘工作台21，从未图示的喷嘴喷射磨削液，并且使磨削磨轮22与晶片w的背面w2旋转接触，从而晶片w薄化至完工厚度。利用该磨削动作，从磨削磨轮22对改质层r作用磨削压力，裂纹以改质层r作为起点而在晶片w的厚度方向上伸长。由此，晶片w被沿着分割预定线分割而与器件对应地形成各个芯片c(参照图4)。

在实施了分割步骤之后，如图4所示，实施扩展带粘贴步骤。在扩展带粘贴步骤中，在呈环状的框架f的内侧配置晶片w，然后在进行了磨削的晶片w的背面(下表面)w2侧和框架f的下表面侧一体地粘贴扩展带et。由此，晶片w借助扩展带et而安装于框架f。

在实施了扩展带粘贴步骤之后，如图5所示，实施带扩展步骤。在带扩展步骤中，在扩展装置(未图示)的扩展鼓31上载置晶片w，晶片w的周围的框架f被框架保持部32保持。此时，扩展鼓31的直径大于晶片w，对于晶片w与框架f之间的扩展带et，扩展鼓31的外周边缘从下侧与其接触。并且，框架保持部32向下降方向移动，从而扩展鼓31被相对地顶起。

通过扩展鼓31与框架保持部32远离，扩展带et在放射方向上扩展。换言之，扩展带et在使相邻的芯片c彼此分离的方向上扩展，在晶片w上在相邻的芯片c之间形成间隙s。

在实施了带扩展步骤之后，如图6和图7所示，实施芯片间清洗步骤。图7示出了图6的a-a线剖视图。在芯片间清洗步骤中，首先，在维持在相邻的芯片c之间形成有间隙s的状态下，将喷射干冰微粒dr的喷射喷嘴41的前端与吸引喷嘴42(在图6中未图示)的前端定位于间隙s的正上方。此时，喷射喷嘴41与吸引喷嘴42在间隙s的延伸方向上排列，在喷射喷嘴41的喷射方向下游侧配设吸引喷嘴42。然后，从喷射喷嘴41朝向间隙s高速喷射干冰微粒dr，并且利用吸引喷嘴42对喷射了干冰微粒dr的部分的附近的空气进行吸引。这样进行喷射和吸引，并且喷射喷嘴41和吸引喷嘴42相对于间隙s进行相对移动，沿着多个芯片c间喷射干冰微粒dr。

这里，利用喷射喷嘴41喷射的干冰微粒dr例如由液化二氧化碳生成并与利用压缩机压缩的空气混合而进行喷射。喷射喷嘴41可以以点状或线状的任意方式喷射干冰微粒dr，设置数量可以为单个和多个的任意数量。所喷射的干冰微粒dr被吹送至形成间隙s的芯片c的侧面或其附近区域并进行碰撞。通过该碰撞，干冰微粒dr侵入至芯片c与所附着的磨削屑等附着物之间。所侵入的干冰微粒dr发生气化膨胀，从而将附着物从芯片c剥离，并且发生物理性弹飞，对形成间隙s的芯片c间进行清洗。弹飞的附着物被吸引喷嘴42吸引并集尘而从芯片c上去除。

在这样利用干冰微粒dr进行清洗的情况下，是不使用清洗液或药液的干式清洗，因此在无法应对湿环境的扩展装置中也能够进行清洗，并且没有对清洗液等进行回收或处理等的负担，能够实现工序的简略化。另外，通过控制干冰微粒dr的流速或粒径，能够进行清洗能力的调整，能够稳定地发挥清洗效果。

如上所述，根据上述实施方式的加工方法，所喷射的干冰微粒dr进入间隙s的内侧，从而能够利用干冰微粒dr将芯片c侧面的附着物弹飞而去除。因此，在sdbg的分割步骤中，即使磨削所致的磨削液或磨削屑进入间隙s并附着在芯片c的侧面，也能够良好地对芯片c间进行清洗，能够提高芯片c的产品品质。另外，在由干冰微粒dr的喷射进行的清洗中，凭借使用纯水等液体或高压空气的清洗难以去除的附着物也能够简单地去除，能够高效地对芯片c间进行清洗而防止芯片c的侧面的污染。

另外，设置了吸引喷嘴42，因此能够对通过利用喷射喷嘴41喷射的干冰微粒dr而弹飞的附着物进行吸取而从芯片c上去除，能够防止其再次附着于芯片c。

另外，本发明的实施方式并不限于上述的各实施方式，可以在不脱离本发明的技术思想的主旨的范围内进行各种变更、置换、变形。另外，若通过技术进步或衍生的其他技术能够以其他方式实现本发明的技术思想，则也可以使用该方法来实施。因此，权利要求书涵盖了能够包含在本发明的技术思想的范围内的所有实施方式。

也可以是，在实施了上述实施方式的芯片间清洗步骤之后，将借助扩展带et而安装于框架f的晶片w搬送至旋转清洗装置，对各芯片c的正面进行旋转清洗。在该情况下，若能够利用旋转清洗将通过干冰微粒dr而弹飞的附着物从芯片c去除，则可以省略吸引喷嘴42的设置。

如以上说明那样，本发明具有如下的效果：能够防止从晶片分割而得的芯片侧面的污染，在利用sdbg对晶片进行分割而形成芯片的情况下有用。