技术特征：
技术总结
本申请公开了功率半导体器件及其制造方法。该方法包括：在多个沟槽的侧壁和底部上形成绝缘叠层，所述绝缘叠层包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层围绕所述第二绝缘层；在所述多个沟槽中填充屏蔽导体；在所述多个沟槽的上部形成位于所述屏蔽导体两侧的开口；在所述多个沟槽上部的侧壁上形成栅极电介质；形成栅极导体以填充所述开口；其中，所述栅极导体与所述屏蔽导体之间由所述绝缘叠层中的至少一层彼此隔离，所述栅极导体与所述体区之间由所述栅极电介质彼此隔离，所述屏蔽导体与所述半导体衬底之间由所述绝缘叠层彼此隔离。该方法在屏蔽导体顶部形成隔离层以避免栅源短路。
技术研发人员：杨彦涛;夏志平;王维建
受保护的技术使用者：杭州士兰集成电路有限公司
技术研发日：2017.11.17
技术公布日：2018.04.13