技术特征：
技术总结
半导体器件包括沿着第一方向伸展的有源区。半导体器件包括沿着大致垂直于第一方向的第二方向伸展的第一纵长栅极。第一纵长栅极包括设置在有源区上方的第一部分和不设置在有源区上方的第二部分。第一部分和第二部分包括不同的材料。半导体器件包括沿着第二方向伸展的第一纵长栅极和在第一方向上与第一纵长栅极分开的第二纵长栅极。第二纵长栅极包括设置在有源区上方的第三部分和不设置在有源区上方的第四部分。第三部分和第四部分包括不同的材料。本发明还提供了半导体器件的制造方法。
技术研发人员：杨胜杰;邱泰鑫
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2017.11.24
技术公布日：2018.11.13