技术特征：
技术总结
本发明提供一种带有屏蔽栅的载流子储存层IGBT器件，本发明在保持器件元胞宽度一定的情况下，通过在原有槽栅的两侧增加一个浮空屏蔽栅来减小沟槽栅之间的距离的同时减小器件的栅极‑发射极电容和栅极‑集电极电容，提高器件的开关速度，减小开关损耗，同时减小器件的饱和电流密度从而改善短路工作区并提高器件耐压，本发明通过合理调整载流子储存区的浓度厚度以及屏蔽栅之间的距离可以保证在击穿电压与传统的载流子储存沟槽双极晶体管相同级别耐压的情况下降低器件的栅极‑集电极电容和栅极‑发射极电容，从而达到提高开关速度的效果。
技术研发人员：李泽宏;殷鹏飞;彭鑫;赵倩;任敏;张金平;高巍;张波
受保护的技术使用者：电子科技大学
技术研发日：2017.11.29
技术公布日：2018.05.04