用于半导体制造的混合双重图案化方法与流程

本发明实施例涉及用于半导体制造的混合双重图案化方法。

背景技术：

半导体集成电路(ic)工业已经经历了快速增长。在ic演化过程中，功能密度(即，每芯片面积的互连器件的数量)已经普遍增大，而几何尺寸(即，可以使用制造工艺产生的最小组件(或线))已经减小。这种按比例缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。这种按比例缩小已经增加了处理和制造ic的复杂性，并且为了实现这些进步，需要ic制造中的类似发展。

例如，随着几何尺寸缩小，传统的光刻工艺通常难以形成具有这些小尺寸的半导体部件。解决该问题的一种方法是使用双重阵列(dp)方法。典型的dp方法将ic的布局分解成两个子集并且为每个子集制造光掩模。在两个光刻工艺中用两个光掩模图案化晶圆。两个光刻工艺的图像彼此重叠以共同在晶圆上产生更密集的图像。在传统的dp方法中，两个光刻工艺具有相同的分辨率，这在一些情况下限制了通过dp方法可以产生的最小临界尺寸(cd)。需要这些领域的改进。

技术实现要素：

根据本发明的一些实施例，提供了一种利用第一光刻技术和与所述第一光刻技术不同的第二光刻技术制造集成电路(ic)的方法，所述方法包括以下步骤：提供ic的布局，所述布局具有一组ic图案；从所述布局导出图案，所述图案具有顶点和连接一些所述顶点的棱边，所述顶点代表所述ic图案，将所述棱边分为至少两种类型，第一类型的棱边连接将分别利用所述第一光刻技术和所述第二光刻技术图案化的两个顶点，第二类型的棱边连接将在相同的工艺中使用所述第一光刻技术图案化或者将分别利用所述第一光刻技术和所述第二光刻技术图案化的两个顶点；以及使用计算机化ic工具，将所述顶点分解成第一子集和第二子集，其中，将在晶圆上使用所述第一光刻技术图案化对应于所述第一子集的所述ic图案，并且将在所述晶圆上使用所述第二光刻技术图案化对应于所述第二子集的所述ic图案。

根据本发明的另一些实施例，还提供了一种利用第一光刻技术和比所述第一光刻技术具有更低的分辨率的第二光刻技术制造集成电路(ic)的方法，包括以下步骤：提供ic的布局，所述布局具有一组ic图案；从所述布局导出图案，其中，用顶点代表所述ic图案和用连接对应的顶点的棱边代表所述ic图案之间的间隔；将所述棱边分类成两种类型，第一类型的棱边连接将用所述第一光刻技术和所述第二光刻技术分别图案化的两个顶点、第二类型的棱边连接将在相同的工艺中使用所述第一光刻技术图案化或将用所述第一光刻技术和所述第二光刻技术分别图案化的两个顶点；以及将所述顶点分解成第一子集和第二子集，其中，将在晶圆上使用所述第一光刻技术图案化对应于所述第一子集的所述ic图案以形成第一蚀刻掩模，并且将在所述晶圆上使用所述第二光刻技术图案化对应于所述第二子集的所述ic图案以形成第二蚀刻掩模，其中，所述第一蚀刻掩模和所述第二蚀刻掩模将所述ic图案共同转移至所述晶圆上。

根据本发明的又一些实施例，还提供了一种利用具有第一分辨率的第一光刻技术和具有大于所述第一分辨率的第二分辨率的第二光刻技术制造集成电路(ic)的方法；包括以下步骤：提供ic的布局，所述布局具有一组ic图案；从所述布局导出图案，所述图案具有顶点和连接一些顶点的棱边，所述顶点代表所述ic图案，所述棱边代表所述ic图案之间的小于所述第二分辨率的间隔；将所述棱边分为至少两种类型，第一类型代表小于所述第一分辨率的间隔，第二类型代表等于或大于所述第一分辨率但是小于所述第二分辨率的间隔；以及将所述顶点分解成第一子集和第二子集，其中，对应于所述第一子集的所述ic图案将在晶圆上使用所述第一光刻技术图案化，并且对应于所述第二子集的所述ic图案将在所述晶圆上使用所述第二光刻技术图案化，其中，通过计算化ic工具实施导出、分类和分解中的至少一个。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该强调，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制并且仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1是可以从本发明的方面受益的集成电路(ic)制造系统和相关的ic制造流程的实施例的简化框图。

图2a、图2b、图2c和图2d示出了根据本发明的各个方面的用于制造ic的方法的流程图。

图3a示出了根据本发明的方面的示例性ic的布局。

图3b示出了根据实施例的代表图3a的ic的布局的图。

图3c示出了根据本发明的方面的图中的分类棱边的操作。

图4a、图4b、图4c、图4d、图4e、图4f、图4g、图4h、图4i、图4j、图4k、图4l、图4m、图4n、图4o和图4p直观地示出了根据一些实施例的图2a至图2d的方法的一些操作。

图5示出了根据一些实施例的用于执行图2a至图2d的方法的操作的计算机化ic工具的框图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。例如，以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可在各个实施例中重复参照标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。

而且，为便于描述，在此可以使用诸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等空间相对术语，以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)原件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，而本文使用的空间相对描述符可以同样地作出相应的解释。

本发明的各个实施例通常涉及ic设计和制造。特别地，本发明涉及使用混合双重图案化(dp)方法以用于ic制造。在混合双重图案化中，将ic的布局分解成两个子集，并且两个子集中的每个均出现在数据文件中的光掩模层(或掩蔽层)中。之后，数据文件用于制造光掩模或转换成直写数据模式以用于无掩模光刻。之后，在两个不同的光刻技术中使用对应于两个子集的两个光掩模(或一个光掩模和一个直写数据图案)以共同图案化晶圆。如本文所使用的，光掩模(或掩模或中间掩模)是在光刻(或光刻)中使用的装置，诸如具有用于深紫外(duv)光刻的图案化的铬层的熔融石英基衬底的板，而光掩模层是用于制造光掩模的数据文件(例如，gds文件)。

在两个不同的光刻技术中使用两个光掩模来图案化相同的晶圆层将混合双重图案化与使用相同的光刻技术来完成任务的传统双重图案化区分开。例如，混合双重图案化可以使用极紫外(euv)光刻来产生图案的第一子集，并且使用193nm浸渍光刻来产生图案的第二子集。在各个实施例中，混合双重图案化中的两种光刻技术可以是以下任意两种：euv光刻；高数值孔径(高na)euv光刻；使用436nm、405nm或365nm的波长的紫外光刻；使用248nm、193nm或157nm的波长的duv光刻；浸渍光刻；电子束；和其他可用的光刻技术。在电子束光刻(无掩模光刻)的情况下，“光掩模”是以直写数据模式而不是物理装置的形式。

为了便于讨论，在两种光刻技术中，具有较高分辨率的光刻技术称为l1光刻或简称为“l1”，并且另一种被称为l2光刻或简称为“l2”。另外，通常理解具有较高(较低)分辨率意味着具有较小(较大)的分辨率。换句话说，l1可以产生(或分辨)比l2更小的部件尺寸。例如，l1可以具有13.5nm的分辨率，而l2可以具有45nm的分辨率。

混合双重图案化光刻具有超越传统的双重图案化光刻一些优势。在l1具有比传统的双重图案化光刻的光刻技术更高的分辨率的一个实施例中，与比传统的双重图案化光刻相比，混合双重图案化的总体分辨率可以更高(更好)。在l2具有比传统的双重图案化光刻的光刻技术更低的分辨率，但是成本较低的另一实例中，与比传统的双重图案化光刻相比，混合双重图案化的总体成本可以更低(更好)。

但是，也存在与混合双重图案化光刻相关的挑战。一个挑战是难以将ic的布局分解成适合于两种不同光刻技术的两个子集，因为其不再是简单的2-可着色性问题。在以下讨论中，本发明提供了一些创新的双着色方法来有效地迎接这个挑战。可以由设计工程师和/或布局工程师在设计阶段实施所提供的方法。可选地或额外地，它们可以在设计阶段之后的后期阶段实施，例如，在制造阶段中铸造。

图1是可以从所提供主题的各个方面受益的集成电路(ic)制造系统100和与其相关的ic制造流程的实施例的简化框图。ic制造系统100包括在设计、开发和制造周期和/或与涉及制造ic器件160的服务中彼此交互的多个实体，诸如设计室120、掩模室130和ic制造商150(即，晶圆厂)。多个实体通过通信网络连接，该通信网络可以是单个网络或多种不同的网络，诸如内部网和因特网，并且可以包括有线和/或无线通信通道。每个实体均可以与其他实体交互并且可以向其他实体提供服务和/或从其他实体接收服务。一个或多个设计室120、掩模室130和ic制造商150可以由单独的公司或由单个公司拥有，甚至可以共存于共同的设施中并使用共同的资源。

设计室(或设计团队)120产生ic设计布局(或ic布局)122。ic设计布局122包括设计为用于ic器件160的各种几何图案(例如，多边形)。几何图案对应于构成ic器件160的一个或多个半导体层中的ic部件。示例性ic部件包括有源区域、栅电极、源极和漏极部件、隔离部件、金属线、接触插塞、通孔等。设计室120使用适当的设计程序以形成ic设计布局122。设计程序可以包括逻辑设计、物理设计、布局和布线和/或各种设计检查操作。ic设计布局122存在于具有几何图案信息的一个或多个数据文件中。例如，ic设计布局122可以用gdsii文件格式或dfii文件格式表示。

根据ic设计布局122，掩模室130使用ic设计布局122来制造一组掩模，以用于制造ic器件160的各个层。掩模室130实施数据准备132和掩模制造144。数据准备132将ic设计布局122转换成可由掩模写入器物理写入的形式。掩模制造144制造该组掩模(光掩模或中间掩模)。

在本实施例中，数据准备132包括混合双重图案化分解134，其配置为将ic设计布局122分解成适合于由晶圆厂150采用的两种不同光刻技术(l1和l2)的两个子集。数据准备132，特别是混合双重图案化分解134，可以产生对设计室120的反馈，该反馈可以用于修改(或调整)ic设计布局122，以使其符合晶圆厂150中的制造工艺。如上所述，在一些实施例中，混合双重图案化分解134可以由设设计室120来实现，而不是掩模室130。数据准备132可以进一步包括其他制造流程，诸如光学邻近校正(opc)、离轴照明、次分辨率辅助特征、其他合适的技术或它们的组合。混合双重图案化分解134的细节将在本发明的之后的部分中讨论。

在数据准备132准备用于掩模层的数据之后，掩模制造144制造包括用于混合双重图案化的两个掩模的掩模组。例如，基于从ic设计布局122衍生的数据文件，使用电子束(e束)或多个电子束的机制在掩模上形成图案。可以用诸如二元掩模、相移掩模和euv掩模的各种技术形成该掩模。例如，二元掩模包括涂覆在衬底上的透明衬底(例如，熔融石英)和不透明材料(例如，铬)。根据掩模数据对不透明材料进行图案化，从而在二元掩模上形成不透明区域和透明区域。诸如紫外(uv)束的辐射束由不透明区域阻挡并传输穿过透明区域，从而将掩模的图案转移至涂覆在晶圆152上的光敏材料层(例如，光刻胶)。对于另一实例，euv掩模包括低热膨胀衬底、衬底上方的反射多层(ml)以及ml上方的吸收层。根据掩模数据图案化吸收层。euv束由图案化吸收层吸收或被ml反射，从而将掩模的图像转移至涂覆在晶圆152上的光敏材料层(例如，光刻胶)。在一些实施例中，晶圆厂150也可以采用某种无掩模光刻，诸如电子束光刻。例如，l1和l2中的一个可以是电子束光刻。在这种情况下，数据准备132可以准备用于无掩模光刻的直写数据文件，并且掩模制造144没有为通过无掩模光刻产生的那些特定层制成光掩模。

诸如半导体铸造厂的ic制造商(晶圆厂)150，使用掩模来来制造ic器件160(例如使用光刻工艺)。晶圆厂150可以包括前段制程(feol)制造设施和/或后段制程(beol)制造设施。特别地，晶圆厂150使用两种不同的光刻技术来完成对半导体晶圆152的混合双重图案化。例如，一种光刻技术是euv并且另一种是193nm浸渍光刻，或者一种光刻技术是193nm浸渍光刻并且另一种是传统(或干式)193nm光刻。这两种光刻技术可以以任何顺序实施。第一光刻技术用于在晶圆152上产生第一图案，并且第二光刻技术用于在晶圆152上产生第二图案。第一和第二图案在晶圆152上共同(通过加或减)形成图案。该图案可以用于各种工艺。例如，该图案可以用于离子注入工艺以在晶圆152中形成各个掺杂区域，或者用于蚀刻工艺以在晶圆152中形成各个蚀刻区域。

晶圆152包括其上形成有材料层的硅衬底或其他适当的衬底。其他适当的衬底材料包括另一种合适的元素半导体，诸如金刚石或锗；合适的化合物半导体，诸如碳化硅、砷化铟或磷化铟；或合适的合金半导体，诸如碳化硅锗、磷砷化镓或磷化镓铟。晶圆152还可以包括各个掺杂区域、介电部件和多层互连件(在随后的制造步骤中形成)。

图2a至图2d图示了根据本发明的各个方面构建的方法200的流程图。方法200的实施例可以通过混合双重图案化分解134来实现。方法200是实例，并且除了权利要求中的明确表述之外，方法200不旨在限制本发明。可以在方法200之前、期间和之后提供额外的操作，并且对于方法的额外的实施例，可以替换、消除或重置所描述的一些操作。下面结合图3a至图4p来描述方法200，图3a至图4p直观地示出了方法200的一些原理。在以下讨论中，假设混合双重图案化光刻使用第一光刻技术l1和第二光刻技术l2，其中l1比l2具有更高(更好)的分辨率。换句话说，l1可以实现的最好或最小分辨率(最小间隔)小于l2可以实现的最好或最小分辨率。在晶圆制造期间，可以在混合双图案化光刻中的l2之前或之后实施l1。

参照图2a，在操作202中，方法200提供为具有ic的布局。参照图3a，示例性布局300包括几何图案(在本实施例中为多边形)p1、p2、p3和p4。每个图案均代表ic部件，诸如有源区域、栅电极、源极或漏极部件、隔离部件、金属线、接触插塞、通孔或其他合适的ic部件。这些图案彼此间隔开。特别地，图案p1和p2间隔开距离(或间隔)s12，图案p2和p3间隔开距离s23，图案p2和p4间隔开距离s24，并且图案p3和p4间隔开距离s34。此外，在本实施例中，距离s12和s24小于预定距离x，而距离s23和s34等于或大于预定距离x。x代表可以通过混合双重图案化光刻中的光刻技术l2实现的最好或最小分辨率(最小间隔)。换句话说，x是可以通过l2形成的相邻的ic部件之间的最小距离，而不会将这些相邻的ic部件短路在一起。

在操作204中，方法200(图2a)导出代表ic设计布局的图。继续示例性ic设计布局300，如图3b所示，导出图案350。图案350包括由棱边连接的顶点。该顶点代表图案p1至p4。为了便于讨论，该顶点与对应的图案标记有相同的字母数字值。棱边代表小于x的那些距离。在该实施例中，棱边e12代表距离s12，棱边e24代表距离s24。应该注意，顶点p3没有连接任何棱边，因为图案p3与其他图案充分分离。

在操作206中，方法200(图2a)将图案中的棱边分类为l1棱边或者l2棱边。参照图3c，在本实施例中，如果由棱边代表的间隔小于l1的分辨率，则棱边是l1棱边，并且如果由棱边代表的间隔大于或等于棱边l1的分辨率，但小于l2的分辨率，则棱边是l2棱边。如上所述，当两个图案之间的间距大于或等于l2的分辨率时，没有棱边连接代表两个图案的两个顶点。从双重图案化的角度来看，当两个顶点之间的棱边是l1棱边时，两个对应的图案将分别通过两个光刻工艺l1和l2图案化，因为单独的l1或者l2都不能够分解(resolve)它们之间的间隔。类似地，当两个顶点之间的棱边是l2棱边时，两个对应的图案将通过单独使用l1的一个光刻工艺或者分别使用l1和l2的两个光刻工艺来图案化。同样地，当两个顶点之间没有棱边时，可以通过单独使用l1或l2的一个光刻工艺，或者分别使用l1和l2的两个光刻工艺图案化两个对应的图案。应用以上原理，操作206将图案350的棱边e12和e24分类(图3b)。

ic布局300和相关的图案350是可以由方法200处理的简单实例。为了更好地理解本发明的原理，在图4a中呈现了更复杂的图案400。参照图4a，图案400包括多个顶点402。每个顶点402均代表通常为多边形的ic布局图案。图4b示出了连接一些顶点402的棱边404。图4b还示出了分为两种类型的棱边404：l1棱边(实线)和l2棱边(虚线)，如参照图3c讨论的。图4b所示的图案400是对在操作202中接收的ic布局(未示出)实施操作204和206的结果。使用图案400作为实例来讨论方法200的剩余操作。应该注意，图案400仅仅是实例，并不限制本发明。方法200的实施例可以应用于任何ic的布局。

参照图2a，在操作208中，方法200检查是否存在由l1棱边连接的奇数个顶点形成的回路。这种回路被称为奇数回路。图4c示出了一个这种奇数回路406。参照图4c，回路406具有三个(奇数个)顶点，并且回路406中的所有棱边都是l1棱边。相比之下，另一回路408不是奇数回路，因为该回路具有四个顶点。一旦发现奇数回路，方法200进入操作210以修改ic布局来断开回路，因为混合双重图案化不能正确地分解对应于奇数回路的ic图案。这是因为由l1棱边连接的两个ic图案必须通过单独的l1和l2处理(由l1棱边限定)来图案化。在回路中具有奇数个顶点意味着回路中的一些邻近的ic图案将违反上述规则。在这种情况下，操作210可以重新定位对应的布局图案以纠正这种违规。操作210可以通过掩模室130或通过设计室120(图1)实现。一旦通过操作210修改了ic布局，就将其返回至操作202，并重复上述操作204、206和208，直至图案400不包含任何奇数回路。从那里，操作200继续将顶点分解成两个子集，一个用于l1，并且另一个用于l2。分解包括发现必须通过l1图案化的顶点的步骤(初始分配)，随后进行从固定分配给l1的那些顶点向图案的剩余部分传播颜色的步骤。操作212、214和216(图2b)以及操作226、228、230和232(图2c)是用于确定哪个顶点(对应于ic图案)将由光刻工艺l1图案化(初始任务)的两个可选实施例。之后，操作218、220和222(图2d)将那些初始分配的颜色传播至图案的剩余部分。

在第一实施例中，方法200实施操作212、214和216以找出将由光刻工艺l1图案化的ic图案。参照图2b，在操作212中，方法200对由l1棱边连接的所有顶点实施双着色(例如，使用颜色“x”和颜色“y”)。如下所述，这涉及多个步骤。

参照图4d，操作212识别“网络”。网络由顶点和连接顶点的仅l1棱边组成。换句话说，操作212在识别网络时忽略l2棱边。还应该注意，ic布局122已经被修改以断开图案400中的奇数回路406(图4c)。参照图4e，操作212使用颜色x和y对每个网络内的顶点着色，其中，由共同的l1棱边连接的两个顶点分配有不同的颜色。

在操作214中，方法200(图2b)检查是否存在具有x-x对和y-y对的网络。如本文所使用的，“x-x对”是指网络内用x着色并且由l2棱边连接的两个顶点，“y-y对”是指网络内用y着色并且由l2棱边连接的两个顶点。图4f示出了满足顶点453和454形成y-y对并且顶点455和456形成x-x对的上述条件的一个示例网络450。在相同的网络中具有这种x-x和y-y对表示对应于网络的ic布局可能不能通过混合双重图案化光刻来正确地图案化。以网络450为例，如果顶点452分配有l1(即，对应于顶点452的ic图案由l1光刻图案化)，则之后顶点453和454将必须分配有l2，这违反了制造规则，因为二者之间的间隔不能通过l2光刻(由l2棱边限定)适当地分解。另一方面，如果顶点452分配有l2并且顶点453和454分配有l1，则之后顶点455和456将不得不分配有l2，这又违反了制造规则。

一旦操作214发现这种违规，则方法200(图2b)进入操作210以修改ic布局122以防止在相同的网络中的这种x-x和y-y对。例如，操作210可以重新定位对应的布局图案以纠正这种违规。如果没有发现这种违规，则方法200(图2b)进入操作216以将颜色“a”分配给网络中的任何x-x对和y-y对。具有颜色a的顶点表示对应的ic图案将由晶圆厂150中的l1光刻产生。在图4g所示的图案400中，顶点402a和402b形成y-y对，顶点402c和402d形成x-x对。因此，顶点402a、402b、402c和402d分配有颜色a。结果如图4k所示，顶点402a、402b、402c和402d用作利用颜色a和颜色b对图案400进行着色的起始(或初始)点。具有颜色b的顶点表示相应的ic图案将由晶圆厂150中的l2光刻产生。

图2c示出了初始着色为具有颜色a的顶点的可选实施例。参照图2c，方法200从操作208进入操作226。在操作226中，方法200发现直接通过l2棱边连接的顶点对。图案400中可能有许多这种顶点对。方法200可以一次处理一对或同时处理多对。对于由l2棱边连接的给定的顶点对，方法200检查(操作228)在由偶数个l1棱边形成的两个顶点之间是否存在路径。如果答案是肯定的，则方法200在操作230中向顶点分配颜色a，并且进入操作232。如果答案是否定的，则方法200进入操作232。如果存在更多顶点对要处理(操作232)，则方法200返回操作226并重复上述操作。图4h、图4i和图4j示出了上述操作。

参照图4h，方法200在操作226中发现顶点对402e和402f。顶点402e和402f直接通过l2棱边404a连接。在操作228中，方法200发现顶点402e和402f也通过仅由l1棱边组成的路径(即404b、404c、404d和404e)连接。此外，路径中的l1棱边的数量是偶数，即4。因此，顶点对402e和402f满足操作228的条件。之后，方法200在操作230中将颜色a分配给顶点402e和402f。在图4i所示的另一实例中，尽管顶点402j和402k直接通过l2棱边连接，但是在仅包括l1棱边的两个顶点之间不存在路径。因此，顶点402j和顶点402k在操作230中没有用颜色a着色。在图4j所示的又另一实例中，顶点402l和402m直接通过l2棱边连接，并且在仅包括l1棱边的两个顶点之间也存在路径。但路径中的l1棱边的数量不是偶数。因此，顶点402l和顶点402m在操作230中没有用颜色a着色。实际上，顶点402l和402m可以分别用颜色a和b或分别用颜色b和a着色。

方法200从操作216或者操作232进入操作218(图2d)以基于如上所述的颜色a的初始颜色来对图中的剩余顶点着色。应该注意，方法200可以采用其他实施例(替代操作212/214/216和操作226/228/230/232)来找出分配有颜色a的顶点。

在本实施例中，操作218基于图4l中示出的以下规则(1)-(4)对图案400中的顶点着色，规则(1)-(4)为：(1)如果一个顶点用颜色a着色，那么如果顶点和直接相邻顶点由l1棱边连接，则之后用颜色b着色其直接相邻顶点；(2)如果一个顶点用颜色b着色，那么如果顶点和直接相邻顶点由l1棱边连接，则之后用颜色a着色其直接相邻顶点；(3)如果一个顶点用颜色b着色，那么如果顶点和直接相邻顶点由l2棱边连接，则之后用颜色a着色其直接相邻顶点；(4)如果一个顶点用颜色a着色，那么如果顶点和直接相邻顶点由l2棱边连接，则之后其直接相邻顶点暂时不被着色。对于由于规则(4)而没有被着色的顶点，可以分配颜色a或颜色b(在之后的着色步骤中)，方法200可以利用这来提供工艺友好性，诸如平衡用于掩模制造的两个子集的图案负载，在l1和l2光刻工艺期间平衡晶圆上的图案负载并且避免同一掩模上的一些不需要的配置。

基于上述规则和用颜色a初始着色的顶点(例如，通过操作212/214/216或者操作226/228/230/232)，如图4m和图4n所示，操作218逐渐将颜色分配给图案400中的顶点。在操作218结束之后，方法200检查(图2d中的操作220)是否存在用颜色b着色并且直接通过l2棱边连接的顶点对。这种顶点对表示违反了制造规则，因为对应的ic图案将通过l2光刻(用颜色b表示)图案化，但是不能通过l2光刻(由l2棱边代表)来适当地分解。如果操作220发现这种顶点对，则方法200进入操作210以修改ic布局122以防止违反，例如通过重新定位布局122中的对应的ic图案。如果操作220没有发现这种顶点对，则方法200进入操作222以完成着色过程。

如图4n示出的，在操作218结束之后，图案400中的一些顶点不着色。这可能是由于几个原因。例如，一些顶点可能不连接至具有用颜色a初始着色的一些顶点的网络，使得操作218的着色工艺没有传播到这些顶点。如另一实例，由于操作218中讨论的规则(4)，一些顶点有意地不被操作218着色，使得方法200可以提供一些工艺友好性。在操作222中，方法200(图2d)考虑到工艺友好性，将颜色分配给这些顶点。对于孤立的顶点(没有通过任何棱边连接至其他顶点)，方法200可以考虑工艺友好性而任意地将颜色a或颜色b分配给它们。对于网络中的顶点，方法200可以通过将颜色a或颜色b分配给任何顶点来任意地选取起点，之后将颜色传播到网络中的剩余顶点。图4o示出了根据实施例的图案400的完整颜色分配。

在操作224中，方法200输出分解的结果(颜色分配)。对应于用颜色a着色的顶点的ic图案的第一子集输出为用于ll光刻，并且对应于用颜色b着色的顶点的ic图案的第二子集输出为用于l2光刻。第一和第二子集可以存储在用于掩模制造144或其他ic处理设施的有形计算机可读介质中。有形计算机可读介质可以包括软盘、硬盘、光盘、磁光盘、固态存储器件或其他合适的存储介质。数据准备132可以基于l1和l2光刻工艺的要求对ic图案的第一和第二子集实施进一步处理。例如，数据准备132可以分别对ic图案的第一和第二子集实施光学邻近校正(opc)、离轴照明、子分辨率辅助特征、其他合适的技术或它们的组合。

在上面的讨论中，方法200将棱边分成两种类型：l1棱边和l2棱边(操作206)。在另一个实施例中，方法200可以采用多于两种类型的棱边。例如，除了l1棱边和l2棱边之外，方法200可以使用第三类型的棱边：如图4p所示的链接3。例如，可以存在可以通过l1光刻或l2光刻分辨率分解(或图案化)的两种ic图案。然而，为了获得更好的工艺性能，诸如照片曝光时的更高的对比度，优选通过l2光刻图案化。在进一步的实施例中，可以扩展操作218中讨论的规则以适应该第三类型的棱边，例如，通过添加以下两个规则(5)和(6)：(5)如果顶点用颜色a着色，那么如果顶点和直接相邻顶点由链接3棱边连接，则之后用颜色b着色其直接相邻顶点；(6)如果顶点用颜色b着色，那么如果顶点和直接相邻顶点由链接3棱边连接，则之后其直接相邻顶点暂时不被着色。除了在该实施例中操作218遵循规则(1)-(6)之外，方法200的所有操作可以保持相同。

现在参照图5，其中示出了用于实现上述方法200的实施例的示例性计算机化ic工具500。计算机化ic工具500可以是由设计室120使用的设计工具或掩模室130(图1)使用的掩模数据准备工具。计算机化ic工具500包括由一个或多个总线512全部互连的微处理器502、输入器件504、存储器件506、视频控制器508、系统存储器510、显示器514和通信器件516。存储器件506可以是软盘驱动器、硬盘驱动器、cd-rom、光盘驱动器或任何其他形式的存储器件。此外，存储器件506能够接收软盘、cd-rom、dvd-rom或任何其他形式的计算机可读介质。在一个实例中，输入器件504和存储器件506共同接收设计布局(例如，设计布局122)。在实施例中，存储器件506可以包含计算机可执行指令，当由微处理器502读取时，该计算机可执行指令使微处理器502实施如上所述的方法200。此外，通信器件516可以是调制解调器、网卡或使ic工具500能够与其他工具通信的任何其他器件。

计算机化ic工具500可以使用硬件、软件或它们的组合来实现方法200。示例性硬件包括诸如笔记本或服务器的处理器可执行平台以及诸如智能电话、平板电脑和个人数字助理的手持式处理器件。此外，硬件可以包括能够执行机器可读指令的其他物理器件，诸如现场可编程栅极阵列(fpga)和专用集成电路(asic)。软件包括存储在任何存储介质(例如ram或rom)中的任何机器代码，以及存储在其他器件(例如软盘，闪存或cdrom)上的机器代码。例如，软件可能包含源代码或目标代码。此外，软件包括能够在客户端机器或服务器中执行的任何指令集合。

软件和硬件的组合也可以用于为本发明的某些实施例提供增强的功能和性能。一个实例是直接将软件功能制造成诸如fpga或asic的硅芯片。因此，应当理解，硬件和软件的组合也被包括在计算机化ic工具500的定义内，并且因此被本发明设想为可能的等同结构和等同方法。

本发明中的计算机可读介质包括诸如随机存取存储器(ram)的有源数据存储，以及诸如光盘只读存储器(cd-rom)的半永久数据存储。此外，本发明的实施例可以体现在计算机的ram中以将标准计算机转换为计算机化ic工具500。

计算机化ic工具500可被设计为在任何特定的体系结构上工作。例如，计算机化ic工具500可以被设计为在单个计算机、局域网、客户端-服务器网络、广域网、互联网、手持式以及其他便携式和无线器件和网络上工作。

虽然不旨在限制，但是本发明对半导体制造工艺提供了许多益处。例如，本发明的实施例提供了用于混合双重图案化的方法，其可以利用光刻工艺的更高分辨率和另一光刻工艺的低成本。本发明的实施例提供了分解用于混合双重图案化的ic布局的有效方式，包括在早期制造阶段检查制造规则的潜在违规。所提供的方法的实施例可以容易地集成至现有的设计和制造流程中。

在一个示例性方面，本发明针对利用第一光刻技术和与第一光刻技术不同的第二光刻技术制造集成电路(ic)的方法。该方法包括提供ic布局，该布局具有一组ic图案；并从该布局导出图案，该图案具有顶点和连接一些顶点的棱边，该顶点代表ic图案，将棱边分类成至少两种类型，第一类型的棱边连接将分别用第一光刻技术和第二光刻技术图案化的两个顶点，第二类型的棱边连接将在相同的工艺中使用第一光刻技术图案化，或者将分别用第一和第二光刻技术图案化的两个顶点。该方法还包括使用计算机化ic工具将顶点分解成第一子集和第二子集，其中，将在晶圆上使用第一光刻技术图案化对应于第一子集的ic图案，并且将在晶圆上使用第二光刻技术图案化对应于第二子集的ic图案。

在实施例中，在导出步骤之后，该方法还包括：检查是否存在由第一类型的棱边连接的奇数个顶点形成的回路；并且在存在这种回路的情况下，修改布局来断开回路。

在实施例中，在导出步骤之后，该方法还包括：将颜色x和y分配给由第一类型的棱边连接的所有顶点，其中，由第一类型的共同棱边连接的两个顶点分配有不同的颜色。在进一步实施例中，在分配颜色x和y的步骤之后，该方法还包括识别通过第一类型的棱边彼此连接的顶点的网络；检查网络中是否存在两对顶点，从而使得第一对分配有相同的颜色x，并且直接通过第二类型的棱边连接，以及第二对分配有相同的颜色y，并且直接通过另一第二类型的棱边连接；并且在存在这种两对的情况下，修改布局以防止这种两对。在又另一实施例中，在分配颜色x和y的步骤之后，该方法还包括将颜色a初始分配给分配有相同的颜色x或相同的颜色y并且通过第二类型的棱边直接连接的所有顶点对；并将具有颜色a的顶点放入第一子集中。在最初分配颜色a的步骤之后，该方法可以还包括：将颜色b分配给没有用颜色a或b着色并且直接通过第一类型的棱边连接至具有颜色a的顶点的所有顶点；在分配颜色b的步骤之后，随后将颜色a分配给没有用颜色a或b着色并且直接通过第一或第二类型的棱边与具有颜色b的顶点连接的所有顶点；重复分配颜色b以及随后将颜色a分配给图案中的剩余顶点的步骤；并且将具有颜色a的顶点放入第一子集，并且将具有颜色b的顶点放入第二子集。

在进一步实施例中，在重复步骤之后，该方法可以包括：检查是否存在用颜色b着色并由第二类型的棱边连接的顶点对；并且在这种对存在的情况下，修改布局。可选地，在重复步骤之后，该方法可以包括：在存在没有用颜色a或颜色b着色的顶点的情况下，将颜色a或颜色b分配给顶点以平衡第一和第二子集之间的掩模负载。

在另一可选实施例中，在重复步骤之后，该方法还包括：制造具有对应于顶点的第一子集的ic图案的第一光掩模；并且制造具有对应于顶点的第二子集的ic图案的第二光掩模。此外，该方法可以包括使用第一光刻技术对晶圆实施第一光刻工艺以产生对应于顶点的第一子集的蚀刻掩模图案的第一子集；使用第二光刻技术对晶圆实施第二光刻工艺以产生对应于顶点的第二子集的蚀刻掩模图案的第二子集；并且使用蚀刻掩模图案的第一和第二子集蚀刻晶圆。

在实施例中，在导出步骤之后，该方法还包括：定位由第二类型的棱边连接的顶点对；检查仅通过第一类型的棱边的顶点对之间是否存在路径；在这种路径存在并且该路径上的第一类型的棱边的数量是偶数的情况下，将颜色a初始分配给该顶点对；并且将具有颜色a的顶点放入第一子集。在进一步实施例中，在初始分配颜色a的步骤之后，该方法包括将颜色b分配给没有用颜色a或b着色的并且直接通过第一类型的棱边连接至具有颜色a的顶点的所有顶点。在分配颜色b的步骤之后，该方法还包括随后将颜色a分配给没有用颜色a或b着色的并且直接通过第一或第二类型的棱边连接至具有颜色b的顶点的所有顶点；重复分配颜色b以及随后将颜色a分配给图案中剩余顶点的步骤；并且将具有颜色a的顶点放入第一子集并且将具有颜色b的顶点放入第二子集。

在另一示例性方面，本发明针对利用第一光刻技术和比第一光刻技术具有更低的分辨率的第二光刻技术制造集成电路(ic)的方法。该方法包括提供ic布局，该布局具有一组ic图案；从布局导出图案，其中，用顶点代表ic图案和用连接对应的顶点的棱边代表ic图案之间的间隔；并且将棱边分类成两种类型，第一类型的棱边连接将用第一和第二光刻技术分别图案化的两个顶点、第二类型的棱边连接将在相同的工艺中使用第一光刻技术图案化或者将用第一和第二光刻技术分别图案化的两个顶点。该方法还包括将顶点分解成第一子集和第二子集，其中，将在晶圆上使用第一光刻技术图案化对应于第一子集的ic图案以形成第一蚀刻掩模，并且将在晶圆上使用第二光刻技术图案化对应于第二子集的ic图案以形成第二蚀刻掩模，其中，第一和第二蚀刻掩模将ic图案共同转移至晶圆。

在实施例中，在分类步骤之后，该方法还包括：检查是否存在由第一类型的棱边连接的奇数个顶点形成的回路。在另一实施例中，在分类步骤之后，该方法还包括：将颜色x和y分配给由第一类型的棱边连接的所有顶点，其中，由第一类型的共同棱边连接的两个顶点分配有不同的颜色。

在实施例中，在分配颜色x和y的步骤之后，该方法还包括：将颜色a初始分配给分配有相同的颜色x或相同的颜色y并且直接通过第二类型的棱边连接的所有顶点对；并且将具有颜色a的顶点放入第一子集。在进一步实施例中，在初始分配颜色a的步骤之后，该方法还包括：将颜色b分配给没有用颜色a或b着色并且直接通过第一类型的棱边连接至具有颜色a的顶点的所有顶点。在分配颜色b的步骤之后，该方法还包括：随后将颜色a分配给没有用颜色a或b着色并且直接通过第一或第二类型的棱边连接至具有颜色b的顶点的所有顶点。该方法还包括：重复分配颜色b以及随后将颜色a分配给图案中的剩余顶点的步骤；将具有颜色a的顶点放入第一子集；并且将具有颜色b的顶点放入第二子集。

在又另一示例性方面，本发明针对利用具有第一分辨率的第一光刻技术和具有大于第一分辨率的第二分辨率的第二光刻技术制造集成电路(ic)的方法。该方法包括提供ic布局，该布局具有一组ic图案；以及从布局导出图案，该图案具有顶点和连接一些顶点的棱边，该顶点代表ic图案，该棱边代表ic图案之间的小于第二分辨率的间隔。该方法还包括将棱边分类成至少两种类型，第一类型代表小于第一分辨率的间隔，第二类型代表等于或大于第一分辨率但是小于第二分辨率的间隔，该方法还包括将顶点分解成第一子集和第二子集，其中，对应于第一子集的ic图案将在晶圆上使用第一光刻技术图案化，并且对应于第二子集的ic图案将在晶圆上使用第二光刻技术图案化，其中，通过计算化ic工具实施导出、分类和分解中的至少一个。

在实施例中，在分类步骤之后，该方法还包括将颜色x和y分配给通过第一类型的棱边连接的所有顶点，其中，由第一类型的共同棱边连接的两个顶点分配有不同的颜色。在进一步实施例中，在分配颜色x和y的步骤之后，该方法包括将颜色a分配给分配有相同的颜色x或相同的颜色y的并且直接通过第二类型的棱边连接的所有顶点对；以及通过实施以下步骤用颜色a和b逐渐对剩余顶点着色：将不同颜色分配给直接通过第一类型的棱边连接的两个顶点；将颜色a分配给直接通过第二类型的棱边连接至具有颜色b的顶点的顶点；并且将颜色a或者颜色b分配给直接通过第二类型的棱边连接至具有颜色a的顶点的顶点。该方法还包括将具有颜色a的顶点放入第一子集并且将具有颜色b的顶点放入第二子集。

在一个示例性方面，本发明针对利用具有第一分辨率的第一光刻技术和具有大于第一分辨率的第二分辨率的第二光刻技术制造集成电路(ic)的方法。该方法包括提供ic的布局，该布局具有一组ic图案；并且从布局导出图案，该图案具有顶点和连接一些顶点的棱边，该顶点代表ic图案，该棱边代表ic图案之间的小于第二分辨率的间隔。该方法还包括将棱边分类成两种类型，第一类型代表小于第一分辨率的间隔，第二类型代表等于或大于第一分辨率但是小于第二分辨率的间隔；以及使用计算机化ic工具将顶点分解成第一子集和第二子集。该分解包括定位由第二类型的棱边连接的顶点对；在存在仅通过第一类型的棱边的顶点对之间的路径并且路径上第一类型的棱边的数量是偶数的情况下，将颜色a分配给顶点对；以及通过以下步骤用颜色a和b逐渐对剩余顶点着色：将不同的颜色分配给直接通过第一类型的棱边连接的两个顶点，将颜色a分配给直接通过第二类型的棱边连接至具有颜色b的顶点的顶点，以及将颜色a或者颜色b分配给直接通过第二类型的棱边连接至具有颜色a的顶点的顶点。该方法还包括将具有颜色a的顶点放入第一子集并且将具有颜色b的顶点放入第二子集。

在实施例中，在分类的步骤之后，该方法还包括检查是否存在由第一类型的棱边连接的奇数个顶点形成的回路；以及在存在这种回路的情况下，修改布局以断开回路。在另一实施例中，在用颜色a和b逐渐将剩余顶点着色之后，该方法还包括检查是否存在用颜色b着色并且通过第二类型的棱边连接的顶点对；以及在这种顶点对存在的情况下，修改布局。

在另一示例性方面，本发明针对利用具有第一分辨率的第一光刻技术和具有大于第一分辨率的第二分辨率的第二光刻技术制造集成电路(ic)的方法。该方法包括提供ic布局，该布局具有一组图案；以及从布局导出图案，该图案具有顶点和连接一些顶点的棱边，该顶点代表ic图案，该棱边代表ic图案之间的小于第二分辨率的间隔。该方法还包括将棱边分类成两种类型，第一类型代表小于第一分辨率的间隔，第二类型代表等于或大于第一分辨率但是小于第二分辨率的间隔；以及使用计算机化ic工具将顶点分解成第一子集和第二子集。该分解包括将颜色x和y分配给通过第一类型的棱边连接的所有顶点，其中，由第一类型的共同棱边连接的两个顶点分配有不同的颜色；将颜色a分配给分配有相同的颜色x或相同的颜色y并且直接通过第二类型的棱边连接的所有顶点对；并且通过以下步骤用颜色a和b逐渐对剩余顶点着色：将不同颜色分配给直接通过第一类型的棱边连接的两个顶点，将颜色a分配给直接通过第二类型的棱边连接至具有颜色b的顶点的顶点，和将颜色a或者颜色b分配给直接通过第二类型的棱边连接至具有颜色a的顶点的顶点。该方法还包括将具有颜色a的顶点放入第一子集并且将具有颜色b的顶点放入第二子集。

在实施例中，在分类的步骤之后，该方法还包括检查是否存在由第一类型的棱边连接的奇数个顶点形成的回路；以及在存在这种回路的情况下，修改布局以断开回路。

在另一实施例中，在分配颜色x和y之后，该方法还包括识别通过第一类型的棱边彼此连接的顶点的网络；并且在网络中的第一对顶点分配有相同的颜色x并且直接通过第二类型的棱边连接以及网络中的第二对顶点分配有相同的颜色y并且直接通过第二类型的另一棱边连接的情况下，修改布局以拆分网络。

在又另一实施例中，在用颜色a和b逐渐对剩余顶点着色之后，该方法还包括在存在用颜色b着色并且通过第二类型的棱边连接的顶点对的情况下，修改布局以去除顶点对之间的第二类型的棱边。

在又另一示例性方面，本发明针对利用第一光刻技术和与第一光刻技术不同的第二光刻技术制造集成电路(ic)的方法。该方法包括提供ic布局，该布局具有一组ic图案；以及从该布局导出图案，该图案具有顶点和连接一些顶点的棱边，该顶点代表ic图案，该棱边被分类成至少两种类型，连接两个顶点的第一类型的棱边将分别用第一和第二光刻技术图案化，连接两个顶点的第二类型的棱边将在相同的工艺中使用第一光刻技术图案化或者分别用第一和第二光刻技术图案化。该方法还包括：在存在由通过第一类型的棱边连接的奇数个顶点形成的回路的情况下，修改布局以断开回路。该方法还包括使用计算机化ic工具将顶点分解成第一子集和第二子集，其中，在晶圆上将使用第一光刻技术图案化对应于第一子集的ic图案，并且在晶圆上将使用第二光刻技术图案化对应于第二子集的ic图案。该分解包括将颜色x和y分配给通过第一类型的棱边连接的所有顶点，其中，由第一类型的共同棱边连接的两个顶点分配有不同颜色；将颜色a分配给分配有相同的颜色x或相同的颜色y并且直接通过第二类型的棱边连接的所有顶点对；将颜色b分配给没有用颜色a或b着色并且直接通过第一类型的棱边连接至具有颜色a的顶点的所有顶点；以及将具有颜色a的顶点放入第一子集并且将具有颜色b的顶点放入第二子集。

在实施例中，该方法还包括在分配颜色b的步骤之后，随后将颜色a分配给没有用颜色a或b着色并且直接通过第一或第二类型的棱边连接至具有颜色b的顶点的所有顶点；以及重复分配颜色b以及随后将颜色a分配给图案中剩余顶点的步骤。在进一步实施例中，在分配颜色x和y之后，该方法还包括识别通过第一类型的棱边彼此连接的顶点的网络；并且在网络中的第一对顶点分配有相同的颜色x并且直接通过第二类型的棱边连接以及网络中的第二对顶点分配有相同的颜色y并且直接通过第二类型的另一棱边连接的情况下，修改布局以拆分网络。

根据本发明的一些实施例，提供了一种利用第一光刻技术和与所述第一光刻技术不同的第二光刻技术制造集成电路(ic)的方法，所述方法包括以下步骤：提供ic的布局，所述布局具有一组ic图案；从所述布局导出图案，所述图案具有顶点和连接一些所述顶点的棱边，所述顶点代表所述ic图案，将所述棱边分为至少两种类型，第一类型的棱边连接将分别利用所述第一光刻技术和所述第二光刻技术图案化的两个顶点，第二类型的棱边连接将在相同的工艺中使用所述第一光刻技术图案化或者将分别利用所述第一光刻技术和所述第二光刻技术图案化的两个顶点；以及使用计算机化ic工具，将所述顶点分解成第一子集和第二子集，其中，将在晶圆上使用所述第一光刻技术图案化对应于所述第一子集的所述ic图案，并且将在所述晶圆上使用所述第二光刻技术图案化对应于所述第二子集的所述ic图案。

在上述方法中，在所述导出的步骤之后，还包括以下步骤：检查是否存在由通过所述第一类型的棱边连接的奇数个顶点形成的回路；以及在存在这种回路的情况下，修改所述布局来断开回路。

在上述方法中，在所述导出的步骤之后，还包括以下步骤：将颜色x和y分配给通过所述第一类型的棱边连接的所有顶点，其中，通过第一类型的共同棱边连接的两个顶点分配有不同的颜色。

在上述方法中，在分配颜色x和y的步骤之后，还包括以下步骤：识别通过所述第一类型的棱边彼此连接的顶点的网络；检查所述网络中是否存在两对顶点，使得第一对顶点分配有相同的颜色x，并且直接通过所述第二类型的棱边连接，以及第二对顶点分配有相同的颜色y，并且直接通过另一第二类型的棱边连接；以及在存在这种两对顶点的情况下，修改布局以防止出现这种两对顶点。

在上述方法中，在分配颜色x和y的步骤之后，还包括以下步骤：将颜色a初始分配给分配有相同的颜色x或相同的颜色y并且直接通过所述第二类型的棱边连接的所有顶点对；以及将具有所述颜色a的顶点放入第一子集中。

在上述方法中，在最初分配颜色a的步骤之后，还包括以下步骤：颜色b分配给没有用颜色a或颜色b着色并且直接通过所述第一类型的棱边连接至具有颜色a的顶点的所有顶点；在分配颜色b的步骤之后，随后将颜色a分配给没有用颜色a或颜色b着色并且直接通过第一类型或第二类型的棱边与具有颜色b的顶点连接的所有顶点；

在上述方法中，重复分配颜色b以及随后将颜色a分配给图案中的剩余顶点的步骤；以及将具有颜色a的顶点放入第一子集，并且将具有颜色b的顶点放入第二子集。

在上述方法中，在所述重复的步骤之后，还包括以下步骤：检查是否存在用颜色b着色并由所述第二类型的棱边连接的顶点对；以及在这种顶点对存在的情况下，修改所述布局。

在上述方法中，在所述重复的步骤之后，还包括以下步骤：在存在没有用颜色a或颜色b着色的顶点的情况下，将颜色a或颜色b分配给顶点以平衡所述第一子集和所述第二子集之间的掩模负载。

在上述方法中，在所述重复的步骤之后，还包括以下步骤：制造具有对应于顶点的第一子集的所述ic图案的第一光掩模；以及制造具有对应于顶点的第二子集的所述ic图案的第二光掩模。

在上述方法中，还包括以下步骤：使用所述第一光刻技术对晶圆实施第一光刻工艺以产生对应于顶点的第一子集的蚀刻掩模图案的第一子集；使用所述第二光刻技术对所述晶圆实施第二光刻工艺以产生对应于顶点的第二子集的蚀刻掩模图案的第二子集；以及使用蚀刻掩模图案的所述第一子集和所述第二子集蚀刻所述晶圆。

在上述方法中，在所述导出的步骤之后，还包括以下步骤：定位由所述第二类型的棱边连接的顶点对；检查仅通过所述第一类型的棱边的顶点对之间是否存在路径；在这种路径存在并且所述路径上的所述第一类型的棱边的数量是偶数的情况下，将颜色a初始分配给所述顶点对；以及将具有颜色a的顶点放入所述第一子集。

在上述方法中，在初始分配颜色a的步骤之后，还包括以下步骤：将颜色b分配给没有用颜色a或颜色b着色并且直接通过所述第一类型的棱边连接至具有颜色a的顶点的所有顶点；在分配颜色b的步骤之后，随后将颜色a分配给没有用颜色a或颜色b着色并且直接通过所述第一类型的棱边或所述第二类型的棱边连接至具有颜色b的顶点的所有顶点；重复分配颜色b以及随后将颜色a分配给图案中剩余顶点的步骤；以及将具有颜色a的顶点放入第一子集并且将具有颜色b的顶点放入第二子集。

根据本发明的另一些实施例，还提供了一种利用第一光刻技术和比所述第一光刻技术具有更低的分辨率的第二光刻技术制造集成电路(ic)的方法，包括以下步骤：提供ic的布局，所述布局具有一组ic图案；从所述布局导出图案，其中，用顶点代表所述ic图案和用连接对应的顶点的棱边代表所述ic图案之间的间隔；将所述棱边分类成两种类型，第一类型的棱边连接将用所述第一光刻技术和所述第二光刻技术分别图案化的两个顶点、第二类型的棱边连接将在相同的工艺中使用所述第一光刻技术图案化或将用所述第一光刻技术和所述第二光刻技术分别图案化的两个顶点；以及将所述顶点分解成第一子集和第二子集，其中，将在晶圆上使用所述第一光刻技术图案化对应于所述第一子集的所述ic图案以形成第一蚀刻掩模，并且将在所述晶圆上使用所述第二光刻技术图案化对应于所述第二子集的所述ic图案以形成第二蚀刻掩模，其中，所述第一蚀刻掩模和所述第二蚀刻掩模将所述ic图案共同转移至所述晶圆上。

在上述方法中，在所述分类的步骤之后，还包括以下步骤：检查是否存在由所述第一类型的棱边连接的奇数个顶点形成的回路。

在上述方法中，在所述分类的步骤之后，还包括以下步骤：将颜色x和颜色y分配给通过所述第一类型的棱边连接的所有顶点，其中，通过第一类型的共同棱边连接的两个顶点分配有不同的颜色。

在上述方法中，在分配颜色x和颜色y的步骤之后，还包括以下步骤：将颜色a初始分配给分配有相同的颜色x或相同的颜色y并且直接通过所述第二类型的棱边连接的所有顶点对；以及将具有颜色a的顶点放入所述第一子集。

在上述方法中，在初始分配颜色a的步骤之后，还包括以下步骤：将颜色b分配给没有用颜色a或颜色b着色并且直接通过所述第一类型的棱边连接至具有颜色a的顶点的所有顶点，在分配颜色b的步骤之后，随后将颜色a分配给没有用颜色a或颜色b着色并且直接通过所述第一类型的棱边或所述第二类型的棱边连接至具有颜色b的顶点的所有顶点；重复分配颜色b以及随后将颜色a分配给图案中的剩余顶点的步骤；将具有颜色a的顶点放入第一子集；以及将具有颜色b的顶点放入第二子集。

根据本发明的又一些实施例，还提供了一种利用具有第一分辨率的第一光刻技术和具有大于所述第一分辨率的第二分辨率的第二光刻技术制造集成电路(ic)的方法；包括以下步骤：提供ic的布局，所述布局具有一组ic图案；从所述布局导出图案，所述图案具有顶点和连接一些顶点的棱边，所述顶点代表所述ic图案，所述棱边代表所述ic图案之间的小于所述第二分辨率的间隔；将所述棱边分为至少两种类型，第一类型代表小于所述第一分辨率的间隔，第二类型代表等于或大于所述第一分辨率但是小于所述第二分辨率的间隔；以及将所述顶点分解成第一子集和第二子集，其中，对应于所述第一子集的所述ic图案将在晶圆上使用所述第一光刻技术图案化，并且对应于所述第二子集的所述ic图案将在所述晶圆上使用所述第二光刻技术图案化，其中，通过计算化ic工具实施导出、分类和分解中的至少一个。

在上述方法中，在所述分类的步骤之后，还包括以下步骤：将颜色x和颜色y分配给由所述第一类型的棱边连接的所有顶点，其中，由第一类型的共同棱边连接的两个顶点分配有不同的颜色。

在上述方法中，在分配颜色x和颜色y的步骤之后，还包括以下步骤：将颜色a分配给分配有相同的颜色x或相同的颜色y并且直接通过所述第二类型的棱边连接的所有顶点对；通过实施以下步骤用颜色a和颜色b逐渐对剩余顶点着色：将不同颜色分配给直接通过所述第一类型的棱边连接的两个顶点；将颜色a分配给直接通过所述第二类型的棱边连接至具有颜色b的顶点的顶点；以及将颜色a或者颜色b分配给直接通过所述第二类型的棱边连接至具有颜色a的顶点的顶点；以及将具有颜色a的顶点放入所述第一子集并且将具有颜色b的顶点放入所述第二子集。

上面概述了若干实施例的特征，使得本领域人员可以更好地理解本发明的方面。本领域人员应该理解，它们可以容易地使用本发明作为基础来设计或修改用于实施与本人所介绍实施例相同的目的和/或实现相同优势的其他工艺和结构。本领域技术人员也应该意识到，这种等同构造并不背离本发明的精神和范围，并且在不背离本发明的精神和范围的情况下，本文中它们可以做出多种变化、替换以及改变。