技术特征：
技术总结
本发明公开了一种GaN基的p‑GaN增强型HEMT器件及其制作方法。所述器件包括：隧道结构，其包括异质结，所述异质结包括沟道层和势垒层，且所述异质结内形成有二维电子气；帽层，其至少对隧道结构的局部区域形成三维包覆，并至少用以将所述异质结内分布于栅下区域的二维电子气耗尽；源极、漏极，其分别设置在所述隧道结构两端；栅极，其对所述帽层的形成三维包覆。本发明的HEMT器件具有阈值电压高，p‑GaN帽层掺杂浓度及厚度要求低等优点。
技术研发人员：赵杰;付凯;宋亮;郝荣晖;陈扶;于国浩;蔡勇;张宝顺
受保护的技术使用者：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
技术研发日：2017.12.06
技术公布日：2019.06.14