半导体装置及其制造方法与流程

技术特征：

技术总结
本公开涉及一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括衬底，衬底包括沟槽结构部件以及由沟槽结构部件分隔开的有源区，其中，沟槽结构部件具有沟槽以及位于沟槽中的第一区域和第二区域，第二区域至少包围第一区域的底面和侧面，并且第一区域由导电材料形成，第二区域由绝缘材料形成。

技术研发人员：北村阳介;大石周;黄晓橹
受保护的技术使用者：德淮半导体有限公司
技术研发日：2017.12.07
技术公布日：2018.05.04