技术总结
本发明提出了一种硅基GaN蓝光LED外延材料制作垂直结构LED的工艺，包括如下步骤：(i)硅基GaN蓝光LED外延材料的P型面和新的Si衬底材料分别制作欧姆接触电极，之后分别蒸发Au作为压焊金属层；(ii)将外延片和新的衬底压焊在一起；(iii)用酸去除Si(111)生长衬底，然后用ICP刻蚀掉AlN缓冲层；(ⅳ)制作LED的n型欧姆接触电极；(ⅴ)划片和封装；所述硅基GaN蓝光LED外延材料是用生产型MOCVD系统在2英吋Si(111)衬底上生长的。
技术研发人员：张勇
受保护的技术使用者：佛山东燊金属制品有限公司
技术研发日：2017.12.15
技术公布日：2018.06.01