本发明属于平板显示技术领域，具体涉及一种白光量子点发光二极管及其制备方法。
背景技术：
量子点(quantumdot)是一种准零维纳米材料，类似超晶格和量子阱，其颗粒大小约为1～100nm，具有量子限域效应、表面效应、量子尺寸效应和量子隧道效应等性能，同时具有单色性好、色纯度高、发光光谱窄等突出优点，是一种非常有前景的纳米材料。基于量子点的发光二极管被称为量子点发光二极管(quantumdotslight-emittingdiode,qled)，是一种新型的显示技器件。量子点显示的优势在于色域覆盖广、色彩容易控制以及色纯度高等优点，被认为是显示技术的新星，同时也被认为是显示技术的革命性代表。
目前，主流的量子点白光器件主要是通过将红绿蓝三色(或更多发光颜色)量子点混合，制备混合量子点发光层，从而实现白光器件。但不同量子点混合之后，量子点之间较容易发生能量传递，因此基于将不同颜色量子点混合的方法制备的白光器件容易出现发光颜色随电压的改变而发生变化的情况。同时，基于目前的溶液制备方法，在量子点层上面制备第二层量子点层时，第二层使用溶剂会很大程度破坏第一层的量子点薄膜，从而不易实现多层量子点逐层堆叠的器件结构。
技术实现要素：
本发明的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种白光量子点发光二极管及其制备方法，旨在解决现有白光量子点发光二极管制备过程中，多层量子点薄膜之间不能逐层堆叠形成发光叠层的技术问题。
本发明的另一目的在于提供一种含有上述白光量子点发光二极管的显示屏。
为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：
本发明一方面提供一种白光量子点发光二极管的制备方法，包括如下步骤：
提供底电极；
在所述底电极上制备量子点预制薄膜，所述量子点预制薄膜中的量子点表面连接有初始配体；将所述量子点预制薄膜置于可密闭装置中，通入气态的置换配体，进行气相配体置换，得到量子点表面结合所述置换配体的第一层量子点薄膜，所述置换配体可连接至少两个量子点；
采用所述第一层量子点薄膜的制备方法制得n层层叠的量子点薄膜，得到发光叠层；或
采用所述第一层量子点薄膜的制备方法制得n-1层层叠的量子点薄膜，在第n-1层量子点薄膜上制备一有机发光薄膜，得到发光叠层；
其中，n为正整数，2≤n≤10；且所述发光叠层复合发白光；
在所述发光叠层上制备顶电极；
其中，所述底电极为阳极，所述顶电极为阴极；或所述底电极为阴极，所述顶电极为阳极。
相应地，一种白光量子点发光二极管，其特征在于，所述白光量子点发光二极管由上述制备方法制得。
另外，一种显示屏，包括上述白光量子点发光二极管。
本发明提供的白光量子点发光二极管的制备方法，在制备发光叠层时时，采用气相法对每层量子点预制薄膜进行表面配体置换，不仅工艺简单，而且置换配体可连接至少两个量子点，这样使得量子点成膜之后发生交联，交联之后的薄膜不会受到上层薄膜溶剂的影响，从而可以制备多层量子点薄膜堆叠结构的发光叠层，实现白光发光。采用气相法对量子点预制薄膜的表面原位配体交换为置换配体，相对于采用溶液法进行配体置换，气相原位配体交换具有无溶剂损伤(提高得到的量子点薄膜的整体性能)、成本低廉、工艺简单等突出优点，采用原位配体交换将量子点预制薄膜中量子点表面的初始配体置换为置换配体，从而改变量子点成膜之后的表面极性及表面张力，进而通过控制量子点表面的极性，避免量子点发光层免受上层电子功能材料溶液溶剂的影响，当量子点溶液通过成膜工艺形成量子点预制薄膜后，量子点的排布和位置基本固定，此时再用气态的置换配体进行配体置换就不会出现溶液沉降的问题，且量子点成膜过程不受交换后的配体结构的影响。此外，采用气相法进行配体置换，气相氛围内配体置换程度更充分，且置换配体的选择不受溶液环境的局限，具有较好的选择灵活性，可以实现规模化和工业化生产；而且采用特有的共轭配体置换，使制备的量子点薄膜中的量子点的溶解性、分散性与其导电能力达到更好的平衡状态，进一步提高量子点薄膜的稳定性以及载流子传输能力，相应地提高发光效率，提高其整体性能。
本发明提供的白光量子点发光二极管、以及显示屏中的白光量子点发光二极管由上述制备方法获得，因含有复合发白光的发光叠层，可实现白光发光，克服现有红绿蓝三色(或更多发光颜色)量子点混合制备混合量子点发光层时，量子点之间容易发生能量传递的问题，从而减少不同电场对器件发光颜色的影响。
具体实施方式
为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
一方面，本发明实施例提供了一种白光量子点发光二极管的制备方法，包括如下步骤：
s01：提供底电极；
s02：在所述底电极上制备量子点预制薄膜，所述量子点预制薄膜中的量子点表面连接有初始配体；将所述量子点预制薄膜置于可密闭装置中，通入气态的置换配体，进行气相配体置换，得到量子点表面结合所述置换配体的第一层量子点薄膜，所述置换配体可连接至少两个量子点；
s03：采用所述第一层量子点薄膜的制备方法制得n层层叠的量子点薄膜，得到发光叠层；或
采用所述第一层量子点薄膜的制备方法制得n-1层层叠的量子点薄膜，在第n-1层量子点薄膜上制备一有机发光薄膜，得到发光叠层；
其中，n为正整数，2≤n≤10；且所述发光叠层复合发白光；
s04：在所述发光叠层上制备顶电极；
其中，所述底电极为阳极，所述顶电极为阴极；或所述底电极为阴极，所述顶电极为阳极。
本发明实施例提供的白光量子点发光二极管的制备方法，在制备发光叠层时时，采用气相法对每层量子点预制薄膜进行表面配体置换，不仅工艺简单，而且置换配体可连接至少两个量子点，这样使得量子点成膜之后发生交联，交联之后的薄膜不会受到上层薄膜溶剂的影响，从而可以利用溶液法制备多层量子点薄膜堆叠结构的发光叠层，实现白光发光。n为大于或等于2、且小于等于10的整数，具体可以为2、3、4、5、6、7、8、9等值。进一步优选地，所述n层量子点薄膜中，2≤n≤5；且每层所述量子点薄膜的厚度优选为2-80nm。
采用气相法对量子点预制薄膜的表面原位配体交换为置换配体，相对于采用溶液法进行配体置换，气相原位配体交换具有无溶剂损伤(提高得到的量子点薄膜的整体性能)、成本低廉、工艺简单等突出优点，采用原位配体交换将量子点预制薄膜中量子点表面的初始配体置换为置换配体，从而改变量子点成膜之后的表面极性及表面张力，进而通过控制量子点表面的极性，避免量子点发光层免受上层电子功能材料溶液溶剂的影响，当量子点溶液通过成膜工艺形成量子点预制薄膜后，量子点的排布和位置基本固定，此时再用气态的置换配体进行配体置换就不会出现溶液沉降的问题，且量子点成膜过程不受交换后的配体结构的影响。此外，采用气相法进行配体置换，气相氛围内配体置换程度更充分，且置换配体的选择不受溶液环境的局限，具有较好的选择灵活性，可以实现规模化和工业化生产；而且采用特有的共轭配体置换，使制备的量子点薄膜中的量子点的溶解性、分散性与其导电能力达到更好的平衡状态，进一步提高量子点薄膜的稳定性以及载流子传输能力，相应地提高发光效率，提高其整体性能。
具体地，在上述步骤s03中，在每制备一层量子点薄膜后，需要对该量子点薄膜通过气相反应进行配体置换，然后再继续沉积另一层量子点薄膜，置换配体能够同时连接两个或两个以上量子点，处理结束后得到具有配体交联的发光叠层。其中，所述配体置换前的量子点表面含有初始配体，具体地，所述初始配体为有机配体，包括但不限于十四烯、十六烯、十八烯、十八烷基胺、十八烯酸、三辛胺、三辛基氧膦、三辛基膦、十八烷基膦酸、9-十八烯胺、巯基十一酸中的一种或多种。
优选地，发光叠层中的第n层可以为机发光薄膜，即在第n-1层量子点薄膜上制备一有机发光薄膜。该第n层量子点薄膜层不用配体交换，因此可以是量子点发光材料，也可以替换成有机发光材料，而小于n的各层是量子点发光材料，是因为需要进行配体交换。
优选地，所述置换配体的结构式为x1-r-x2，其中x1和x2为可与量子点表面相连接(如螯合)的官能团，如卤素原子、-sh、-cooh、-nh2、-oh、-no2、-so3h、膦基、磷酸基等；r为烃基或烃基衍生物，选自含任意有机官能团或不含有机官能团的饱和烷烃、不饱和烷烃、芳香烃中的一种或多种，包括但不限于烷烃、烯烃、炔烃、芳香烃、环烷烃、卤代烃、醇、醚、酚、醛、酮、羧酸、酯、含氮化合物中的一种或多种。具体地，所述置换配体包括但不限于1,2-乙二硫醇、1,4-丁二硫醇、1,6-己二硫醇、1,8-辛二硫醇、1,4-苯二硫醇、1,4-苯二甲硫醇、巯基乙胺、巯基丙胺、巯基乙酸、3-巯基丙酸、3-巯基丁酸、6-巯基己酸、1,2-乙二胺、1,3-丙二胺、1,4-丁二胺、1,5-戊二胺、1,6-己二胺、4-巯基苯甲酸、巯基甘油、1-三甲基胺乙硫醇、硝基苯硫醇、磺基苯硫醇、巯基苯乙酸、硝基苯磺酸、苯二胺、巯基苯胺、硝基苯胺、磺基苯胺、对苯二甲酸、对苯二乙酸、氨基苯甲酸、4-(二苯基膦基)苯甲酸中的一种或多种。
更优选地，所述置换配体为共轭配体，共轭配体中：x1和x2为卤素原子、羟基、醚基、巯基、硫醚基、醛基、羰基、羧基、酯基、硝基、亚硝基、氨基、亚胺基、磺基、酰基、硝酰基、磺酰基、氰基、异氰基、腙基、膦基、磷酸基、肟基、环氧基、偶氮基、碳碳双键、碳碳叁键、芳香环基中的至少一种。即x1和x2可以是上述同种的基团，也可以是不同种的基团。优选x1与x2相同，两边活性一致，都能与量子点发生反应；若两边活性不一致时，需要控制反应物用量和反应参数，当高活性的官能团全部反应完毕，调节反应参数，才能使低活性的官能团与量子点发生反应。而r为不饱和的烃基或烃基衍生物，即具有共轭效应(电子离域效应)的有机单元结构，共轭效应包括但不限于π-π共轭、p-π共轭、σ-π共轭、σ-p共轭、p-p共轭中的一种或多种；所述具有共轭效应的有机单元结构包括但不限于双键和单键交替排列的线状结构和/或环状结构，其中在该结构中还可进一步含有三键结构(特别地，应当理解的是，按经典有机化学理论，在本案中苯环结构也认为是三个碳碳单键和三个碳碳双键相互交替连接的环状共轭结构中的一种)，其中所述环状结构可以是有序环状结构也可以是杂环结构；具体地，所述具有共轭效应的有机单元结构中含有的官能团包括但不限于苯环、-c＝c-、-c≡c-、-c＝o-、-n＝n-、-c≡n、-c＝n-中的一种或多种；特别地，所述具有共轭效应的有机单元结构中可以含有环结构，其中所述环结构包括但不限于苯环结构、菲结构、萘结构、茚结构、芘结构、芐结构、苊结构、苊烯结构、芴结构、蒽结构、荧蒽结构、苯并蒽结构、苯并荧蒽结构、苯并芘结构、茚并芘结构、二苯并蒽结构、苯并苝结构、吡咯结构、吡啶结构、哒嗪结构、呋喃结构、噻吩结构、吲哚结构、卟吩结构、卟啉结构、噻唑结构、咪唑结构、吡嗪结构、嘧啶结构、喹啉结构、异喹啉结构、蝶啶结构、吖啶结构、噁唑结构、咔唑结构、三唑结构、苯并呋喃结构、苯并噻吩结构、苯并噻唑结构、苯并噁唑结构、苯并吡咯结构、苯并咪唑结构中的一种或多种。
更进一步优选地，本发明实施例所述置换配体包括如下结构式1-4任一所示的化合物中的至少一种，
其中，式1、式2、式3、式4中至少含有一个共轭基团，具体地，式1中，r为共轭基团；式2中，r1、r2中的至少一个为共轭基团；式3中，r、r1、r1’、r2、r2’中的至少一个为共轭基团；式4中，r1、r1’、r2、r2’、r3、r3’、r4、r4’、r5、r5’中的至少一个为共轭基团。共轭基团上面已阐述，例如r、r1、r1’、r2、r2’、r3、r3’、r4、r4’、r5、r5’可以单独选自为饱和或不饱和的烃基，如烷烃基、烯烃基、炔烃基、芳基、杂芳基及其衍生物等。x1、x1’、x2、x2’、x3、x3’为活性官能团，能够与量子点表面发生螯合的官能团，优选的，所述活性官能团包括卤素原子、-sh、-cooh、-nh2、-oh、-no2、-so3h、膦基、磷酸基、醚基、氰基中的至少一种，但不限于此。优选的活性官能团与量子点之间有较好的反应性，且易于与量子点合成过程中引入的原始配体进行原位置换，提高置换速率。
同时，所述量子点薄膜中的量子点为ii-vi族化合物、iii-v族化合物、ii-v族化合物、iii-vi化合物、iv-vi族化合物、i-iii-vi族化合物、ii-iv-vi族化合物或iv族单质中的一种或多种。具体地，所述ii-vi族化合物(半导体材料)包括cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、hgs、hgse、hgte、pbs、pbse、pbte，但不限于此，还可以为其他二元、三元、四元的ii-vi族化合物；iii-v族化合物(半导体材料)的纳米晶包括但不限于gap、gaas、inp、inass，但不限于此，还可以为其他二元、三元、四元的iii-v化合物。
作为一种优选实施情形，所述量子点为掺杂或非掺杂的无机钙钛矿型半导体、和/或有机-无机杂化钙钛矿型半导体。具体地，所述无机钙钛矿型半导体的结构通式为amx3，其中，a为cs+离子，m为二价金属阳离子，包括但不限于pb2+、sn2+、cu2+、ni2+、cd2+、cr2+、mn2+、co2+、fe2+、ge2+、yb2+、eu2+，x为卤素阴离子，包括但不限于cl-、br-、i-。所述有机-无机杂化钙钛矿型半导体的结构通式为bmx3，其中，b为有机胺阳离子，包括但不限于ch3(ch2)n-2nh3+(n≥2)或nh3(ch2)nnh32+(n≥2)。当n＝2时，无机金属卤化物八面体mx64-通过共顶的方式连接，金属阳离子m位于卤素八面体的体心，有机胺阳离子b填充在八面体间的空隙内，形成无限延伸的三维结构；当n＞2时，以共顶的方式连接的无机金属卤化物八面体mx64-在二维方向延伸形成层状结构，层间插入有机胺阳离子双分子层(质子化单胺)或有机胺阳离子单分子层(质子化双胺)，有机层与无机层相互交叠形成稳定的二维层状结构；m为二价金属阳离子，包括但不限于pb2+、sn2+、cu2+、ni2+、cd2+、cr2+、mn2+、co2+、fe2+、ge2+、yb2+、eu2+，x为卤素阴离子，包括但不限于cl-、br-、i-。
具体地，上述气相配体置换在可密闭装置内进行，将所述量子点薄膜置于可密闭装置中，所述可密闭装置作为反应装置，一方面，能够防止水、氧进入，对配体置换造成影响；更重要的是，所述可密闭装置的密闭环境，可以形成加压或真空环境，从而促进配体置换反应的进行。理论上，只要能实现一定真空度的密闭腔室均能用于本发明实施例，可以是低真空密闭腔室，也可以是高真空密闭腔室，本发明实施例没有严格限制。本发明实施例通过通入气态的置换配体，为配体交换提供物质基础。进一步的，通过调节所述可密闭装置中的压力、温度、置换配体的分压，实现气相配体置换，使所述量子点预制薄膜中量子点表面的原始表面配体与所述置换配体发生配体交换，最终得到量子点表面结合所述置换配体的量子点薄膜。
进一步地，所述通入气态的置换配体的步骤包括：将液态的置换配体经蒸发或沸腾处理后得到气态的置换配体，再通入所述的可密闭装置中。，大部分置换配体常温下为液态，因此通过此方法可以得到气态的置换配体，再将其通入可密闭装置中，进行气相配体置换。所述通入气态的置换配体的步骤也可以包括：将固态置换配体经升华处理或依次经液化、蒸发处理后得到气态的置换配体，再通入所述的可密闭装置中。部分置换配体，如苯二胺、巯基苯胺、硝基苯胺、磺基苯胺常温为固态，因此可通过此方法得到气态的置换配体，再将其通入可密闭装置中，进行气相配体置换。
优选的，本发明实施例采用在真空环境下进行气相配体置换。具体的，所述气相配体置换的过程中，所述可密闭装置的内部压力为10-5～103pa，所述置换配体的分压为10-4～102pa。通过控制所述可密闭装置的内部压力，有效降低正方向产物的含量；而通过调节所述置换配体的分压，保证所述置换配体在反应环境中的合适含量，从而从产物源头和原料源头双层促使置换反应向正方向(量子点与所述置换配体结合的方向)进行。进一步优选的，所述气相配体置换的过程中，所述可密闭装置的内部压力为10-4～102pa，所述置换配体的分压为0.01～10pa，从而更有利于置换反应朝正方向进行。
本发明实施例中，所述气相配体置换可以在常温下进行，优选的，为了提高反应速率，可以对其进行加热处理。综上，所述气相配体置换的过程中，所述可密闭装置的内部温度为5～200℃。
本发明实施例中，所述气相配体置换的时间根据原始表面配体、置换配体的类型，以及所述可密闭装置的内部压力、置换配体的分压而异，在0.5-360min之间。
相应地，本发明实施例提供了一种白光量子点发光二极管，由上述制备方法制得。
本发明实施例的白光量子点发光二极管因含有由多层量子点薄膜堆叠结构的发光叠层，可实现白光发光，克服现有红绿蓝三色(或更多发光颜色)量子点混合制备混合量子点发光层时，量子点之间容易发生能量传递的问题，从而减少不同电场对器件发光颜色的影响。
本发明实施例中，所述白光量子点发光二极管可以为正型白光量子点发光二极管，也可以为反型白光量子点发光二极管。作为一种实施情形，所述白光量子点发光二极管为正型白光量子点发光二极管，即所述底电极为阳极，所述顶电极为阴极。作为另一种实施情形，所述白光量子点发光二极管为反型白光量子点发光二极管，即所述底电极为阴极，所述顶电极为阳极。
在上述实施例的基础上，进一步优选的，所述白光量子点发光二极管还包括功能修饰层，所述功能修饰层包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层中的至少一种。所述空穴注入层、空穴传输层设置在阳极和发光叠层之间，所述电子注入层、电子传输层设置在发光叠层和阴极之间。
所述白光量子点发光二极管中的衬底为刚性衬底或柔性衬底，所述刚性衬底包括但不限于玻璃、金属箔片中的一种或多种；所述柔性衬底包括但不限于聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pen)、聚醚醚酮(peek)、聚苯乙烯(ps)、聚醚砜(pes)、聚碳酸酯(pc)、聚芳基酸酯(pat)、聚芳酯(par)、聚酰亚胺(pi)、聚氯乙烯(pv)、聚乙烯(pe)、聚乙烯吡咯烷酮(pvp)、纺织纤维中的一种或多种。
所述底电极、所述顶电极单独选自金属材料、碳材料、金属氧化物中的至少一种。其中，所述金属材料包括但不限于al、ag、cu、mo、au、或它们的合金；所述碳材料包括但不限于石墨、碳纳米管、石墨烯、碳纤维中的一种或多种。所述金属氧化物为掺杂或非掺杂的金属氧化物，具体的，作为一种实施情形，所述掺杂金属氧化物包括但不限于铟掺杂氧化锡(ito)、氟掺杂氧化锡(fto)、锑掺杂氧化锡(ato)、铝掺杂氧化锌(azo)、镓掺杂氧化锌(gzo)、铟掺杂氧化锌(izo)、镁掺杂氧化锌(mzo)、铝掺杂氧化镁(amo)中的一种或多种。作为另一种实施情形，所述底电极、所述顶电极可以单独选自透明金属氧化物中含有金属夹层的复合电极，其中，所述透明金属氧化物可以为掺杂透明金属氧化物，也可以为非掺杂的透明金属氧化物。所述复合电极包括但不限于azo/ag/azo、azo/al/azo、ito/ag/ito、ito/al/ito、zno/ag/zno、zno/al/zno、tio2/ag/tio2、tio2/al/tio2、zns/ag/zns、zns/al/zns、tio2/ag/tio2、tio2/al/tio2中的一种或多种。本发明实施例中，可以根据不同量子点发光二极管的发光特点，包括顶发射器件、底发射器件、全透明器件，选用不同材料的底电极和顶电极，搭配构建具有不同器件结构的量子点发光二极管。
进一步优选的，本发明实施例所述白光量子点发光二极管还包括界面修饰层，所述界面修饰层为电子阻挡层、空穴阻挡层、电极修饰层、隔离保护层中的至少一层。
所述白光量子点发光二极管的封装方式可以为部分封装、全封装、或不封装，本发明实施例没有严格限制。
优选的，还包括在发光叠层和电极之间设置功能修饰层，如，当底电极为阳极、顶电极为阴极时，在制备发光叠层之前，还包括沉积空穴注入层和空穴传输层中的至少一层；在制备顶电极之前，还包括在发光叠层上沉积电子传输层、电子注入层中的至少一层。当底电极为阴极、顶电极为阳极时，在制备发光叠层之前，还包括沉积电子传输层、电子注入层中的至少一层；在制备顶电极之前，还包括在发光叠层上沉积空穴注入层和空穴传输层中的至少一层。
所述顶电极、底电极、空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层、以及量子点薄膜的沉积方法，可以化学法或物理法实现，其中，所述化学法包括但不限于化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法、共沉淀法中的一种或多种；所述物理法包括但不限于物理镀膜法或溶液加工法，其中，溶液加工法包括但不限于旋涂法、印刷法、刮涂法、浸渍提拉法、浸泡法、喷涂法、滚涂法、浇铸法、狭缝式涂布法、条状涂布法；物理镀膜法包括但不限于热蒸发镀膜法、电子束蒸发镀膜法、磁控溅射法、多弧离子镀膜法、物理气相沉积法、原子层沉积法、脉冲激光沉积法中的一种或多种。
所述空穴注入层选自具有空穴注入能力的有机材料。制备所述空穴注入层的空穴注入材料包括但不限于聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸(pedot:pss)、酞菁铜(cupc)、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰醌-二甲烷(f4-tcnq)、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲(hatcn)、过渡金属氧化物、过渡金属硫系化合物中的一种或多种。其中，所述过渡金属氧化物包括但不限于moo3、vo2、wo3、cro3、cuo中的至少一种；所述金属硫系化合物包括但不限于mos2、mose2、ws2、wse2、cus中的至少一种。
所述空穴传输层选自具有空穴传输能力的有机材料，包括但不限于聚(9,9-二辛基芴-co-n-(4-丁基苯基)二苯胺)(tfb)、聚乙烯咔唑(pvk)、聚(n,n'双(4-丁基苯基)-n,n'-双(苯基)联苯胺)(poly-tpd)、聚(9,9-二辛基芴-共-双-n,n-苯基-1,4-苯二胺)(pfb)、4,4’,4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(tcta)、4,4'-二(9-咔唑)联苯(cbp)、n,n’-二苯基-n,n’-二(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺(tpd)、n,n’-二苯基-n,n’-(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺(npb)、掺杂石墨烯、非掺杂石墨烯、c60中的至少一种。作为另一个实施例，所述空穴传输层4选自具有空穴传输能力的无机材料，包括但不限于掺杂或非掺杂的moo3、vo2、wo3、cro3、cuo、mos2、mose2、ws2、wse2、cus中的至少一种。
所述电子传输层选自具有电子传输性能的材料，优选为具有电子传输性能的无机材料或有机材料，所述无机材料包括但不限于n型zno、tio2、sno2、ta2o3、alzno、znsno、insno、ca、ba、csf、lif、cs2co3中的至少一种；所述有机材料包括不限于alq3、tpbi、bcp、bphen、pbd、taz、oxd-7、3tpymb、bp4mpy、tmpypb、bmpyphb、tqb中的至少一种。
以及，本发明实施例还提供了一种显示屏，包括上述的白光量子点发光二极管。
本发明先后进行过多次试验，现举一部分试验结果作为参考对发明进行进一步详细描述，下面结合具体实施例进行详细说明。
实施例1
一种量子点薄膜的制备方法，包括以下步骤：
提供cdse量子点预制薄膜，将所述量子点预制薄膜转移到真空腔室内，通入1,2-乙二硫醇气体，其中，真空腔室内部压力为5pa、1,2-乙二硫醇气体的分压为1pa，腔室内部温度为25℃，处理时间为30min，处理结束后取出，得到配体置换为1,2-乙二硫醇的cdse量子点薄膜。
实施例2
一种白光量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：
在ito阳极上依次打印pedot空穴注入层、tfb空穴传输层、第一层cdse红光量子点预制薄膜；
将上述制备的第一层cdse红光量子点预制薄膜转移到真空腔室内，通入1,2-乙二硫醇气体，其中腔室内部压力为5pa、1,2-乙二硫醇气体的分压为1pa，腔室内部温度为25℃，处理时间为30min，处理结束后取出，得到配体置换后的第一层cdse红光量子点薄膜；
在配体置换过的第一层cdse红光量子点薄膜上面打印第二层cdse绿光量子点预制薄膜，然后将该第二层cdse绿光量子点薄膜转移到真空腔室内，通入1,2-乙二硫醇气体，其中腔室内部压力为5pa、1,2-乙二硫醇气体的分压为1pa，腔室内部温度为25℃，处理时间为30min，处理结束后取出，得到配体置换后的第二层cdse绿光量子点薄膜；
在配体置换过的第二层cdse绿光量子点发光层上面打印第三层cdse蓝光量子点预制薄膜，然后将该第三层cdse篮光量子点薄膜转移到真空腔室内，通入1,2-乙二硫醇气体，其中腔室内部压力为5pa、1,2-乙二硫醇气体的分压为1pa，腔室内部温度为25℃，处理时间为30min，处理结束后取出，得到配体置换后的第三层cdse蓝光量子点薄膜；该三层不同颜色的量子点薄膜即组成白光量子点发光二极管中的发光叠层；
在上述第三层cdse蓝光量子点发光薄膜上打印zno电子传输层，最后蒸镀al阴极，得到白光量子点发光二极管。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。