本发明属于新型薄膜太阳能电池的制备技术领域。
背景技术：
新型薄膜太阳电池材料与器件，已成为太阳能电池领域的重点研究对象。现有的太阳电池材料因原材料的供应、成本和毒性等问题，尚不能完全满足未来廉价的、大规模使用的需求；因此，降低太阳电池成本的工作显得尤为重要。CdTe是II-VI族化合物半导体材料。常温下，CdTe的带隙为1.5eV，与可见光有很好的光谱匹配，非常适合作为太阳电池中的光吸收层；理论上，CdTe作为CdS/CdTe薄膜太阳电池的吸收层，只需要1个微米的厚度，其光电转换效率就可以达到30%以上。
技术实现要素：
现今CdTe薄膜太阳电池，主要采用n-p架构模式，即n型采用CdS薄膜，其CdS/CdTe薄膜太阳电池，已经推向了市场。其中CdS薄膜的制备，主要采用化学池水浴法；CdTe薄膜的制备，主要采用近空间升华法、物理气相输运法等。然而，这些方法制备出来的CdTe通常都有3~5个微米厚。这个厚度，无论在材料损耗上，还是成本控制上，都不是很经济。本发明旨在使用多靶射频磁控溅射法，分别在TCO玻璃上，先后溅射n型层（如CdS）、p型层(CdTe)薄膜，其厚度分别为10纳米、900纳米。之后经过退火后处理，再溅射背接触层及背电极。这样就基本完成了CdTe超薄电池的制备过程。
附图说明
图1使用多靶射频磁控溅射法制备超薄CdTe太阳电池的步骤示意图。
具体实施方式
本专利首次提出完全使用射频磁控溅射的干法沉积制备技术，采用多靶平行摆放，先后从上到下溅射沉积n、p型层薄膜。
具体是，在真空腔室，从上到下，在加温的TCO玻璃上，先后溅射n型层（如CdS）、p型层(CdTe)薄膜，其厚度分别为10纳米、900纳米。之后经过退火后处理工位，再进入腔室，溅射背接触层及背电极。完成整个薄膜电池的制备过程。