1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：
提供基板，所述基板包括相对设置的第一表面及第二表面；
在所述第一表面形成源极；
在所述第一表面及所述源极上形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述源极和所述第一表面；
在所述栅极绝缘层上形成间隔设置的第一沟槽和第二沟槽，所述第二沟槽穿过所述栅极绝缘层以露出所述源极；
在所述第一沟槽内形成栅极；
在所述第二沟槽内形成有源层；
在所述栅极绝缘层的表面上形成像素电极层，所述像素电极层与所述有源层连接，与所述栅极绝缘。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，在所述栅极绝缘层的表面上形成像素电极层，所述像素电极层与所述有源层连接，与所述栅极绝缘的步骤中，包括，
在所述栅极绝缘层的表面上形成氧化物半导体层，并对所述氧化物半导体层进行构图工艺，以使所述氧化物半导体层与所述栅极绝缘；
对所述图案化后的氧化物半导体层进行导体化处理，以使所述氧化物半导体层形成像素电极层。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，对所述图案化后的氧化物半导体层进行导体化处理，以使所述氧化物半导体层形成像素电极层的步骤中，包括，
所述导体化处理为表面等离子体处理；所述表面等离子体处理采用的气体为氩气、氦气或者它们的混合气体。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，在所述第二沟槽内形成有源层的步骤中，包括，
在栅极绝缘层的表面形成第一氧化物半导体层，所述第一氧化物半导体层覆盖所述第二沟槽；
所述第一氧化物半导体层经图案化处理，以形成在第二沟槽内的所述有源层。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，在所述栅极绝缘层上形成间隔设置的第一沟槽和第二沟槽，所述第二沟槽穿过所述栅极绝缘层以露出所述源极的步骤中，包括，
所述第一沟槽和所述第二沟槽经图案化处理同时形成。
6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述步骤“在所述第一表面形成源极”中包括
在所述第一表面形成第一金属层，并对所述第一金属层图案化处理，以形成所述源极。
7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述步骤“在所述第一沟槽内形成栅极”中包括
在栅极绝缘层的表面形成第二金属层，所述第二金属层覆盖所述第一沟槽；
所述第二金属层经图案化处理，以形成在第一沟槽内的所述栅极。
8.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括基板、源极、栅极绝缘层、栅极、有源层和像素电极层；所述源极位于所述基板表面；所述栅极绝缘层覆盖所述源极和基板表面；所述栅极和有源层间隔嵌设于所述栅极绝缘层内，并凸出所述栅极绝缘层表面；所述有源层与所述源极连接，所述像素电极层设于所述栅极绝缘层表面，并与所述有源层连接，与栅极绝缘。
9.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求8所述的薄膜晶体管。
10.一种液晶显示面板，其特征在于，包括如权利要求9所述的阵列基板。