硅橡胶固封极柱的柱式高压真空断路器的制作方法

文档序号:11761953阅读:526来源:国知局
硅橡胶固封极柱的柱式高压真空断路器的制作方法与工艺

本实用新型涉及一种高压真空断路器,特别涉及一种硅橡胶固封极柱的柱式高压真空断路器,属于中压电气技术领域。



背景技术:

在72.5kV及以上电压等级的断路器中,目前SF6断路器占据绝对主导地位。如图3所示,现有SF6断路器的灭弧室极柱包括瓷套(21)、静触头座(22)、喷口(23)、静弧触头(24)、触指(25)、动弧触头(26)、热膨胀气缸(27)、拉杆(28)、中间触头(29)、下支撑座(30),上述SF6断路器的灭弧室极柱是利用SF6的熄弧性能进行灭弧。但SF6气体是《京都议定书》指出的6种温室效应气体中温室效应最强的的一种气体(其温室效应系数是CO2的23900倍),且在电弧高温作用下会产生多种有毒气体及大量具强烈腐蚀性的粉末。

真空断路器具有可靠性高、免维护、适于频繁操作、环境友好等优点,目前在40.5kV及以下的中压等级居于主导地位,在72.5kV及以上电压等级用高压真空断路器替代SF6断路器是一种有效的选择,也代表发展方向。



技术实现要素:

本实用新型的目的旨在提出一种硅橡胶固封极柱的柱式高压真空断路器,该断路器完全不用SF6气体,具有完全意义上的环境友好性,且下极柱所充绝缘气体为常压(即零表压),泄漏影响小,运行可靠性高。

实现本实用新型的技术方案是,一种硅橡胶固封极柱的柱式高压真空断路器,所述高压真空断路器的极柱结构包括有真空灭弧室,真空灭弧室的两端分别有静导电杆和动导电杆,静导电杆的上部连接有上导电法兰,动导电杆的周围设置有导电座,导电座的下部连接有下导电法兰;动导电杆(与导电座间用母线适配器实现导电连接;真空灭弧室的外周及上导电法兰、下导电法兰之间固封有硅橡胶套,下导电法兰的下部是支柱瓷套,支柱瓷套的下部是拐臂箱,动导电杆的下部连接有超程簧装配组件,超程簧装配组件的下部连接有绝缘拉杆组件,绝缘拉杆组件的下部与置于拐臂箱内的拐臂箱传动组件相连,在支柱瓷套的内部充有气体绝缘介质。

优选的,所述硅橡胶套采用高温硫化硅橡胶制成,外部伞裙采用大、小伞裙间隔的方式,满足设计预期的大爬距,高度低。

优选的,所述绝缘拉杆组件四周设有伞裙,可有效增加爬电距离。

优选的,所述气体绝缘介质可以是N2、干燥压缩空气或其他非温室效应气体,且气体压力为1个标准大气压。

本实用新型所述的高压真空断路器,其极柱的真空灭弧室外部采用硅橡胶固封,下部支柱瓷套内充常压N2、干燥压缩空气或其它非温室效应气体,完全不用SF6,具有完全意义上的环境友好性,且下极柱所充绝缘气体为常压(即零表压),则泄漏影响小,运行可靠性高。原SF6断路器充有0.5MPa的SF6气体,当泄漏到其最低功能气压时,断路器存在丧失原有的灭弧/绝缘能力风险。本产品仅在下极柱充常压气体,即便泄漏,也不会影响产品原有绝缘性能。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图;

图2为本实用新型中母线匹配器配合的局部放大结构示意图;

图3为现有SF6断路器的灭弧室极柱的结构示意图;图中:瓷套21、静触头座22、喷口23、静弧触头24、触指25、动弧触头26、热膨胀气缸27、拉杆28、中间触头29、下支撑座30。

具体实施方式

结合附图和实施例对本实用新型作进一步详细说明。

本实用新型结构如图1、2所示,硅橡胶固封极柱的柱式高压真空断路器包括有:真空灭弧室3,真空灭弧室3的两端分别有静导电杆3-1和动导电杆3-2,静导电杆3-1的上部连接有上导电法兰1,动导电杆3-2的周围设置有导电座5,导电座5的下部连接有下导电法兰6;动导电杆3-2与导电座5间用母线适配器4实现导电连接;真空灭弧室3的外周及上导电法兰1、下导电法兰6之间固封有硅橡胶套2。下导电法兰6的下部是支柱瓷套8,支柱瓷套8的下部是拐臂箱11。动导电杆3-2的下部连接有超程簧装配组件7,超程簧装配组件7的下部连接有绝缘拉杆组件10,绝缘拉杆组件10的下部与置于拐臂箱11内的拐臂箱传动组件12相连。在支柱瓷套8的内部充有气体绝缘介质9。

硅橡胶套2在真空灭弧室3处于分闸位置时起与断口相匹配的绝缘作用,其外侧设有大小间隔的伞裙,以有效增加爬电距离。

绝缘拉杆组件10起绝缘及分合闸操作传动作用,其四周设有伞裙,以有效增加爬电距离。

气体绝缘介质9充满于支柱瓷套8及与其相连的拐臂箱11内,起绝缘作用。气体绝缘介质9可以是N2、干燥压缩空气或其他非温室效应气体。所充气体绝缘介质9的压力为常压,即1个大气压,因与外部气压相同(即零表压),因此其对泄漏不敏感,提高了高压真空断路器的运行可靠性及检修安全性。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本实用新型所作的进一步详细说明,不能认定本实用新型的具体实施方式仅限于此,对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干简单的推演或替换,都应当视为属于本实用新型所提交的权利要求书确定的专利保护范围。

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