具改良式引脚的导线架预成形体的制作方法

文档序号:11376220阅读:329来源:国知局
具改良式引脚的导线架预成形体的制造方法与工艺

本实用新型涉及一种导线架预成形体,特别是涉及一种具改良式引脚的导线架预成形体。



背景技术:

四方扁平无外引脚(QFN,quad flat no-lead)封装结构,因为没有向外延伸的引脚,因此,可大幅减小封装尺寸。然而,也因为没有向外延伸的引脚,因此,当要将此封装结构应用于后续焊接时,一般难以直接从外观得知引脚与焊料的焊接状况。

因此,为了便于以目视确认引脚与焊料的焊接质量,一般常见的方式是以两次切割的方式让引脚于侧面呈一断差结构,能易于得知引脚与焊料的接合状况,详细地说,美国第2016/0148877A1早期公开号专利案(下称前案)揭示一种四方无引脚封装结构,主要是通过两个不同宽度的切割刀对引脚进行两次切割。首先,以一较宽的切割刀切割各引脚12的上部分而形成一凹槽13,接着,于各引脚12与各凹槽13上形成一层电镀层14,最后,以另一较窄的切割刀将各引脚12切断,使各引脚12的侧面成一断差结构。

然而,前述切割步骤是于晶片封装完成后才进行,换句话说,当后续封装厂在使用如前案的导线架时,会因为前案的导线架的各引脚12没有先经过结构的设计改良或预先处理,使得封装厂需要进行繁复且耗成本的两次切割,才能将各引脚12的侧面形成断差结构。

因此,通过先行改良导线架的各引脚的结构,以让后续封装厂能以单次切割便能得到具有断差结构引脚的导线架,是此技术领域的相关人员所待解决的课题。



技术实现要素:

本实用新型的目的在于提供一种具改良式引脚的导线架预成形体。

本实用新型具改良式引脚的导线架预成形体包含多个彼此电性独立且成阵列排列的导线架单元。该每一个导线架单元包括一成型胶层、一晶片座、一切割层,及多条引脚。

该成型胶层由绝缘高分子材料构成并具有一中心区。

该晶片座由金属材料构成并位于该中心区内,并具有彼此反向的一顶面及一底面,且该顶面及该底面分别自该成型胶层反向的两个表面裸露。

该切割层环围该中心区,并包括一切割道及多个第一切割部,该切割道具有彼此反向的一顶面及一底面,且该切割道的该顶面及该底面与该晶片座的该顶面及该底面同向,所述第一切割部彼此间隔地形成于该切割道的该顶面上并与该成型胶层相连。

所述引脚由与该晶片座相同的金属材料构成,彼此各自独立地自该切割道的顶面朝该晶片座延伸,并与该晶片座呈一间距,且该每一条引脚于邻近该切割道的一表面具有一凹槽,且所述凹槽不与所述第一切割部相连。

本实用新型所述具改良式引脚的导线架预成形体,该切割道的该顶面低于该晶片座的该顶面,该切割道是由与该晶片座相同的金属材料构成,所述第一切割部是由与该成型胶层相同的绝缘高分子材料构成,且相邻的该导线架单元的所述引脚之间没有形成所述第一切割部。

在一实施例中,本实用新型所述具改良式引脚的导线架预成形体,该切割层还具有多个位于相邻的该导线架单元的所述引脚间的第二切割部,且所述第二切割部与所述第一切割部相连。

本实用新型所述具改良式引脚的导线架预成形体,该每一个导线架单元还包括一第一导电层与一第二导电层,该第一导电层形成于该晶片座的该顶面、所述引脚的一顶面、该凹槽的表面与该切割道的该顶面,该第二导电层形成于该晶片座的该底面、所述引脚的一底面与该切割道的该底面。

本实用新型的有益的效果在于:在每一条引脚邻近该切割道的该表面形成该凹槽,以令后续封装结构以所述引脚对外进行表面黏着(surface mount)于一电路板时,能让焊料紧密接合于每一条引脚的该凹槽,提高封装结构与电路板的接着强度,增加封装的可靠性。

附图说明

图1是一侧视流程示意图,说明现有QFN封装结构;

图2是一俯视示意图,说明本实用新型具改良式引脚的导线架预成形体的一第一实施例;

图3是一沿图2的剖切线III-III的侧视示意图,辅助说明该第一实施例;

图4是一不完整局部剖视图,辅助说明该第一实施例的各引脚的一凹槽;

图5是一侧视示意图,说明一导线架封装结构设置于一电路板;

图6是一俯视示意图,说明本实用新型具改良式引脚的导线架预成形体的一第二实施例;

图7是一沿图6的剖切线VII-VII的侧视示意图,辅助说明该第二实施例;

图8是一不完整局部剖视图,辅助说明该第二实施例的一切割部与各引脚的一凹槽;

图9是一制作流程示意图,说明该第一实施例的制作流程;

图10是一制作流程示意图,接续图9说明该第一实施例的制作流程;及

图11是一制作流程示意图,接续图10说明该第一实施例的制作流程。

具体实施方式

下面结合附图及实施例对本实用新型进行详细说明。

参阅图2至图4,图2是本实用新型具改良式引脚的导线架预成形体200A的一第一实施例俯视示意图,图3是沿图2中的III-III剖切线的剖视图,图4是图2的不完整的局部剖视图。

具改良式引脚的导线架预成形体200A包含多个彼此电性独立且成阵列排列的导线架单元20A,且该每一个导线架单元20A包括一成型胶层21、一晶片座22、一切割层23、多条引脚24、一第一导电层25,及一第二导电层26。

该成型胶层21由绝缘高分子材料构成,并具有一中心区211。

该晶片座22由金属材料构成并位于该中心区211内。该晶片座22具有彼此反向的一顶面221及一底面222,且该顶面221及该底面222分别自该成型胶层21反向的两个表面裸露。

该切割层23环围该中心区211,并包括一切割道230及多个第一切割部233,该切割道230由与该晶片座22相同的金属材料构成,并具有彼此反向的一顶面231及一底面232,其中,该切割道230的该顶面231及该底面232与该晶片座22的该顶面221及该底面222同向,且该切割道230的该顶面231低于该晶片座22的该顶面221。所述第一切割部233是由与该成型胶层21相同的绝缘高分子材料构成,且彼此间隔地形成于该切割道230的该顶面231上并与该成型胶层21相连。

所述引脚24由与该晶片座22相同的金属材料构成,彼此各自独立地自该切割道230的顶面231朝该晶片座22延伸,并与该晶片座22呈一间距,该每一条引脚24于邻近该切割道230的一表面241具有一凹槽242,所述凹槽242不与所述第一切割部233相连,且相邻的该导线架单元20A的所述引脚24之间没有形成所述第一切割部233。具体地说,该每一条引脚24具有相反的一顶面243与一底面244,该每一条引脚24是由该切割道230的该顶面231向上地朝该晶片座22延伸,从而使该每一条引脚24的该顶面243与该晶片座22的该顶面221齐平。

该第一导电层25形成于该晶片座22的该顶面221、所述引脚24的该顶面243、该凹槽242的表面与该切割道230的该顶面231,而该第二导电层26形成于该晶片座22的该底面222、所述引脚24的该底面244与该切割道230的该底面232。

参阅图5,当该第一实例的该每一个导线架单元20A欲应用于后续封装而成为一导线架封装结构2A时,会将一晶片3形成于该第二导电层26上,且该晶片3会通过多条导线4与所述引脚24电连接。

详细地说,切割后的每一个该导线架封装结构2A通过所述引脚24进行表面黏着于一电路板100时,能透过每一条引脚24的该凹槽242,增加所述引脚24与焊料5的接触面积,以让焊料5紧密接合于该凹槽242上,进而提高导线架封装结构2A接着于电路板100上的强度,而增加封装的可靠性。

参阅图6至图8,图6是本实用新型具改良式引脚的导线架预成形体200A的一第二实施例俯视示意图,图7是沿图6中的VII-VII剖切线的剖视图,图8是图6的不完整的局部剖视图。该第二实施例的结构大致相同于该第一实施例,其不同处在于,该切割层23还具有多个形成于该切割道230上而位于相邻的该导线架单元20A的所述引脚24间的第二切割部234,且所述第二切割部234也是由与该成型胶层21相同的绝缘高分子材料构成,并与所述第一切割部233相连。

值得一提的是,由于该第一实施例与该第二实施例的所述第一切割部233与所述第二切割部234都是由绝缘高分子材料所构成,因此,透过将该第一切割部233与所述第二切割部234形成于切割道230上,能让切割位置是绝缘高分子材料,当要将该导线架封装结构2A进行切割时,可通过切割高分子材料而减少切割刀具的损耗。

为了更清楚的说明具改良式引脚的导线架预成形体200A,兹将以前述该导线架预成形体200A的该第一实施例的制作方法为例简单说明如下:

配合参阅图9至图11,先提供一可导电的材料,例如铜合金或铁镍合金等材料构成的基片100。定义多条纵向及横向排列且彼此成角度的第一分隔岛101与第二分隔岛102,且两两相邻且彼此成角度的横向及纵向排列的第一分隔岛101与第二分隔岛102共同定义出后续经蚀刻移除后预形成的多个空间。

进行第一次蚀刻,首先将该基片100不必要的上部分蚀刻移除,而灌入一成型胶。详细地说,将经第一次蚀刻的该基片100夹设于一模具(图未示)中,用模注方式灌入该成型胶,其中,该成型胶为选自一般绝缘封装材料,如环氧树脂等,让该成型胶填满经蚀刻的上部。再进行第二次蚀刻,而将该基片100不必要的下部份蚀刻移除,并再次以前述方式灌入成型胶,以令第一次与第二次灌入的该成型胶固化形成该成型胶层21,使该基片100形成一个导线架预成形体半成品201A。该导线架预成形体半成品201A包括多个导线架单元20A,及多条连接相邻导线架单元20A的连接部300。

该每一个导线架单元20A具有一个晶片座22、多条自所述连接部300朝向该晶片座22延伸并与该晶片座22呈一间距的引脚24。

参阅图11,图11(a)为图10所示的该导线架预成形体半成品201A沿XI-XI剖切线的剖视示意图。

接着,进行第三次蚀刻,先在该导线架预成形体半成品201A上形成一光阻层6而让该连接部300露出,而将所述连接部300的一上部蚀刻移除,使该连接部300剩余一下部而构成连接所述引脚24的一切割道230,且在移除该连接部300的该上部时,一并蚀刻各引脚24邻近该切割道230的一表面241,以于各引脚24上形成一凹槽242。

最后,以电镀方式将一第一导电层25形成于该晶片座22的顶面221、所述引脚24的顶面243、该凹槽242的表面与该切割道230的顶面231,及将一第二导电层26形成于该晶片座22的底面222、所述引脚24的底面244与该切割道230的底面232,便可得到如图11(d)所示的具改良式引脚的导线架预成形体200A的该第一实施例。

综上所述,在每一条引脚24邻近该切割道230的该表面241形成该凹槽242,以增加所述引脚24的接触面积,使该导线架封装结构2A透过所述引脚24电连接于电路板100时,能让焊料5进一步地接合在所述引脚24的该凹槽242,而提高导线架封装结构2A与电路板100整体的接着强度,增加封装的可靠性,因此,确实能达成本实用新型的目的。

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