本实用新型属于半导体技术领域，具体涉及一种芯片封装结构。
背景技术：
芯片的接地对芯片的性能影响很大，良好的接地有利于芯片的散热，增加芯片可靠性，特别是对于射频芯片，良好的接地可以明显提升芯片增益、功率、效率、线性度、稳定性及噪声等性能。目前，业内比较流行采用晶圆通孔或者背孔通金的方式将芯片接地，但这两种方式散热效果差，且均会产生寄生电感和寄生电阻，且受工艺限制无法进一步缩小寄生电感及寄生电阻，这成为芯片性能改善的一个阻碍。
技术实现要素：
本实用新型的目的在于提供一种芯片封装结构，该结构可以很好地解决现有封装结构散热效果差的问题。
为达到上述要求，本实用新型采取的技术方案是：提供一种芯片封装结构，包括：
半导体衬底，衬底上具有若干源极；
聚酰亚胺层，覆盖在半导体衬底表面，并露出所述源极；
第一金属层，形成于每个源极表面；
第二金属层，形成于第一金属层和聚酰亚胺层构成的上表面；
铜层，形成于所述第二金属层表面；
焊料凸点，形成于所述铜层表面。
与现有技术相比，本实用新型具有以下优点：通过第一金属层将每个源极引出，然后通过第二金属层将所有源极连接在一起，在第二金属层表面制备铜层，通过铜层进行倒装焊接地，使芯片具有更良好的接地端，缩短芯片散热路径，增加芯片可靠性，缩小芯片面积。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，在这些附图中使用相同的参考标号来表示相同或相似的部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，以下结合附图及具体实施例，对本申请作进一步地详细说明。为简单起见，以下描述中省略了本领域技术人员公知的某些技术特征。
如图1所示，本实施例提供一种芯片封装结构，包括：
半导体衬底1，衬底1上具有两个源极2、两个栅极及一个漏极；
聚酰亚胺层3，覆盖在半导体衬底1表面，并露出两个源极2；
第一金属层4，形成于每个源极2表面且与源极2相连，第一金属层4上表面与聚酰亚胺层3上表面齐平；第一金属层4的材料为Au；
第二金属层5，形成于第一金属层4和聚酰亚胺层3构成的上表面，且第二金属层5与两个第一金属层4连接，即第二金属层5将两个源极2连接在一起；第二金属层5的材料包括Au；
铜层6，形成于第二金属层5表面；
焊料凸点7，形成于铜层6表面；焊料金属包括铅、锡及银中的一种或包含上述任意一种焊料金属的合金。
该芯片封装结构的封装方法包括：
S1、提供一表面覆盖有聚酰亚胺层3的半导体衬底1，在聚酰亚胺层3旋涂光刻胶，刻蚀聚酰亚胺层3在源极2位置打开窗口，使得源极2暴露出来；
S2、基于上述窗口，在源极2表面制备第一金属层4，第一金属层4与源极2相连；
S3、在第一金属层4和聚酰亚胺层3构成的上表面制备第二金属层5，第二金属层5与第一金属层4相连，将所有源极2连接在一起；
S4、在第二金属层5表面制备金属铜，形成铜层6；
S5、在铜层6表面淀积焊料金属。
以上实施例仅表示本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能理解为对本实用新型范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型保护范围。因此本实用新型的保护范围应该以权利要求为准。