一种发光二极管的制作方法

本实用新型涉及二极管技术领域，尤其涉及一种发光二极管。

背景技术：

发光二极管光源作为一种新兴的第三代光源，因其具有工作寿命长、节能、环保等优点，而普遍被市场看好。温度对发光二极管的影响很大，如影响LED的使用寿命，光衰以及影响光的单色性等。所以有必要对LED进行改进，进一步提高散热效果，减少温度对LED的影响。同时在多个晶片之间也会通过基板快速产生热传递，互相影响。

技术实现要素：

本实用新型提供一种发光二极管，具有散热性能好、出光效果好、干扰性低特点，同时可以提高发光二极管的使用寿命。

为了解决上述技术问题，本实用新型所采取的技术方案为：

一种发光二极管，包括发光二极管主体，所述发光二极管主体包括基板、晶片和封装壳，所述基板连接所述封装壳，所述封装壳上设置有凹槽，所述晶片设置在所述凹槽下方的基板上；沿所述晶片的四周设置有至少两条绝缘的导热陶瓷带，基板内设置有供所述导热陶瓷带底部伸入的凹坑。

进一步地，所述晶片的底部与基板之间设置有铝层，用于将光线反射。

更进一步地，所述凹槽内壁上靠近基板设置有第一反射面、第二反射面和第三反射面，所述第一反射面与基板的夹角小于所述第二反射面与基板的夹角，所述第二反射面与基板的夹角小于第三反射面与基板的夹角，可以大大的提高出光效果。

优选地，所述基板为金属基板。

进一步地，所述基板底部设置有散热座，所述散热座的底部设置有栅格状散热架。当被安装至电路板时可以起到有效的热传递，同时防止电路板的热影响。

优选地，所述基板为高导热陶瓷基板。

优选地，所述封装壳的材料为环氧树脂。

可选地，所述晶片包括红光晶片、蓝光晶片和绿光晶片，两两晶片之间的基板上设置有绝热带。可以防止由晶片之间的热传递造成的晶片出光波长不稳定情况。

优选地，所述第一反射面与基板的夹角为40度，所述第二反射面与基板的夹角为60度，所述第三反射面与基板的夹角为75度。

本实用新型提供一种发光二极管，包括发光二极管主体，所述发光二极管主体包括基板、晶片和封装壳，所述基板连接所述封装壳，所述封装壳上设置有凹槽，所述晶片设置在所述凹槽下方的基板上；沿所述晶片的四周设置有至少两条绝缘的导热陶瓷带，基板内设置有供所述导热陶瓷带底部伸入的凹坑。所述晶片的底部与基板之间设置有铝层，用于将光线反射；所述凹槽内壁上靠近基板设置有第一反射面、第二反射面和第三反射面，所述第一反射面与基板的夹角小于所述第二反射面与基板的夹角，所述第二反射面与基板的夹角小于第三反射面与基板的夹角。该发光二极管具有良好的散热性能和结构，且可以大大的提高出光效果。

附图说明

图1是本实用新型实施例一种发光二极管结构示意图。

图2是本实用新型实施例一种发光二极管的局部结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图，具体阐明本实用新型的实施方式，附图仅供参考和说明使用，不构成对本实用新型专利保护范围的限制。

如图1和2所示，一种发光二极管，包括发光二极管主体，所述发光二极管主体包括基板2、晶片3和封装壳1，所述基板2连接所述封装壳1，所述封装壳1上设置有凹槽4，所述晶片3设置在所述凹槽4下方的基板2上；沿所述晶片2的四周设置有至少两条绝缘的导热陶瓷带6，基板2内设置有供所述导热陶瓷带6底部伸入的凹坑。

所述晶片3的底部与基板2之间设置有铝层5，用于将光线反射。

所述凹槽4内壁上靠近基板2设置有第一反射面41、第二反射面42和第三反射面43，所述第一反射面41与基板2的夹角小于所述第二反射面42与基板2的夹角，所述第二反射面42与基板2的夹角小于第三反射面43与基板2的夹角。具体地，所述第一反射面41与基板2的夹角为40度，所述第二反射面42与基板2的夹角为60度，所述第三反射面43与基板2的夹角为75度

所述基板2为金属基板。

所述基板2底部设置有散热座7，所述散热座7的底部设置有栅格状散热架71，起到很好的防止所要安装的电路板的热干扰和自身的散热效果，同时可以节约材料。

所述基板2为高导热陶瓷基板。

所述封装壳1的材料为环氧树脂。

所述晶片3包括红光晶片、蓝光晶片和绿光晶片，两两晶片之间的基板2上设置有绝热带21。

以上所揭露的仅为本实用新型的较佳实施例，不能以此来限定本实用新型的权利保护范围，因此依本实用新型申请专利范围所作的等同变化，仍属本实用新型所涵盖的范围。