1.一种无正面栅线的P型晶体硅背接触双面电池结构，其特征在于，P型晶体硅片从上而下依次包括：透明导电膜、减反射膜、正面钝化膜、N型层、P型基体、背面钝化膜、背面正极细栅线和背面正极主栅线，所述P型晶体硅片上设有通孔，所述通孔内设置有用于连接电池正面负极和背面负极的过孔电极，所述N型层的表层设有按规则图形分布的局部重掺杂N+区，所述透明导电膜穿透所述减反射膜和正面钝化膜与所述局部重掺杂N+区及过孔电极的顶端电接触构成电池负极，所述透明导电膜用于将电池正面汇集的电子经过所述过孔电极导至电池的背面，所述背面正极细栅线穿透所述背面钝化膜与所述P型基体形成局部欧姆接触，并与背面正极主栅线连接在一起构成电池正极。
2.根据权利要求1所述的一种无正面栅线的P型晶体硅背接触双面电池结构，其特征在于：所述通孔大小相同，在厚度方向贯通所述P型晶体硅，等行距等列距阵列排布。
3.根据权利要求2所述的一种无正面栅线的P型晶体硅背接触双面电池结构，其特征在于，单个所述通孔的直径为100～500um，数量为4×4～10×10个。
4.根据权利要求1所述的一种无正面栅线的P型晶体硅背接触双面电池结构，其特征在于：所述局部重掺杂N+区阵列排布在所述N型层上，所述局部重掺杂N+区的方阻为20～60Ω/□，所述局部重掺杂N+区的阵列图形为类一维图形、二维图形或类一维图形与二维图形的组合。
5.根据权利要求4所述的一种无正面栅线的P型晶体硅背接触双面电池结构，其特征在于，所述类一维图形为线段、虚线段、弧线或栅线状；所述类一维图形的线宽为20～200um，长度为0.05～1.5mm；同一行中相邻两个线形的间距为0.5～2mm，同一列中相邻两个所述线形的间距为0.5～2mm；
所述二维图形为圆形、椭圆形、纺锤形、环形、多边形、多角形或扇形，所述二维几何图形的尺寸均为20～200um，相邻两个图形中心距为0.5～2mm。
6.根据权利要求1所述的一种无正面栅线的P型晶体硅背接触双面电池结构，其特征在于：所述背面正极细栅线为开有一组或多组相互平行的线段，所述线段的长度为10～80mm，宽度为30～300um，相邻两个线段之间的间距为1～4mm。
7.根据权利要求1所述的一种无正面栅线的P型晶体硅背接触双面电池结构，其特征在于：所述P型晶体硅片的厚度为90～190um。
8.根据权利要求7所述的一种无正面栅线的P型晶体硅背接触双面电池结构，其特征在于：所述透明导电膜的厚度为50～500nm；所述减反射膜的厚度为50～100nm；所述正面钝化膜的厚度为5～50nm，所述背面钝化膜7包括第一背面钝化膜和第二背面钝化膜，所述第一背面钝化膜的厚度为5～40nm；所述第二背面钝化膜的厚度为50～150nm。
9.根据权利要求1所述的一种无正面栅线的P型晶体硅背接触双面电池结构，其特征在于：所述背面正极主栅线相互平行且等间距排布，个数为3～15根，单个所述背面正极主栅线的宽度为0.5～5mm。
10.根据权利要求9所述的一种无正面栅线的P型晶体硅背接触双面电池结构，其特征在于：所述背面正极细栅线与至少一个所述背面正极主栅线垂直相交。