一种具有控制温升结构的干式电抗器的制作方法

本实用新型涉及电抗器领域，更具体的，涉及干式电抗器。

背景技术：

目前普遍的干式铁心电抗器普遍存在漏磁量较大的问题，长期漏磁容易使得电抗器内部温升，从而导致影响电抗器绝缘性能，甚至导致电抗器烧毁的严重事故。

技术实现要素：

针对现有技术中存在的不足，本实用新型提供了一种电抗器。

本实用新型是通过如下技术方案实现的：一种具有控制温升结构的干式电抗器，包括铁心、线圈和夹持部件，所述铁心间隔设置有三组，所述铁心包括上铁轭、铁心柱和下铁轭，线圈套设在铁心柱外部，夹持部件包括位于上铁轭两侧的上夹件，以及位于下铁轭两侧的下夹件，上铁轭和下铁轭分别通过上夹件和下夹件夹装固定，其特征在于：在上夹件和下夹件上设置有导磁件，所述导磁件靠近位于外侧的两组铁心的上下端部。

上述技术方案中，所述导磁件和上夹件、下夹件焊接连接。

上述技术方案中，所述上夹件上设置有燕尾槽，所述导磁件包括与燕尾槽配合的镶块和通过连接螺栓与所述镶块固结的导磁部件，所述下夹件和导磁件和上夹件与导磁件配合的方式相同。

上述技术方案中，所述镶块上设置有凹槽，凹槽底部设置供连接螺栓穿过的通孔。

上述技术方案中，所述线圈上下两端和所述上铁轭和所述下铁轭之间存在间隙，在所述间隙内设置有软性的绝缘垫圈，所述绝缘垫圈在竖直方向的投影部分位于所述铁心柱的端面上。

上述技术方案中，在所述上铁轭上拧设有调压螺母，所述调压螺母与所述绝缘垫圈抵靠。

本实用新型具有如下有益效果：本实用新型在通过设置导磁件从而有效的将漏磁较大位置处的漏磁引导入上下铁轭，从而避免了电抗器的温升。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。

图2为本实用新型的俯视示意图。

图3为本实用新型部分结构示意图。

图4为本实用新型导磁件的设置示意图。

具体实施方式

下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述。参见图1至图4，一种具有控制温升结构的干式电抗器，包括铁心1、线圈2和夹持部件3。所述铁心1间隔设置有三组，每组铁心包括上铁轭10、铁心柱12和下铁轭11。线圈2套设在铁心柱12外部。

所述夹持部件3包括位于上铁轭10两侧的上夹件30，以及位于下铁轭11两侧的下夹件31。上铁轭10和下铁轭11分别通过上夹件30和下夹件31夹装固定如图2所示，上夹件30和下夹件31为间隔设置的两条形板件，在所述上夹件30的宽度方向连接有两连接板300用于将两条线板连接成为一体，所述上铁轭10和下铁轭11被夹紧在其之间。

所述铁心柱12采用多气隙分布铁饼叠加形成，其位于下铁轭11上，通过上铁轭10和自重压紧固定。为了进一步减少铁心柱12在电抗器使用时产生的振动，本申请中在所述上夹件30和所述下夹件31之间穿过有铁心柱拉杆4，所述铁心柱拉杆4下端(即与下夹件31配合的端部)设置有锁紧螺母40，在所述铁心柱拉杆4上端设置有吊环螺母41。通过设置铁心柱拉杆41从而将铁心饼压紧，从而减小机械振动和机械噪声。更进一步优选的，所述锁紧螺母和所述吊环螺母上设置防松垫圈(附图未示出)，这样便减少了在电抗器使用过程中，螺母因整机振动而产生松动而导致其预紧力发生改变的可能，最终，使得铁心柱拉杆4的预压力能够维持在一恒定数值。

线圈2为树脂浇注一体成型结构。将线圈2套装于铁心柱12后，线圈2上下两端和所述上铁轭10和所述下铁轭11之间存在间隙。为了减少线圈2在上述间隙中可能产生的位置偏移，在所述间隙内设置有软性的绝缘垫圈5。进一步优选的，为了防止线圈2在套设在铁心柱12后两者可能产生的相对位置偏移，所述绝缘垫圈5在竖直方向的投影部分位于所述铁心柱12的端面上，在实际试验过程中，本申请人发现，通过将所述绝缘垫圈5在竖直方向位于铁心柱12的投影和位于线圈2部分的投影宽度比例控制在0.25至0.3之间能够取得最佳的技术效果。在所述上铁轭10上拧设有调压螺母6，所述调压螺母6与所述绝缘垫圈5抵靠。

在上夹件30和下夹件31上设置有导磁件7，所述导磁件7靠近位于外侧的两组铁心的上下端部。作为一种导磁件7的设置方式：所述导磁件7和上夹件30、下夹件31焊接连接。作为一种导磁件7优选的设置方式：所述上夹件30上设置有燕尾槽300，所述导磁件7包括与燕尾槽300配合的镶块71和通过连接螺栓73与所述镶块71固结的导磁部件70，所 述下夹件30和导磁件7和上夹件30与导磁件7配合的方式相同。所述镶块71上设置有凹槽74，所述凹槽74底部设置供连接螺栓73穿过的通孔。通过设置导磁件从而有效的将漏磁较大位置处的漏磁引导入上下铁轭，从而避免了电抗器的温升。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下本实用新型还会有各种变化和改进，上述变化和改进都落入要求保护的本实用新型的范围内。