技术总结
本申请公开了薄膜晶体管、显示面板和显示装置。该薄膜晶体管包括：栅电极；覆盖栅电极的栅电极绝缘层；位于栅电极绝缘层上的有源层、绝缘层、源电极和漏电极，有源层包括源极区、漏极区以及位于源极区和漏极区之间的沟道区；栅电极与有源层不接触，且向沟道区所在平面的正投影覆盖沟道区；绝缘层覆盖沟道区，源电极覆盖源极区和至少部分绝缘层，漏电极覆盖漏极区和至少部分绝缘层；其中，绝缘层中，向沟道区的正投影与沟道区重叠部分中的至少部分的含氢量小于与源电极和漏电极接触的部分的含氢量。该实施方式可适当提高源电极和漏电极与有源层之间的接触区域的含氢量，从而增强源电极和漏电极与有源层之间的接触特性。
技术研发人员：何泽尚;楼均辉;吴天一
受保护的技术使用者：上海天马微电子有限公司
文档号码：201720379758
技术研发日：2017.04.12
技术公布日：2017.12.19