1.一种DFN2020-8B高密度框架，包括板状结构的矩形框架，其特征在于，在框架上多个与DFN2020-8B封装结构相适应的芯片安装部，在每个芯片安装部上设有8个引脚槽，所有引脚槽均向芯片安装部的边缘延伸，在引脚槽内增设半腐蚀区，所述半腐蚀区延伸至芯片安装部边缘。
2.根据权利要求1所述的DFN2020-8B高密度框架，其特征在于，所述芯片安装部为矩形结构，且所有芯片安装部的长边与框架的长边平行布置，引脚槽4个一组对称设置于芯片安装部的两方，且引脚槽延伸至芯片安装部边缘。
3.根据权利要求2所述的DFN2020-8B高密度框架，其特征在于，所述引脚槽和半腐蚀区往芯片安装部的长边方向延伸。
4.根据权利要求1-3之一所述的DFN2020-8B高密度框架，其特征在于，相邻的芯片安装部同向布置，使相邻芯片安装部的引脚槽连通，且引脚槽内的半腐蚀区连通。
5.根据权利要求4所述的DFN2020-8B高密度框架，其特征在于，相邻芯片安装部的连通后的半腐蚀区为椭圆形结构。
6.根据权利要求5所述的DFN2020-8B高密度框架，其特征在于，在芯片安装部的引脚槽之间还设有连筋，所述连筋设置在相邻芯片安装部引脚槽相连的位置。
7.根据权利要求6所述的DFN2020-8B高密度框架，其特征在于，所述连筋为半腐蚀结构。
8.根据权利要求1所述的DFN2020-8B高密度框架，其特征在于，所述框架上设有单元分隔槽，所述单元分隔槽设置在框架中部，将框架均分为2个芯片安装单元。
9.根据权利要求8所述的DFN2020-8B高密度框架，其特征在于，所述框架长度为250±0.1mm，宽度为70±0.05mm，在每个芯片安装单元内均布置有27排、52列芯片安装部。