一种共模电感的绕线结构的制作方法

本实用新型涉及共模电感，尤其涉及一种共模电感的绕线结构。

背景技术：

在电路技术中，尤其是开关电源及变频技术中，需要使用共模电感用于过滤共模的电磁干扰信号，目前市场主流共模电感使用的绕线方式较为单一，通常使用两组电感线圈绕在同一铁芯上，并在同一侧进线，匝数和相位都相同，此种绕线结构虽然可以对共模信号起一定的抑制作用，但效果往往不理想，很难对阻抗进行有效的提高，目前市场上的共模电感当阻抗要求较高时，需在两绕组间的隔板上添加挂槽，达到提高阻抗的效果。公开号为“CN204360899U”的实用新型也公开了一种共模电感绕线结构，但是利用该种绕线结构进行绕线时，需要在同一边磁芯进行多次缠绕，需要折返多次，绕线结构复杂。

技术实现要素：

为了克服上述现有技术的不足，本实用新型提供了一种不需要安装插板挂槽，有效提高了产品阻抗，同时降低了匝间电压差，有效预防匝间短路的共模电感的绕线结构。

为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：

一种共模电感的绕线结构，包括环形磁芯，所述环形磁芯上绕有的左绕组和右绕组，所述左绕组和右绕组的绕线结构互为镜像，所述左绕组的进线端位于环形磁芯的底部，出线端位于环形磁芯的顶部，所述左绕组包括绕制在环形磁芯底部与环形磁芯中部之间的下绕组、以及从绕制在环形磁芯中部与环形磁芯顶部之间的上绕组，所述下绕组和上绕组为同一绕组铜线绕制而成，所述绕组铜线的出线端从环形磁芯的顶部伸出。

作为上述方案的进一步改进，所述下绕组包括从环形磁芯底部往环形磁芯中部绕制的下绕组第一层、与下绕组第一层反向绕制的下绕组第二层，与下绕组第一层同向绕制的下绕组第三层，所述上绕组包括从环形磁芯中部往环形磁芯顶部绕制的上绕组第一层，与上绕组第一层反向绕制的上绕组第二层，与上绕组第一层同向绕制的上绕组第三层，所述下绕组第一层、下绕组第二层、下绕组第三层、上绕组第一层、上绕组第二层、上绕组第三层连续不间断绕制。

作为上述方案的进一步改进，所述下绕组第一层绕制有5圈，所述下绕组第二层绕制有4圈且均分绕制在下绕组第一层的间隙间，所述下绕组第三层绕制有4圈且均分绕制在下绕组第一层和下绕组第二层的间隙间。

作为上述方案的进一步改进，所述上绕组第一层绕制有5圈，所述上绕组第二层绕制有4圈且均分绕制在上绕组第一层的间隙间，所述上绕组第三层绕制有4圈且均分绕制在上绕组第一层和上绕组第二层的间隙间。

本实用新型的有益效果：

本实用新型一种共模电感的绕线结构，在环形磁芯的底部向顶部绕线，绕组铜线的出线头从环形磁芯的顶端直接伸出，能够直接与其他元件连接，不需要增加插板挂槽再对绕组铜线进行固定；根据说明书附图2中的数据，这种绕线结构在使用相同磁芯的情况下，相较与以前的绕线结构能够有效的提高产品阻抗，产品阻抗无明显降低，可有效提高产品的工作效率。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单说明。显然，所描述的附图只是本实用新型的一部分实施例，而不是全部实施例，本领域的技术人员在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得的其他设计方案和附图：

图1为本实用新型较佳实施例结构示意图；

图2为本实用新型较佳实施例频率阻抗特性对比曲线图。

具体实施方式

以下将结合实施例和附图对本实用新型的构思、具体结构及产生的技术效果进行清楚、完整地描述，以充分地理解本实用新型的目的、特征和效果。显然，所描述的实施例只是本实用新型的一部分实施例，而不是全部实施例，基于本实用新型的实施例，本领域的技术人员在不付出创造性劳动的前提下所获得的其他实施例，均属于本实用新型保护的范围。

参照图1与图2，一种共模电感的绕线结构，包括环形磁芯1，所述环形磁芯1上绕有的左绕组2和右绕组3，所述左绕组2和右绕组3的绕线结构互为镜像，所述左绕组2的进线端位于环形磁芯1的底部附图中A处，出线端位于环形磁芯1的顶部附图中B处，所述左绕组2包括绕制在环形磁芯1底部与环形磁芯1中部附图中C处之间的下绕组、以及从绕制在环形磁芯1中部与环形磁芯1顶部之间的上绕组，所述下绕组和上绕组为同一绕组铜线绕制而成，所述绕组铜线的出线端从环形磁芯1的顶部伸出。在环形磁芯的底部向顶部绕线，绕组铜线的出线头从环形磁芯的顶端直接伸出，能够直接与其他元件连接，不需要增加插板挂槽再对绕组铜线进行固定。

所述下绕组包括从环形磁芯1底部往环形磁芯1中部绕制的下绕组第一层411、与下绕组第一层411反向绕制的下绕组第二层412，与下绕组第一层411同向绕制的下绕组第三层413，所述上绕组包括从环形磁芯1中部往环形磁芯1顶部绕制的上绕组第一层511，与上绕组第一层511反向绕制的上绕组第二层512，与上绕组第一层511同向绕制的上绕组第三层513，所述下绕组第一层411、下绕组第二层412、下绕组第三层413、上绕组第一层511、上绕组第二层512、上绕组第三层513连续不间断绕制。

所述下绕组第一层411绕制有5圈，所述下绕组第二层412绕制有4圈且均分绕制在下绕组第一层411的间隙间，所述下绕组第三层413绕制有4圈且均分绕制在下绕组第一层411和下绕组第二层412的间隙间。所述上绕组第一层511绕制有5圈，所述上绕组第二层512绕制有4圈且均分绕制在上绕组第一层511的间隙间，所述上绕组第三层513绕制有4圈且均分绕制在上绕组第一层511和上绕组第二层512的间隙间。

右绕组3的结构与左绕组2的结构互为镜像，包括第二下绕组第一层411’、第二下绕组第二层412’、第二下绕组第三层413’、第二上绕组第一层511’、第二上绕组第二层512’、第二上绕组第三层513’，右绕组3由一根第二绕制铜线绕制而成，左绕组2和右绕组3均匀绕制在环形磁芯1左右两侧。

参照说明书附图2中的数据，2014年绕法为公开号为“CN204360899U”的实用新型的绕法结构，2016年绕法为一未公开实用新型的绕法结构，2017年绕法为本专利绕法结构，将同规格磁芯采用同一绕组进行绕制，记录下数据分析三种绕法的阻抗特性；由说明书附图2可知，16年的绕法结构对比14年的绕法结构在100KHz、200KHz、300KHz、500KHz及800KHz均有小幅度提升，在这几个频率段附件的EMC效果会有小幅提升。

由说明书附图2可知，17年的绕法结构对比16、14年的绕法结构在100KHz、300KHz、1MHz有大幅提升，针对这几个频率段的EMC效果会有明显提升，400KHz、800KHz亦有小幅度提升，因此在这几个频率段的EMC效果也会有小幅提升。根据图表可以明显看出，这种绕线结构在使用相同磁芯的情况下，相较与以前的绕线结构能够有效的提高产品阻抗，产品阻抗无明显降低，可有效提高产品的工作效率，起到更好的阻抗效果。

以上是对本实用新型的较佳实施例进行了具体说明，但本实用新型创造并不限于所述实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本实用新型精神的前提下还可作出种种的等同变型或替换，这些等同的变型或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。