本实用新型涉及LED生产封装技术领域，尤其是一种可实现多颗LED芯片封装的大功率支架。
背景技术：
发光二级管(Light Emitting Diodes，LED)，是一种半导体固体发光器件。它是利用固体半导体芯片作为发光材料，具有高光效、长寿命、废弃后无污染等优点，正逐步取代传统光源成为第四代照明市场的主导。然而目前市场上的LED封装技术主要以蓝宝石衬底水平结构芯片发光激发荧光粉的方式实现，蓝宝石水平结构芯片是使用蓝宝石作为衬底，而蓝宝石材料的导热性能差，使得在使用大电流时LED的可靠性降低。
为了解决LED在大电流下可靠性降低的问题，目前常用技术手段是使用垂直LED芯片，垂直LED芯片通过去衬底工艺将外延发光层转移至高导热的导电衬底上，从而克服了蓝宝石衬底LED在导热和可靠性等方面的技术瓶颈，但是垂直芯片的底部导电，而大功率支架的导热通道为金属也导电，如果多颗垂直LED芯片封装在大功率支架上，将导致多颗垂直LED芯片底部全部导通，造成设计和使用的缺陷。
所以多颗垂直芯片的LED封装结构技术是LED封装的发展趋势之一。目前的大功率支架有着结构简单，成本低，可靠性高和使用方便的优点，在市场上广泛使用，但是由于目前大功率支架的结构，无法在支架上封装多颗垂直LED芯片，所以在大功率支架上封装多颗垂直LED芯片的产品无法生产，存在不足。
技术实现要素：
本实用新型的目的是提供一种可实现多颗LED芯片封装的大功率支架，为克服上述的不足，采用硅片光刻蒸镀金属技术，使得多颗垂直LED芯片能够高密度的集成在一起，减少封装体积、节省材料，降低产品生产成本，同时，使得多颗垂直LED芯片导电通道可以独立，可以通过焊接金线的方式让多颗垂直LED芯片任意串并联，提高产品设计的灵活性；使用硅片作为连接垂直LED芯片和大功率支架的载体，由于硅片的高导热率，提高导热效率，从而提高了LED封装产品使用时的热可靠性能，结构简单，实用性强。
本实用新型的技术方案：一种可实现多颗LED芯片封装的大功率支架，包括LED芯片、硅片、大功率支架；其中：所述LED芯片底部固定安装在所述硅片顶部，所述大功率支架由金属导热柱、金属引脚、塑料固件固定连接组成，所述大功率支架中部固定设置有所述金属导热柱，所述大功率支架两端固定设置有所述金属引脚，所述塑料固件将所述金属导热柱与所述金属引脚固定连接，所述硅片底部固定在所述金属导热柱上。
一种可实现多颗LED芯片封装的大功率支架，其中：所述硅片采用高阻硅片制成，采用光刻蒸镀金属技术在所述硅片上蒸镀导热金属。
一种可实现多颗LED芯片封装的大功率支架，其中：所述硅片通过银胶烧结的方式固定在所述金属导热柱上。
一种可实现多颗LED芯片封装的大功率支架，其中：所述LED芯片的数量为4个，通过焊接金线方式实现所述LED芯片的电气互连。
本实用新型的优点在于：采用硅片光刻蒸镀金属技术，使得多颗垂直LED芯片能够高密度的集成在一起，相对传统封装形式而言，减少封装体积、节省材料，降低多颗垂直LED芯片封装产品的成本，同时，使得多颗垂直LED芯片导电通道可以独立，可以通过焊接金线的方式让多颗垂直LED芯片任意串并联，提高产品设计的灵活性；使用硅片作为连接垂直LED芯片和大功率支架的载体，由于硅片的高导热率，提高导热效率，从而提高了LED封装产品使用时的热可靠性能。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
附图标记：LED芯片1、硅片2、大功率支架3、金属引脚4、金属导热柱5、塑料固件6。
具体实施方式
实施例1、如图1所示：一种可实现多颗LED芯片封装的大功率支架，包括LED芯片1、硅片2、大功率支架3；其中：所述LED芯片1底部固定安装在所述硅片2顶部，所述大功率支架3由金属导热柱5、金属引脚4、塑料固件6固定连接组成，所述大功率支架3中部固定设置有所述金属导热柱5，所述大功率支架3两端固定设置有所述金属引脚4，所述塑料固件6将所述金属导热柱5与所述金属引脚4固定连接，所述硅片2底部固定在所述金属导热柱5上。
实施例2、如图1所示：一种可实现多颗LED芯片封装的大功率支架，其中：所述硅片2采用高阻硅片制成，采用光刻蒸镀金属技术在所述硅片2上蒸镀导热金属。其余同实施例1。
实施例3、如图1所示：一种可实现多颗LED芯片封装的大功率支架，其中：所述硅片2通过银胶烧结的方式固定在所述金属导热柱5上。其余同实施例1。
实施例4、如图1所示：一种可实现多颗LED芯片封装的大功率支架，其中：所述LED芯片1的数量为4个，通过焊接金线方式实现所述LED芯片1的电气互连。其余同实施例1。
通过上述实施例的技术方案，解决多颗垂直LED芯片封装的难题，改善芯片的导热性能，提高产品的可靠性，实现多颗垂直LED芯片与金属导热柱电气隔离，从而实现多颗垂直LED芯片电气独立，结构简单，实用性强。
以上实施方式仅仅是对本实用新型的优选实施方式进行描述，并非对本实用新型的范围进行限定，在不脱离本实用新型设计精神的前提下，本领域普通工程技术人员对本实用新型的技术方案做出的各种变形和改进，均应落入本实用新型的权利要求书确定的保护范围内。