技术总结
本实用新型涉及电子器件。电子器件可包括具有主表面的衬底；覆盖在所述衬底的所述主表面上面的单晶半导体膜；以及与所述单晶半导体膜相邻的多晶化合物半导体层。在一个实施方案中，所述多晶化合物半导体层具有至多1×1016原子/cm3的掺杂物浓度，大于1×1017供体/cm3的供体浓度，并且所述多晶化合物半导体层是晶体管电极接触的部分。在另一个实施方案中，多晶化合物半导体层可与所述单晶半导体膜相邻，其中所述多晶化合物半导体层的导电带的能级低于其费米能级。本实用新型所要解决的问题是提高对半导体膜的接触电阻。本实用新型实现的技术效果是提供改进的电子器件。
技术研发人员：A·巴纳尔吉;A·康斯坦特;P·莫恩斯;B·D·耶格
受保护的技术使用者：半导体元件工业有限责任公司
技术研发日：2017.06.21
技术公布日：2018.05.22