一种低噪音的纳米晶变压器的制作方法

本实用新型涉及电子元器件技术领域，具体的说是一种低噪音的纳米晶变压器。

背景技术：

随着新型材料的不断发展，纳米晶材料横空出世，纳米晶作为一种新型的磁性材料，同时具备了硅钢、坡莫合金、铁氧体的优点，即高磁感、高磁导率、低损耗、高居里温度。由于以上的优点，纳米晶制造的变压器应用在逆变电源、逆变焊机上，对电源、焊机可靠性的提高起到了很大的作用。

纳米晶材料用于铁芯材料时，其高磁感的特点减小了铁芯的体积，功率密度可达到15Kw/kg，远高于传统的铁氧体铁芯材料；其次，纳米晶材料的磁导率高，降低了激磁功率，减小了铜损，提高了变压器的效率，变压器的初级电感大，减小了开关时电流对IGBT管子的冲击；再者，纳米晶材料的损耗低，其温升远远低于IGBT管子的温升；另外，由于纳米晶材料的居里温度高，如在温度达到100℃时，铁氧体变压器已经不能工作，而纳米晶变压器完全可以正常工作。鉴于纳米晶材料的诸多优点，越来越多的电源生产厂家采用，并逐步扩展到逆变焊机、通信电源、电镀电解电源、感应加热电源、充电电源等领域。

但是，纳米晶材料在应用于逆变电源的过程中也出现了一些问题。一般来说，由纳米晶材料制成的软磁合金带材的厚度仅为20nm左右，带材较为柔软，在使用过程中必须外加罩盒用以固定和保护，但是由于磁芯和罩盒之间存在着间隙，在变压器或者电感在高频方波电流的激励下，线圈将会有电流通断的变化，磁芯中的磁场在不停的进行励磁消磁的变化，势必导致磁芯在罩盒中产生震动，从而产生噪音。

技术实现要素：

针对现有技术中的问题，本实用新型的目的在于提供一种低噪音的纳米晶变压器。

为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案为：一种低噪音的纳米晶变压器，包括由纳米晶超薄带材卷绕而成的磁芯体，磁芯体的两端套设有相对布置的第一、第二罩盒，所述的第一、第二罩盒与磁芯体相抵靠的侧面上点涂有硅胶。

优选的，所述的硅胶间隔的点涂在第一、第二罩盒和/或磁芯体相抵靠的侧面上。

优选的，所述硅胶均匀间隔的点涂在第一、第二罩盒上，且点涂至少3处。

优选的，每处硅胶点涂的重量为5-10g。

优选的，所述的硅胶点涂完成后静置30-60min。

优选的，所述的硅胶点涂作业环境温度为20-25℃，湿度为40-60％RH。

与现有技术相比，本实用新型提供的纳米晶变压器，磁芯体与第一、第二罩盒之间的空隙处填充有硅胶，在磁场变化导致磁芯体震动时可以有效的进行缓冲，避免出现噪音的现象。

附图说明

图1为本实用新型中第一、第二罩盒与磁芯体的示意图；

图2为第一、第二罩盒与磁芯体组合后的示意图；

图中标号说明：10-磁芯体，20-第一罩盒，30-第二罩盒。

具体实施方式

为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐明本实用新型。

如图1、2所示，本实用新型提供了一种低噪音的纳米晶变压器，包括由纳米晶超薄带材卷绕而成的磁芯体10，磁芯体10的两端套设有相对布置的第一、第二罩盒20、30，所述的第一、第二罩盒20、30与磁芯体10相抵靠的侧面上点涂有硅胶。

现有技术中，由于纳米晶变压器的磁芯体10与第一、第二罩盒20、30之间存在着空隙，线圈中通断变化的电流带来的磁芯体10的磁场不断进行励磁与消磁的变化，导致磁芯体10产生震动，从而产生噪音，本实用新型中，在第一、第二罩盒20、30与磁芯体10相抵靠的侧面上点涂硅胶，在磁芯体10发生震动时与第一、第二罩盒20、30之间有缓冲作用，避免了噪音的产生。

进一步的，所述的硅胶间隔的点涂在第一、第二罩盒20、30和/或磁芯体10相抵靠的侧面上，也就是说，只要确保在第一、第二罩盒与磁芯体10相抵靠的侧面上有均匀的填充物即可。

更进一步的，本实用新型中，为了方便硅胶的点涂，所述硅胶均匀间隔的点涂在第一、第二罩盒20、30上，且点涂至少3处，也就是说，在第一罩盒20、第二罩盒30与磁芯体10相抵靠的侧面上分别点涂3处硅胶。

更进一步的，对硅胶点涂的用量需要控制，硅胶点涂太多则会导致第一、第二罩盒20、30与磁芯体10不易组装，硅胶点涂太少时，不易实现较好的缓冲作用，对噪音的抑制效果不明显。本实用新型中，每处硅胶点涂的重量为5-10g。

进一步的，为了确保硅胶完全固化，所述的硅胶点涂完成后静置30-60min，然后在进行下一步的工艺。

进一步的，为了保证点涂硅胶后磁芯的性能，本实用新型中所的硅胶点涂作业在常温常湿的条件下进行，所述的硅胶点涂作业环境温度为20-25℃，湿度为40-60％RH。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和本实用新型的特点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型的范围内。本实用新型要求保护的范围由所附的权利要求书及其等效物界定。