一种ITO结构的制作方法

本实用新型涉及LED灯的半导体技术领域，特别涉及一种ITO结构。

背景技术：

ITO是一种N型氧化物半导体-氧化铟锡，ITO薄膜即铟锡氧化物半导体透明导电膜，通常有两个性能指标：电阻率和透光率。

就透光率而言，目前ITO结构存在以下缺陷。出光需要从ITO薄膜透射出去，使出光强度不高。

技术实现要素：

为解决上述的技术问题，本实用新型提出一种ITO结构，可以增加出光的强度。

为实现上述目的，本实用新型提供了如下技术方案：

一种ITO结构，包括设置在P面的ITO膜，所述ITO膜包括依次附着在所述P面的第一薄膜、第二薄膜、第三薄膜、以及保护膜，所述第一薄膜、所述第二薄膜、以及所述第三薄膜的透光率依次增大；

还包括沿垂直所述P面的方向贯穿所述第一薄膜、所述第二薄膜、所述第三薄膜、以及所述保护膜的通孔。

作为一种可实施方式，所述通孔为圆孔，并且直径为5μm。

作为一种可实施方式，所述通孔不规则地排列，并列任意两个相邻的所述通孔的间距不小于5μm。

作为一种可实施方式，所述第一薄膜、所述第二薄膜、以及所述第三薄膜的透光率不小于85％。

作为一种可实施方式，所述第一薄膜、所述第二薄膜、以及所述第三薄膜为透光率依次增大的铟锡氧化物薄膜。

作为一种可实施方式，所述第一薄膜的厚度小于所述第二薄膜，所述第二薄膜的厚度小于所述第三薄膜。

本实用新型相比于现有技术的有益效果在于：

本实用新型提供了一种ITO结构，通过设置三层透光率不一的薄膜，以及贯穿这些薄膜的通孔来增加ITO结构的出光强度；具体是，在确保总体厚度不变的情况下，设置三层透光率依次增加的薄膜，可以使叠加后薄膜的透光率增加；另一方面，设置通孔也可以进一步地使薄膜的透光率增加。

附图说明

图1为传统的ITO结构的平面图；

图2为本实用新型实施例提供的ITO结构的平面图；

图3为本实用新型实施例提供的ITO结构的局部放大图。

图中：1、ITO膜；11、第三薄膜；12、第二薄膜；13、第一薄膜；2、保护膜；3、通孔；4、P面。

具体实施方式

以下结合附图，对本实用新型上述的和另外的技术特征和优点进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的部分实施例，而不是全部实施例。

参照图2和图3，本实施例提供了一种ITO结构，包括设置在P面4的ITO膜1，ITO膜1包括依次附着在P面4的第一薄膜13、第二薄膜12、第三薄膜11、以及保护膜2，第一薄膜13、第二薄膜12、以及第三薄膜11的透光率依次增大；还包括沿垂直P面4的方向贯穿第一薄膜13、第二薄膜12、第三薄膜11、以及保护膜2的通孔3。

本实施例是对ITO结构提出的一种改进。改变了图1所示的传统ITO结构，图1中，P面4是被单层ITO膜1完全覆盖的，而出光需要从ITO薄膜透射出去，会导致出光强度不高。本实施例中，通过设置三层透光率不一的薄膜，以及贯穿这些薄膜的通孔3来增加ITO结构的出光强度；具体是，在确保总体厚度不变的情况下，设置三层透光率依次增加的薄膜，可以使叠加后薄膜的透光率增加；另一方面，设置通孔3也可以进一步地使薄膜的透光率增加。

这里，主要是通过设置三层厚度不均的薄膜来设置它们的透光率。具体是，第一薄膜13的厚度小于第二薄膜12，第二薄膜12的厚度小于第三薄膜11。这样，可以带来的作用是使第一薄膜13、第二薄膜12、以及第三薄膜11为透光率依次增大。

另外，可以采用铟锡氧化物薄膜作为第一薄膜13、第二薄膜12、以及第三薄膜11。另外，也可以在第一薄膜13的表面覆盖保护层，来确保设置通孔3之后的稳定性。

除此之外，优选的，通孔3为圆孔，并且直径为5μm。优选的，通孔3不规则地排列，并列任意两个相邻的通孔3的间距不小于5μm。优选的，第一薄膜13、第二薄膜12、以及第三薄膜11的透光率不小于85％。

以上所述的具体实施例，对本实用新型的目的、技术方案和有益效果进行了进一步的详细说明，应当理解，以上所述仅为本实用新型的具体实施例而已，并不用于限定本实用新型的保护范围。特别指出，对于本领域技术人员来说，凡在本实用新型的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。