技术总结
本实用新型涉及混合磁路三相电抗器，包括底座，其特征在于：底座的上方并列设置有三组相同的单相电抗器，所述单相电抗器包括上轭、下轭、线圈导套和两个芯柱，所述芯柱呈圆柱形结构，芯柱并列设置在所述的上轭和下轭之间且芯柱外缠绕有线圈，线圈导套设置有两个圆筒形的导体，两个导体分别对应套在芯柱外且导体之间连接有导板，所述导体的圆筒内设置有向圆筒顶部外伸出引出端子。本实用新型采用三组相同的单相电抗器组合成混合磁路的三相电抗器，可以避免三相电抗器中柱磁路短的不良，从而使三相电感量平衡度更高、漏磁小、损耗低、加工工艺简单方便。
技术研发人员：张国元;贺实;杨海涛;张辉
受保护的技术使用者：东莞立德电子有限公司
文档号码：201721059602
技术研发日：2017.08.23
技术公布日：2018.04.10