一种封装基板、显示面板及显示装置的制作方法

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种封装基板、显示面板及显示装置。

背景技术：

有机发光显示装置是一种自发光显示设备，其能够实现自发光，且具有超薄、高对比度、超广视角、低功率消耗的特点，受到用户的广泛欢迎。目前，有机发光显示装置中的OLED显示基板包括阵列基板，以及形成在阵列基板上的OLED阵列，且在OLED阵列背离阵列基板的表面还形成有封装基板，该封装基板具有有机封装层，以封装OLED阵列，从而防止水汽对OLED阵列的影响。显示时，通过阵列基板控制OLED阵列发光，实现图像显示。

但是，由于OLED阵列中的透明电极电阻率比较大，使得该透明电极的电阻降比较大，导致OLED阵列基板中的信号传递不良，为了克服这个问题，一般在封装基板中设置与透明电极电连接的金属电极作为辅助电极，以降低该透明电极的电阻降；且在金属电极的表面还形成有隔垫物，从而使得封装结构与OLED显示基板之间具有一定的间隔，以减少封装过程对OLED显示基板和封装结构的影响；虽然这样能够提高OLED阵列基板中信号传递的良率，但却使得隔垫物在金属电极的表面附着力不佳，导致隔垫物容易从金属电极表面剥离。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种封装基板、显示面板及显示装置，以至少部分解决隔垫物在金属电极的表面附着力不佳，所导致的隔垫物从金属电极表面剥离的问题。

为了实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种封装基板，该封装基板包括具有透光形成区和非透光形成区的衬底基板，所述衬底基板上设有金属电极，以及位于至少部分所述金属电极远离所述衬底基板表面的隔垫物，所述隔垫物在所述衬底基板的正投影位于所述金属电极在所述衬底基板的正投影中，所述金属电极在衬底基板的正投影位于所述衬底基板的非透光形成区，所述隔垫物与金属电极之间存在间隔。

与现有技术相比，本实用新型提供的封装基板中，隔垫物与金属电极之间存在间隔，使得金属电极与隔垫物没有接触，以排除隔垫物从金属电极表面剥离的问题；而封装基板中除了金属电极之外，就是有机封装层，也就是说，隔垫物可形成在有机封装层上，而有机封装层所使用的有机材料与隔垫物所使用的材料有很好的材料相容性，这使得隔垫物不与金属电极接触的情况下，隔垫物能够很好的附着在有机封装层上，因此，本实用新型提供的封装基板能够解决因为隔垫物在金属电极的表面附着力不佳，所导致的隔垫物从金属电极表面剥离的问题。

本实用新型还提供了一种显示面板，该显示面板包括上述技术方案所述的封装基板，以及与封装基板对盒的阵列基板，所述封装基板的金属电极与所述阵列基板表面的透光电极电连接。

与现有技术相比，本实用新型提供的显示面板的有益效果与上述技术方案提供的封装基板的有益效果相同，在此不做赘述。

本实用新型还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述技术方案提供的所述的显示面板。

与现有技术相比，本实用新型提供的显示装置的有益效果与上述技术方案提供的封装基板的有益效果相同，在此不做赘述。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，构成本实用新型的一部分，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：

图1为本实用新型实施例提供的带有透光电极的第一种封装基板的制作流程图；

图2为本实用新型实施例提供的带有透光电极的第一种封装基板的结构示意图；

图3为本实用新型实施例提供的带有透光电极的第二种封装基板的制作流程图；

图4为本实用新型实施例提供的带有透光电极的第二种封装基板的结构示意图；

图5为本实用新型实施例提供的带有透光电极的第三种封装基板的制作流程图；

图6为本实用新型实施例提供的带有透光电极的第三种封装基板的结构示意图；

图7为本实用新型实施例提供的带有透光电极的第四种封装基板的制作流程图；

图8为本实用新型实施例提供的带有透光电极的第四种封装基板的结构示意图；

附图标记：

1-衬底基板， 2-金属电极；

20-金属层， 20-遮光层；

21-过渡层， 210-过渡层过孔；

3-彩色滤光层， 30-遮光层；

31-黑矩阵， 310-非透光区过孔；

32-彩色色阻， 4-平坦化层；

40-平坦化层过孔， 5-隔垫物；

6-透光电极。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图2、图4、图6和图8，本实用新型实施例提供的封装基板，包括具有透光形成区和非透光形成区的衬底基板1，衬底基板1上方设有金属电极2，以及位于至少部分金属电极2远离衬底基板1表面的隔垫物5，隔垫物5在衬底基板1的正投影位于金属电极2在衬底基板1的正投影中，金属电极2在衬底基板1的正投影位于衬底基板1的非透光形成区，隔垫物设在所述平坦化层的表面。

本领域技术人员容易理解，上述所称的封装基板中的透光形成区对应着封装基板所封装的阵列基板上的像素显示区域，用来透过显示中像素发出的光线；非透光形成区对应着封装基板所封装的阵列基板上的像素定义层图案，例如像素之间的像素定义挡墙。

如图1、图3、图5和图7所示，制作本实用新型实施例提供的封装基板时，其制作方法包括如下步骤：

第一步，提供一衬底基板1；该衬底基板1具有透光形成区和非透光形成区；

第二步，在衬底基板1的上方形成金属电极2；

第三步，在至少部分金属电极2远离衬底基板1的表面形成隔垫物5；其中，隔垫物5在衬底基板1的正投影位于金属电极2在衬底基板1的正投影中，金属电极2在衬底基板1的正投影位于衬底基板1的非透光形成区；隔垫物5与金属电极2之间存在间隔。

另外，本实用新型实施例提供的封装基板中，只要保证其中的金属电极2不与隔垫物5接触即可，因此，金属电极2可以根据工艺设计需要设在衬底基板1的非透光形成区上方的所选位置。基于此，本实用新型实施例提供的封装基板的制作方法中，形成金属电极2的顺序可以根据金属电极2所形成的位置的实际情况调整。

通过上述封装基板的结构及其制作方法的说明可以发现：隔垫物5与金属电极2之间存在间隔，使得金属电极2与隔垫物5没有接触，以排除隔垫物5从金属电极2表面剥离的问题；而封装基板中除了金属电极2之外，就有机封装层，也就是说，隔垫物5可形成在有机封装层上，而有机封装层所使用的有机材料与隔垫物5所使用的材料有很好的材料相容性，这使得隔垫物5不与金属电极2接触的情况下，隔垫物5能够很好的附着在有机封装层上，因此，本实用新型提供的封装基板能够解决因为隔垫物5在金属电极2的表面附着力不佳，所导致的隔垫物5从金属电极2表面剥离的问题。

需要说明的是，对于金属电极2来说，金属电极2不仅可以为普通的单质金属膜和合金模，也可以是复合多层膜，复合多层膜包括层叠设置的第一合金膜和第二合金膜，以及设在第一合金膜和第二合金膜之间的单质金属膜。由于合金膜具有良好的抗氧化性。当单质金属膜所使用的材料为比较容易氧化的单质金属时，此时可以利用第一合金膜和第二合金膜保护单质金属膜，避免单质金属膜发生氧化。

可选的，单质金属膜所使用的材料包括Mo、Al、Ti、Au、Cu、Nd、Hf或Ta，而合金膜包括Mo、Al、Ti、Nd、Au、Cu、Hf、Ta中至少两种所形成的合金，例如：AlNd或MoNb等。

为了提高使用该封装基板的OLED显示面板的显示效果，如图1所示，本实用新型实施例提供了第一种封装基板，该封装基板中，金属电极2设在衬底基板1的非透光形成区的表面，且金属电极2的上方还设有平坦化层4，隔垫物5设在平坦化层4背离金属电极2的表面，以使得隔垫物5未与金属电极2接触。由于平坦化层4所使用的材料和隔垫物5所使用的材料均为有机材料制成，因此，隔垫物5能够很好的附着在平坦化层4的表面。

平坦化层4在衬底基板1的正投影覆盖衬底基板1的非透光形成区和透光形成区，使得金属电极2在衬底基板1的正投影位于平坦化层在衬底基板1的正投影中，而考虑到平坦化层4在衬底基板1的正投影覆盖衬底基板1的非透光形成区和透光形成区，因此，此处所用的平坦化层4是透光的，以不影响光线透过封装基板。

另外，由于金属电极2形成在衬底基板1的表面，使得金属电极2与衬底基板1接触，而衬底基板1和金属电极2的表面都比较光滑，使得金属电极2能够很好的形成在衬底基板1上，从而减小了金属电极2从衬底基板1表面剥离的可能性，进一步解决了金属电极2形成在平坦化层4的表面，所造成的附着力不佳的问题。

在一个实施例中，如图1所示，金属电极2与平坦化层4之间设有黑矩阵31，金属电极2在衬底基板1的正投影位于黑矩阵31在衬底基板1的正投影中。该实施例提供的封装基板用于有机发光显示装置时，如果有外界自然光从平坦化层4所在方向射向衬底基板1，可以利用黑矩阵遮挡自然光直接照射到金属电极2上，从而避免金属电极2将外界自然光反射出去，从而使得自然光就能够进一步通过封装基板射入OLED显示基板中，提高有机发光显示装置所显示的图像的对比度。

值得注意的是，如图2所示，上述实施例中黑矩阵31设在金属电极2与平坦化层4之间，换句话说，黑矩阵31实质是设在金属电极2背离衬底基板1的表面，而由于金属电极2在衬底基板1的正投影位于黑矩阵31在衬底基板1的正投影中，这使得在制作封装基板时，如图1所示，可以先在衬底基板1的表面溅射一层金属材料，以形成金属层20，然后在金属层20的表面再沉积一层遮光材料，以形成遮光层30，再采用构图工艺，一次性对基金属层20和遮光层30图案化，其中，被图案化的金属层30称为金属电极2，被图案化的遮光层30称为黑矩阵31。

而考虑到金属电极2具有遮光性，因此，黑矩阵31在衬底基板1的正投影，覆盖金属电极2在衬底基板1的正投影，使得金属电极2不会影响正常的光线透过效率。

在一个实施例中，利用上述第一种结构的封装基板封装OLED显示基板时，还包括在透光电极6，该透光电极6位于隔垫物和平坦化层背离衬底基板的表面的上方，其投影覆盖衬底基板的透光形成区和非透光形成区，通过该该透光电极6，金属电极2与阵列基板表面的对应透光电极6电连接，以降低由于阵列基板上的发光器件电阻较大导致的IR Drop(电阻降)。该透光电极6的设置与阵列基板表面的对应透光电极一致，例如在顶发射AMOLED结构中为透明阴极等，例如在PMOLED结构中为阴极或阳极等。其中，金属电极2和透光电极6的电连接结构可以通过如下结构实现，当然也可以采用其他可实现的结构，在此不做说明。

例如：如图2所示，黑矩阵31开设有非透光区过孔310，非透光区过孔310在衬底基板1的正投影位于金属电极2在衬底基板1的正投影内，隔垫物5在衬底基板1的正投影与非透光区过孔310在衬底基板1的正投影相互独立；平坦化层4开设有与非透光区过孔310连通的平坦化层过孔40，非透光区过孔310在衬底基板1的正投影与平坦化层过孔40在衬底基板1的正投影至少部分重合；透光电极6通过平坦化层过孔40和非透光区过孔310与金属电极2电连接。

其中，非透光区过孔310在衬底基板1的正投影可以不与平坦化层过孔40在衬底基板1的正投影完全重合，只要非透光区过孔310在衬底基板1的正投影，与平坦化层过孔在衬底基板1的正投影交叠，以使得在形成透光电极6时，透光电极6的材料能够通过形成在非透光区过孔310和平坦化层过孔40对应的交叠区，从而实现金属电极2和透光电极6电连接。

容易理解，基于发光显示结构的不同，OLED中存在RGB三原色OLED和WOLED两种发光方式。当采用WOLED作为显示像素时，如图2所示，本实用新型实施例提供的封装基板，黑矩阵31的开口区中还可以形成有彩色色阻32，彩色色阻32在衬底基板1的正投影位于衬底基板1的透光形成区，黑矩阵31和彩色色阻32共同组成彩色滤光层3。WOLED发光进入封装基板中的光线通过黑矩阵31的开口区，这使得彩色色阻32能够彩色化透过黑矩阵31开口区的光线。此外，彩色色阻32覆盖黑矩阵31的部分表面，以使得彩色色阻32能够稳固的形成在黑矩阵31的开口区。

另外，上述黑矩阵31的开口区中形成有彩色色阻32，并不是仅仅适用于WOLED发光中，也可以使用与RGB三原色OLED发光效果不好的OLED显示基板中，以使得OLED显示基板所显示的画面颜色比较亮丽。

在本实用新型的一个实施例中，如图4、图6和图8所示，至少部分金属电极2的表面设有过渡层21，隔垫物5位于过渡层21远离金属电极2的表面，并限定隔垫物5与过渡层21的附着力大于隔垫物5与金属电极2的附着力，这样就能够减小隔垫物5剥离的可能性。

可选地，过渡层21的厚度根据实际情况决定，例如：在一般的封装基板中，过渡层21厚度在20nm-50nm，在这种情况下，即能够使得隔垫物5能够很好的附着在过渡层21上，又不会使得封装基板的厚度增加过大。

下面对过渡层21分别为绝缘过渡层和导电过渡层这两种情况进行分别说明，以下说明仅用于解释本实用新型实施例，而不作为限定。

一、当过渡层21为绝缘过渡层时，本实用新型实施例提供的封装基板可以采用如图4所示的第二种结构的封装基板，也可以采用如图6所示的第三种结构的封装基板。

如图4所示，本实用新型实施例提供的第二种结构的封装基板中，隔垫物5仅形成在部分金属电极2上，而没有形成其他地方，这样在第二种结构的封装基板封装OLED显示基板时，与阵列基板表面的透光电极连接的透光电极6形成在隔垫物5背离金属电极2的表面，以及没有形成隔垫物5的金属电极2的表面，从而使透光电极6与金属电极2电连接。

由于隔垫物5在衬底基板1的正投影位于金属电极2在衬底基板1的正投影中，且隔垫物5形成在部分金属电极2上，而金属电极2在衬底基板1的正投影位于衬底基板1的非透光形成区，因此，隔垫物5在衬底基板1的正投影位于衬底基板1的非透光形成区。此时，本实用新型实施例中的过渡层21可以为透光绝缘过渡层也可以为遮光绝缘过渡层，并不需要特别限定。

如图6所示，本实用新型实施例提供的第三种结构的封装基板中，考虑到所有金属电极2的表面均形成有绝缘过渡层，本实用新型实施例提供的封装基板封装OLED显示面板，在绝缘过渡层上开设过渡层过孔210，以使得OLED显示基板中的透光电极通过过渡层过孔210与金属电极2电连接，过渡层过孔210在衬底基板1的正投影位于金属电极2在衬底基板1的正投影内，隔垫物5在衬底基板1的正投影与过渡层过孔210在衬底基板1的正投影相互独立，使得过渡层过孔210仅仅形成在绝缘过渡层上，从而避免过渡层过孔210影响光线透过的均一性。

同时，隔垫物5在衬底基板1的正投影与过渡层过孔210在衬底基板1的正投影相互独立，使得过渡层过孔210不会对隔垫物5的支撑强度造成影响。

可选地，上述绝缘过渡层仅仅形成在所有金属电极上，则绝缘过渡层可以为透光绝缘过渡层，也可以为遮光绝缘过渡层；或者上述绝缘过渡层不仅形成在部分金属电极或所有金属电极的表面，而且还形成在衬底基板1的透光形成区，此时，绝缘过渡层需要透光绝缘过渡层，以使得绝缘过渡层不影响光线透过封装基板。

需要说明的是，当过渡层21为绝缘过渡层时，本实用新型实施例提供的第二种结构的封装基板和第三种封装基板，并没有改变金属电极2的位置，只是在金属电极2的表面形成了绝缘过渡层，并且隔垫物5与绝缘过渡层的附着力大于隔垫物5与金属电极2的附着力(只要隔垫物5与绝缘过渡层的附着力大于隔垫物5与第二类金属电极的附着力)，即可解决因为隔垫物5在金属电极2的表面附着力不佳，所导致的隔垫物5从金属电极2表面剥离的问题。

过渡层21既可以选择有机过渡层，也可以选择氧化物过渡层；当绝缘过渡层的材料为六甲基二硅氮烷、SiO_x、SiN_x、SiON_x中的一种或多种时，隔垫物5与这些材料的附着力都大于隔垫物5与金属电极2的附着力。

二、当过渡层21为导电过渡层，这种情况如图8所示的第四种结构的封装基板。在本实用新型实施例提供的基于第四种结构的封装基板中，导电过渡层不仅覆盖了金属电极的表面，而且还覆盖了衬底基板1的透光形成区，因此，导电过渡层透光，不会影响光线透过封装基板。

当本实用新型实施例提供的第四种结构的封装基板封装OLED显示基板时，可将透光电极6直接形成在导电过渡层的表面和隔垫物5的表面，使得透光电极6通过导电过渡层与金属电极2电连接，此时，隔垫物5与导电过渡层的附着力大于隔垫物5与金属电极2的附着力。

其中，导电过渡层的材料可选择范围广泛，如氧化铟锡、掺铝氧化锌、掺铟氧化锌、铝钛共掺杂氧化锌中的一种或多种，隔垫物5与这些材料的附着力均大于隔垫物5与金属电极2的附着力。

在一个实施例中，如图4所示的封装基板，其中的过渡层为导电过渡层时，导电过渡层可以为透光导电过渡层，也可以为遮光导电过渡层，具体原因参见前文对图4的详细描述。

需要说明的是，当过渡层21为导电过渡层时，本实用新型实施例提供的第四种封装基板，并没有改变金属电极2的位置，只是在金属电极2的表面形成了导电过渡层，并且隔垫物5与导电过渡层的附着力大于隔垫物5与金属电极2的附着力(对于所有隔垫物5形成在第一类金属电极的表面的情况来说，只要隔垫物5与导电过渡层的附着力大于隔垫物5与第二类金属电极的附着力即可)，即可解决因为隔垫物5在金属电极2的表面附着力不佳，所导致的隔垫物5从金属电极2表面剥离的问题。

通过上述对第二种封装基板至第四种封装基板的描述可以发现，过渡层21的材料可选择范围广泛，既可以是透光绝缘材料或不透光绝缘性材料，也可以为透光导电材料或不透光导电遮光材料，因此，基于该方案的本实用新型实施例提供的封装基板的工艺受到的限制小，容限比较宽。

需要说明的是，上述实施例中衬底基板1与金属电极2之间一般设有平坦化层4，平坦化层4在衬底基板1的正投影覆盖衬底基板1的透光形成区和非透光形成区。因此，当过渡层21还形成在衬底基板的透光形成区的表面时，过渡层21形成在平坦化层4对应衬底基板1的透光形成区的表面，即过渡层实质上是通过平坦化层4间接的形成在衬底基板1的透光形成区的表面。

与上述类似的，在WOLED作为发光显示元件的显示面板中，如图4、图6和图8所示，上述第二种结构到第四种结构的封装基板还包括彩色滤光层3，彩色滤光层3设在衬底基板1的透光形成区和非透光形成区的表面，并位于上述平坦化层4的下方，即彩色滤光层3位于衬底基板1与平坦化层4之间，使得光线被彩色滤光层3彩色化。而且，如果封装基板还包括彩色滤光层3时，过渡层实质上是通过平坦化层4间接的形成在彩色滤光层3的表面。

当然与上述类似，上述第二种结构到第四种结构的封装基板还包括彩色滤光层3，也能够适用于彩色化效果不好的RGB三原色OLED发光方式的OLED显示基板。

可选地，如图4、图6和图8所示，彩色滤光层3包括黑矩阵31，黑矩阵31的开口区形成有彩色色阻32，彩色色阻32在衬底基板1的正投影位于衬底基板1的透光形成区，黑矩阵31在衬底基板1的正投影位于衬底基板1的非透光形成区。由于进入封装基板中的光线通过黑矩阵31的开口区，这使得彩色色阻32能够彩色化透过黑矩阵31开口区的光线。而且，彩色色阻32覆盖黑矩阵31的部分表面，以使得彩色色阻32能够稳固的形成在黑矩阵31的开口区。

此外，上述实施例提供的第一种结构的封装基板至第四种封装基板中所涉及的平坦化层4所使用的材料包含但不限于有机树脂、SOG材料，苯并环丁烯中的一种或多种，当然也可以选择其他绝缘性材料作为平坦化材料。其中，SOG是一种相当于SiO₂的液相绝缘材料，具体为硅-玻璃键合结构。

如如图4、图6和图8所示，本实用新型实施例还提供了一种显示面板，该显示面板包括上述技术方案提供的封装基板，且封装基板的金属电极与阵列基板表面的透光电极6连接。

与现有技术相比，本实用新型实施例提供的显示面板的有益效果与上述技术方案提供的封装基板的有益效果相同，在此不做赘述。

其中，该阵列基板可以为普通的OLED阵列基板，也可以为薄膜晶体管阵列基板。

上述实施例中透光电极6材料可选择的范围比较广，例如：透光电极6材料可以为透光半导体薄膜，透光半导体薄膜的材料为氧化铟锡(ITO)、掺铝氧化锌(IZO)、掺铟氧化锌(AZO)、铝钛共掺杂氧化锌(AZTO)中的一种或多种；而考虑到金属薄膜2在比较薄的情况下，可呈现透光状态，因此，限定上述透光电极6材料为透光金属薄膜，且透光金属薄膜的材料为镁银复合材料、钙银复合材料、钐银复合材料、铝银复合材料铝银复合材料、钡银复合材料中的一种或多种。而考虑到材料充分性应用的问题，可以限定封装基板中导电过渡层的材料与透光电极6的材料一样，这样就能够减少材料的采购次数。

本实用新型实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述技术方案提供的显示面板。

与现有技术相比，本实用新型实施例提供的显示装置的有益效果与上述技术方案提供的封装基板的有益效果相同，在此不做赘述。

其中，上述实施例提供的显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框或导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

如图1、图3、图5和图7所示，本实用新型实施例还提供了一种封装基板的制作方法，该封装基板的制作方法包括如下步骤：

步骤S1：提供一衬底基板1；衬底基板1具有透光形成区和非透光形成区；

步骤S2：在衬底基板1上方形成金属电极2；

步骤S4：在至少部分金属电极2远离衬底基板1的表面形成隔垫物5；其中，隔垫物5在衬底基板1的正投影位于金属电极2在衬底基板1的正投影中，金属电极2在衬底基板1的正投影位于衬底基板1的非透光形成区；隔垫物5与金属电极2之间存在间隔。

与现有技术相比，本实用新型实施例提供的封装基板的制作方法的有益效果与上述技术方案提供的封装基板的有益效果相同，在此不做限定。

当金属电极2设在衬底基板1的表面；此时，如图1所示，在至少部分金属电极2远离衬底基板1的表面形成隔垫物5前，上述封装基板的制作方法还包括：

在金属电极2背离衬底基板1的表面形成黑矩阵31，使得金属电极2在衬底基板1的正投影位于黑矩阵31在衬底基板1的正投影中；

在黑矩阵31背离金属电极2的表面以及衬底基板1的透光形成区表面形成平坦化层4，使得隔垫物5形成在平坦化层4的表面，平坦化层4在衬底基板1的正投影覆盖衬底基板1的非透光形成区和透光形成区；金属电极2在衬底基板1的正投影位于平坦化层4在衬底基板1的正投影中。

具体的，如图1所示，黑矩阵31和金属电极2可以在同一步骤中形成，即在步骤S2中同时形成黑矩31和金属电极2，具体过程如下：

步骤S21：在衬底基板1的表面形成金属层20；在金属层20背离衬底基板1的表面形成遮光层30；

步骤S22：采用一次构图工艺对金属层20和遮光层30进行构图，得到矩阵化的金属电极2以及位于金属电极2背离衬底基板1表面的黑矩阵31；黑矩阵31在衬底基板1的正投影覆盖金属电极2在衬底基板1的正投影。

在WOLED显示面板中，为了使得透过封装基板的光线彩色化，如图1所示，在步骤S22后，还包括：

步骤S24：在黑矩阵31的开口区形成彩色色阻32，以利用彩色色阻32彩色化光线。

另外，为了使得封装基板的表面尽量平坦化，一般来说，如图1所示，步骤S2和步骤S4之间还包括：

步骤S3：在黑矩阵31的表面和彩色色阻32的表面形成平坦化层4，使得隔垫物形成在平坦化层4对应衬底基板的非透光形成区的表面；

考虑到封装基板与OLED显示基板对盒时，与OLED阵列基板的透光电极连接的透光电极6要与金属电极2电连接。

具体的，在步骤S4之间还包括：

步骤S5：采用刻蚀工艺，一次性在平坦化层4上开设平坦化层过孔40，在黑矩阵31上开设非透光区过孔310，使得黑矩阵31上开设非透光区过孔310连通，且保证非透光区过孔310在衬底基板1的正投影，与平坦化层过孔40在衬底基板1的正投影重合，并且隔垫物5在衬底基板1的正投影，与非透光区过孔310在衬底基板1的正投影相互独立；这样可将OLED显示基板的透光电极6形成在平坦化层40的表面和隔垫物5背离平坦化层40的表面，使得透光电极6通过平坦化层过孔40和非透光区过孔310与金属电极2电连接。

如图3、图5和图7所示，上述实施例中步骤S2和步骤S4之间还包

步骤S3：在至少部分金属电极2的表面形成过渡层21，使得隔垫物5位于过渡层21远离金属电极2的表面。

在这种结构下，可选的，上述实施例步骤S1与步骤S2之间还包括：

步骤S11：在衬底基板2的表面形成彩色滤光层3；彩色滤光层3包括黑矩阵31和形成在黑矩阵的开口区的彩色色阻32；

步骤12：在彩色滤光:3背离衬底基板2的表面形成平坦化层4，使得金属电极2形成在平坦化层4背离彩色滤光层3的表面；平坦化层4在衬底基板1的正投影覆盖衬底基板1的透光形成区和非透光形成区；

在至少部分金属电极2的表面形成过渡层21时，上述实施例提供的封装基板的制作方法采用以下方式具体实现。

第一种方法如图3所示，过渡层21为绝缘过渡层，此时，在部分金属电极2的表面形成过渡层21，使得所有隔垫物21形成过渡层的表面；

当OLED显示基板与封装基板对盒在一起时，在过渡层21的表面以及没有形成过渡层21的金属电极2的表面形成OLED显示基板中的透光电极6，以保证透光电极6与金属电极2电连接。

当然图3中的过渡层21也可以为导电过渡层21，且由于图3中的过渡层21仅仅形成在金属电极2的表面，而没有在其他地方形成，因此，过渡层21可以为遮光过渡层或透光过渡层。

第二种方法如图5所示，过渡层21为绝缘过渡层，且绝缘过渡层应当透光，以保证绝缘过渡层能够在不影响彩色滤光层3透光的前提下，形成在平台化层的表面。此时，在金属电极2的表面和平坦化层4的表面均形成绝缘过渡层，使得隔垫物5形成在绝缘过渡层的表面，且绝缘过渡层透光；然后在绝缘过渡层上开设过渡层过孔210，使得过渡层过孔210在衬底基板1的正投影位于金属电极2在衬底基板1的正投影内，隔垫物5在衬底基板1的正投影与过渡层过孔210在衬底基板1的正投影相互独立。

当OLED显示基板与封装基板对盒在一起时，OLED显示基板的透光电极6形成在隔垫物表面，透光电极6应当在隔垫物5的表面和绝缘过渡层的表面形成透光电极6，使得透光电极6通过过渡层过孔210与金属电极2电连接。

第三种方法如图8所示，过渡层21为导电过渡层，且导电过渡层应当透光，以使得导电过渡层形成在金属电极2的表面和平坦化层4的表面时，能够不影响彩色滤光层3透光。此时，在金属电极2的表面和平坦化层4的表面形成导电过渡层，使得隔垫物5形成在导电过渡层的表面。

当OLED显示基板与封装基板对盒在一起时，OLED显示基板的透光电极6形成在隔垫物5的表面和导电过渡层的表面。

需要说明的是，本实用新型实施例提供的封装基板的制作方法的有益效果可参见前文对于封装基板的结构相应描述，在此不再赘述。

在上述实施方式的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。